飞兆推出一款低侧高双功率芯片非对称N沟道模块
—— 帮助设计人员在电源设计中实现最高功率密度和最高效率
随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/132298.htm
FDPC8011S专为更高的开关频率的应用而开发，在一个采用全Clip封装内集成1.4mΩ SyncFET 技术和一个5.4mΩ控制MOSFET、低质量因子的N沟道MOSFET，有助于减少同步降压应用中的电容数量并减小电感尺寸。该器件具有源极朝下和低侧MOSFET可以实现简单的布局和布线，提供更紧凑的线路板布局并获得最佳的散热性能。FDPC8011S具有超过25A的输出电流，与其它普通3x3mm2 双MOSFET器件相比，输出电流容量提高了2倍。
特性和优势
- 控制N沟道MOSFET RDS(ON) = 5.4mΩ 典型值，(最大7.3mΩ) VGS = 4.5V
- 同步N沟道MOSFET RDS(ON) = 1.4mΩ 典型值，(最大2.1mΩ ) VGS = 4.5V
- 低电感封装缩短上升/下降时间，实现更低的开关损耗
- MOSFET集成实现最佳布局，降低线路电感并减少开关节点振铃
- 满足RoHS要求
新增3.3x3.3mm2 Power Clip 非对称双 MOSFET是飞兆半导体齐全的MOSFET产品系列的一部分，它能够为电源设计人员提供了大量针对任务关键性高效信息处理设计的解决方案。
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