IGBT核心技术及人才缺失 工艺技术缺乏

　　国内目前的半导体生产线绝大多数是IC产品生产线，少数分立器件的生产线也主要生产常规三极管和肖特基二极管，缺少IGBT所需要的栅极形成、隔离、背面减薄和注入工艺等技术。

　　政策应加大扶持力度

　　微电子技术是对信号的处理和转换，可以提高人们的工作效率和生活质量;而电力电子是对电能的控制和变换，可以提高用电效率和改善用电质量，也是工业化和信息化融合的关键技术。集成电路和电力半导体器件在国民经济发展中地位同样重要，两者相辅相成。然而，同样重要的技术并没有得到同样的重视，国家在2000年出台了18号文件，重点支持集成电路和软件技术的发展，没有将新型电力半导体器件列入其中。国家十一五重大专项中，新型电力半导体器件又未能进入支持目录。

　　针对IGBT产业，必须运用系统工程打造产业化体系。在设计领域，应重点利用海归技术人员所掌握的国际先进技术和国内部分高校和研究所的前期经验;在芯片制造领域，应充分利用国内已有的IC和分立器件生产线，补充必要的生产设备;在封装领域，应重点发展单管大尺寸封装(TO-220以上)、标准功率模块、智能化功率模块和用户定制功率模块;在测试领域，应发展新型器件的动静态特性测试、可靠性试验及失效分析手段;在原材料领域，应重点发展高阻外延单晶、区熔单晶和磁场直拉单晶;在设备领域，应重点发展大面积减薄、微细刻蚀、大束流离子注入等设备;针对应用特性，应重点研究器件和电路接口方面的技术问题，如驱动和保护电路的设计等;针对人才培养，短期可以从国外引进一批有着丰富实践经验的高层次技术人才，长期则需要在国内高校培养新型电力半导体器件的设计和制造人才。

　　根据我国IGBT产业化的特点和需要，在产业化的进程中要给予相关政策支持，如政府采购、财政补贴、税收优惠、关税保护、国产化率考核、国产装备的风险补偿、大型节能减排项目示范工程等。不仅要对器件的研发给予重点支持，而且应在系统应用的源头利用政策的杠杆来辅助，才会使国内的器件制造从弱势成长为强势。

　　此外，我们还应制定IGBT产业化各环节和全程目标，设置和控制关键点，建立对产业化全程的反馈和优化控制流程。要把我国IGBT产业化与节能减排规划、新能源发展规划、装备制造、电子信息及其他产业调整振兴规划衔接，加强IGBT产业化的配套设施建设。(本文作者赵善麒为江苏宏微科技有限公司总经理，陆剑秋为中国电器工业协会电力电子分会理事长，毕克允为中国半导体行业协会特聘副理事长、中国电子节能技术协会副理事长。)

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　　IGBT技术及应用

　　IGBT是在MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)和双极晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件，主要用于通信、工业、医疗、家电、照明、交通、新能源、半导体生产设备、航空、航天及国防等诸多领域。IGBT既具有MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又具有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。自问世以来，IGBT以其优越的动静态性能，在6500V以下的中大功率高频领域逐渐取代了晶闸管和功率MOSFET器件。目前，尚无任何其他器件可以在短期内代替IGBT器件。