力晶第4季DRAM产出大跃进　季增率挑战30~40%

　　台系DRAM厂为抓准DRAM价格复苏的时间点，开始大量增加投片量，其中力晶增产的幅度将居冠，传出第4季位元成长率将较第3季明显大增 30~40%，力晶11月出货量大幅成长，也将反映在11月营收上，出现大幅度成长;再者，除了DDR2芯片外，力晶也开始增加DDR3芯片产出，台厂正缓慢步入DDR2和DDR3交接期。

　　台厂2008年底开始进入长达3季的减产，随著DRAM价格在奇梦达(Qimonda)退出市场后，由供过于求逐渐走向供给平衡，因此缓步开始增产，尤其在营运开始产生现金流入后，增产的速度加快，现在力晶是全产能投片，而华亚科目前单月产能为10 万片，距离12寸晶圆厂满载产能13万片还有一段差距，主要是保留产能作为制程转换之故。

　　南亚科近几个月投片量递减，全力专注转制程到68奈米和50奈米制程，因此产能不如预期大幅增加，保留实力到2010年。而这一波存储器景气复苏，力晶的12寸晶圆厂的增产幅度则最大，居所有台厂之冠，由于短期内力晶也不会转进50奈米制程，因此致力于加速增产。

　　日前市场传出，力晶在12寸晶圆厂的产能全开下，第4季位元成长率将高达30~40%，11月营收也将反映产能增加而大幅度跃升，发言人谭仲民则表示，的确逐月在回复投片量当中，但实际第4季位元成长率，目前无法公布，而目前旗下12寸晶圆厂视满载投片的状况。

　　再者，力晶除了增加DDR2芯片投片量之外，也开始转投部分产能到DDR3芯片上，缓步进入新旧产品世代交替。整体来看，目前台厂的主力产品仍是DDR2芯片，部分产能开始转投DDR3芯片，而国际大厂DDR3芯片产能比重相对较高，早一步走入世代交替期。