IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

如图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。



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41# EEPW网友 说:2017-04-04 22:02
一般的igbt的开通和关断时间是多长呢
40# 广州华工科技 说:2016-10-21 16:38
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39# EEPW网友 说:2016-07-13 14:15
38# EEPW网友 说:2016-07-13 14:12
37# EEPW网友 说:2016-07-13 14:12
是大幅度发
36# EEPW网友 说:2016-07-13 14:08
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35# EEPW网友 说:2016-07-13 14:08
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34# EEPW网友 说:2016-07-13 14:08
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33# EEPW网友 说:2015-12-23 14:50
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32# EEPW网友 说:2014-09-03 17:43
请问汽车级IGBT国际知名生产企业都有哪些?有知道的麻烦给说一下,谢谢!
31# 云端 说:2014-07-21 06:57
IGBT 管的好坏可以用万用表来测量吗?
30# soothmusic 说:2014-07-20 06:13
回答29# wyf86:
这个问题很难回答,有的30年以上
29# wyf86 说:2014-07-19 22:20
IGBT的寿命一般多长?
28# EEPW521 说:2014-06-20 07:06
回答27# eepwlover:
是的,设计的时候多注意。
27# eepwlover 说:2014-06-19 22:23
变频器工作时,IGBT的开关动作会产生高频干扰信号?
26# EEPW521 说:2014-06-18 22:10
回答25# eepwlover:
新能源汽车
25# eepwlover 说:2014-06-17 21:37
大功率IGBT的主要驱动力是什么?
24# 活词典 说:2014-05-19 21:39
当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
23# EEPW网友 说:2014-04-21 16:08
基于icepak的igbt温度场仿真应该采用哪种igbt?
22# wyf86 说:2014-04-15 22:43
回答21# soothmusic:
通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通
21# soothmusic 说:2014-04-14 22:36
IGBT的开关作用是什么
20# EEPW网友 说:2014-04-13 00:15
很希望有IGBT的工艺流程
19# EEPW网友 说:2014-03-13 14:42
跪求适合传热分析的简单的IGBT的模型?
18# wyf86 说:2014-03-12 20:10
IGBT在关闭期间仍承受着高电压,且带有残余电流,滋生不小的开关损耗。
17# EEPW网友 说:2014-03-04 13:39
基于有缘栅极控制的IGBT,其实IGBT就是栅极控制吧?没什么特别含义吧?
16# wyf86 说:2014-02-17 21:48
回答15# soothmusic:
输出漏极电流Id与栅源电压Ugs 的关系曲线
15# EEPW网友 说:2014-02-16 21:42
什么是IGBT的转移特性?
14# 云端 说:2014-01-16 21:42
回答13# wyf86:
电流过大是一个原因
13# wyf86 说:2014-01-15 22:12
IGBT失效的原因是什么?
12# wyf86 说:2013-11-07 21:16
回答11# soothmusic:
可使用MOSFET驱动技术进行触发
11# soothmusic 说:2013-11-06 21:54
IGBT栅极/发射极阻抗大,应该怎么触发?
10# 活词典 说:2013-10-05 22:31
回答9# 云端:
也就是IGBT的开关特性,等效电路为达林顿结构。
9# 云端 说:2013-10-04 21:13
IGBT漏源电压与漏极电流的关系是怎样的?
8# soothmusic 说:2013-09-30 21:54
回答7# eepwlover:
简单来说,就是栅源电压Ugs与输出漏极电流Id 的关系曲线。
7# eepwlover 说:2013-09-29 22:34
IGBT的转移特性是什么?
6# 活词典 说:2013-09-28 22:21
回答5# 云端:
Ugs 越高, Id 越大。
5# 云端 说:2013-09-27 23:36
选型IGBT,可以参考伏安特性曲线,Ugs与Id的关系是什么样的?
4# soothmusic 说:2013-09-25 22:06
回答3# eepwlover:
它们都有高输入阻抗特性。
3# eepwlover 说:2013-09-24 21:59
IGBT的输入阻抗特性,与MOSFET一样吗?
2# liyidong 说:2013-09-23 13:01
IGBT的饱和压降低,适合应用在高压大电流的场合,但是其工作频率比MOSFET低。
1# 云端 说:2013-09-22 21:35
大功率开关电源中,使用IGBT作为开关管,比MOSFET好在哪里?
EEPW521回答:2013-09-23
IGBT的饱和压低,且驱动功率小。MOSFET载流密度小些,导通压降较大,开关速度要快,驱动功率却很小。