2011年DRAM位元成长率上看50%

　　2011年DRAM产业中，虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都是来自于制程微缩为主，包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%，以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出，集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(Bit Growth)将增加50%。

　　三星电子2010年上半宣布的巨额资本支出计划震撼半导体产业，其中主要的资本支出都以半导体和面板为主，预计投资在存储器的金额高达9兆韩元，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，其月产能将达20万片，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，同时也有另一部分的资本支出适用于晶圆代工和逻辑事业上。

　　不过，随著2010年下半存储器景气反转，价格大崩盘，虽然三星成本相当低，因此稳如泰山，但三星其实也针对Line-16这做新12寸晶圆厂考虑放缓脚步或是先以NAND Flash芯片为主。

　　不论如何，整个2011年DRAM产业主要的位元成长性，最大宗仍是来自于制程微缩的贡献，其中国际大厂都是积极从40纳米制程转进30纳米制程，进度最快的会是三星;而台系DRAM厂则是积极从现有的70纳米、60纳米或是50纳米等，转进40纳米制程。

　　其中瑞晶速度最快，预计2011年底前，旗下8万片12寸晶圆厂产能将100%都转进尔必达的45纳米制程，瑞晶未来在尔必达的制程技术研发上，将占有重要角色，瑞晶已成为台湾第1家向艾司摩尔(ASML)下订深紫外光(EUV)机台的DRAM厂。

　　其它象是南亚科、华亚科都将从50纳米转进42纳米制程，力晶也将从63纳米转进45纳米制程。

　　根据集邦科技统计，2011年全球DRAM产业位元成长率(Bit Growth)将增加50%，三星电子预期35纳米制程比重将在2011年下半超过50%，而海力士、尔必达和美光将会在第2季大量产出30纳米制程。

　　再者，对于DRAM价格走势，集邦也预期DRAM价格会从2011年第1季或是第2季末开始反弹，估计2011年个人计算机(PC)成长率将达11.8%，平板计算机(Tablet PC)将刺激Mobile DRAM成长80%。

　　业者也预期，2011年第1季DRAM价格如果持续下滑，将给第2季刺激需求出笼一个很好的引爆点。

　　在终端应用方面，虽然市场都担心平板计算机或是Netbook流行的趋势，会影响DRAM消耗量，对于整个DRAM产业是开倒车，但在Netbook方面，集邦也预估2011年Netbook存储器搭载率也会被拉升至2.13GB，年成长率将达105%，而桌上型计算机(DT)和笔记型计算机(NB)的存储器搭载率将提升36%和31%，会到4.22GB和4.00GB。