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供给有限、需求强劲 DRAM产业可连赚三年

作者:时间:2010-03-26来源:DRAMExchange 收藏

  根据eXchange的预测,从今年到2012年,产业供给方面在产能扩充、资本支出、浸润式机台供给有限,以及以下制程转进难度高影响下,位成长有限。而需求在全球景气复苏,带动消费者及企业换机潮,以及智能型手机带动行动内存需求大幅成长下则将动力强劲,预期未来三年DRAM产业有机会连续获利。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/107335.htm

  DRAMeXchange指出,DRAM产业过去十几年来,几乎每三年为一景气循环周期,以DRAM厂的营业获利率分析,2001至2003年DRAM产业连续三年亏损,2004至2006年转为连续三年获利,2007至2009年又落入连续三年亏损的循环。今年,DRAM厂终于摆脱三年亏损,进入获利循环开始,由于全球经济景气复苏,Window 7 带动消费者、企业换机潮,加上资本支出成长有限,制程转进出现瓶颈,该产业可望再走向正向循环,未来三年连续获利可期。

  去年下半年开始,全球景气逐渐复苏,国际货币基金(IMF)上调今年全球GDP预测,从3.1%上修至3.9%;世界银行(World Bank)最新预测则指出,今年中国GDP成长率将超过去年的8.7%,达到9.5%,显示今年中国仍为全球性经济成长的动能。

  根据消费者信心指数显示,欧洲及日本最坏的经济谷底已经出现,经济亦已进入缓步复苏。同时,各国亦在今年极力降低失业率,透过各项方案增加就业机会,因此经济复苏及失业率下降,可望带动未来几年计算机销售成长率。

  此外,微软(Microsoft)在2007年推出的Windows Vista未能成功带动换机潮,但在去年10月推出Windows 7,可望在带动消费者及企业PC换机潮。DRAMeXchange预计,在未来三年每年PC出货量成长率将达12%~17%。

  手机市场方面,DRAMeXchange预估智能型手机今年成长率将达28.6%。智能型手机出货量成长,激励Mobile DRAM需求大幅成长。去年智能型手机搭载的Mobile DRAM主流容量为128MB,今年新款智能型手机,搭载的mobile DRAM容量高达256MB。

  而下世代的智能型手机搭载的Mobile DRAM规格再度提高至512MB,出货量及搭载量皆大幅成长的情况下,预计Mobile DRAM为今年DRAM需求成长另一强大动能。

  苹果计算机(Apple)的iPad也是今年Mobile DRAM需求成长的另一动能;该产品预计今年4月3日在美国开卖,预估今年将热卖750万台,所搭载Mobile DRAM容量至少为512MB,对行动内存总需求成长将再往上提升,也促使三星、海力士、尔必达等DRAM厂大幅增加Mobile DRAM的投片量,排挤到标准型DRAM的产能。

  2008年全球经济下半年面临金融风暴强袭,导致消费性需求急冻,DRAM厂商均严重亏损,大部份DRAM厂商亦在2008第四季开始减产以及8吋厂房去化。今年首季,虽全球景气已逐渐复苏,DRAM厂商亦逐渐恢复产能;然而,目前八吋产能已几乎全面去化,全球DRAM产能仍较2008年第二季产能高峰减少20%。

  DRAMeXchange表示,由于DRAM厂商新盖厂房需要2至3年时间才能设备移入,未来两年内新增的产能,除了先前已盖好厂房的三星将新增40K产能以及南科预计新增的15K产能外,未来两年难以大幅增加产能。

  

 

  DRAM厂商在2008年第四季在金融风暴的冲击下,亏损大幅扩大,面临了营运资金短缺及无力偿还债务的危机,为求生存,各DRAM厂商皆大幅降低2009年资本支出。今年资本支出在DRAM厂商连续三年亏损下,能投入的金额也将有限。

  目前DRAM厂商计划今年资本支出为83.6亿美金,虽已较去年成长93%然而与DRAM厂商历史资本支出相较,仍属较低水位,预计未来三年DRAM厂商在获利的状况下,资本支出将会稳健成长。 、

  

 

  在制程转进设备方面,50nm以下制程皆需使用浸润式机台,除DRAM产业外,其余半导体厂商如台积电、联电亦需使用到浸润式机台,目前浸润式机台供货商ASML市占率高达9成以上,在满单的状况下,各DRAM厂商拿到浸润式机台时间大多具不确定性。也使DRAM厂在制程转进速度受限于机台取得时程而可能延后。

  在制程转进方面,目前仅三星已量产4xnm,海力士及尔必达则计划今年第二季才量产4x nm;DRAMeXchange认为,一旦制程转进稍有不顺,将造成今年大缺货。明年各DRAM厂商即使顺利转进制程,然而进入4xnm以下制程难度加大,投资也要再增加。

  预估2011~2012年,在产能扩充有限、以下制程转进不易下,年DRAM位成长将最高达40%左右。

  

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关键词: 智能手机 DRAM 40nm

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