台积电加573亿先进制程 主攻20nm及FinFET

　　晶圆龙头台积电13日董事会通过573.65亿元资本支出，连同上次核准金额，合计为2033.65亿元，约占台积电全年资本支出上限100亿美元的68%，显示台积电加速先进制程脚步。

　　台积电将今年资本支出上修至95至100亿美元(约新台币2990亿)，只少许落后英特尔的110亿美元，是台湾投资计划最大的电子大厂。

　　设备厂商透露，台积电加紧20纳米及16纳米先进制程量产及试产时程，添购所需设备，推估今年台积电全年资本支出，绝对会在上限100亿美元，而且明年也可能与今年相近。

　　设备商表示，台积电追加573.65亿元的资本支出，主要用于20纳米、16纳米鳍式晶体管(FinFET)以下制程产能，有助于明年营收、获利成长。

　　台积电日前公布28纳米上半年营收占比为29%，创单季新高，遥遥领先对手，预估今年28纳米占营收比重将比去年成长3倍。