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罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET

—— 实现业界最高级别的开关性能
作者:时间:2012-06-20来源:电子产品世界收藏

  日本知名半导体制造商(总部位于日本京都市)面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压转换器,开发出了功率

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/133754.htm

  新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。独家的高效特性,有助于各种设备的电源电路实现更低功耗。另外,根据不同用途提供3种小型封装,可减少安装面积,更加节省空间。

  关于生产基地,前期工序在的总部(日本京都市),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国),从2012年4月开始出售样品(样品价格30~50日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。

  近年来,随着服务器和笔记本电脑等的高性能化发展,CPU等的功耗不断增加,工作电压越发低电压化,设备的电源电路的温升和电池驱动时间减少已成为很大问题。在这种情况下,在同期整流方式降压型转换器等各种电源电路中内置功率,使之承担与提高电源的电力转换效率直接相关的重要作用。为了实现高效低损耗的功率,降低导通电阻和栅极容量是非常重要的,然而权衡两者的关系后,往往很难同时兼顾。

  新系列产品,除了进一步微细化,采用罗姆独家的低容量构造和新的“沟槽式场板结构”,同时实现了低栅极容量与低导通电阻。作为DC/DC转换器用功率MOSFET的性能指数所使用的“FOM”与传统产品相比降低了50%,达到了业界顶级的高效性。由此,不仅降低了同期整流型DC/DC电源电路的高边(High Side)的开关损耗,而且降低了低边(Low Side)的导通损耗,可大大提高电路整体的效率。另外,能够在高频下进行同期整流动作,使外围部件的小型化成为可能。  

 

  此外,本产品为了确保在同期整流电路中的性能,针对Rg(栅极电阻)、UIS(L负载雪崩耐量)实施了100%试验,在质量方面也具有高可靠性。罗姆今后也将充分发挥独创的先进工艺加工技术,不断推进设想到客户需求的晶体管产品的开发。

  <特点>
  1) 低导通电阻、低容量

  进一步微细化,同时,采用罗姆独家的低容量构造和新的“沟槽式场板结构”,实现了低容量与低导通电阻兼备的元件。与罗姆传统产品相比,表示功率MOSFET的性能指数的“FOM”数值可降低50%。  


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关键词: 罗姆 MOSFET DC/DC

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