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飞兆推出一款低侧高双功率芯片非对称N沟道模块

  • 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能,电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S,帮助设计人员应对这一系统挑战。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  FDPC8011S  N沟道  
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