美国发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向
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据美国科学学术网3日报道，美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器，可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片，科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/201602/286959.htm
据美国科学学术网3日报道，美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器，可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片，科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。
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