近期，三星与SK海力士公布2025年经营报告，两大存储芯片巨头在2025年持续加大对华投资，积极扩产以满足全球存储芯片需求。

三星电子2025年对位于中国西安的NAND闪存生产基地投资4654亿韩元，较2024年同比增长67.5%。投资主要用于工艺升级，将西安工厂的NAND闪存产线从128层（第六代）升级至236层（第八代），并计划2026年实现280层（第九代）量产，以满足AI服务器、数据中心等对高容量、高可靠性存储芯片的需求。今年3月30日，三星位于中国西安的NAND晶圆厂完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND正式实现量产。

SK海力士2025年向江苏无锡DRAM晶圆厂投资5811亿韩元（同比增长102%），向辽宁大连NAND闪存工厂投资4406亿韩元（同比增长52%），合计超1万亿韩元。 投资用途方面，无锡工厂重点升级DRAM工艺节点，从1Z升级至1A，支持DDR5、LPDDR5X等高附加值产品量产；大连工厂聚焦NAND闪存产能扩张和技术升级，推进321层第九代NAND产线转换。 无锡工厂贡献SK海力士全球30%以上的DRAM产能，大连工厂是其重要的NAND闪存生产基地，占全球NAND产能的40%-45%。

全球AI算力爆发导致存储芯片需求激增，三星和SK海力士通过加大在华投资，旨在提升产能、优化工艺，以快速响应市场需求，巩固其在全球存储芯片市场的领先地位。

业界认为，这不仅是简单的产能扩张，更是一场围绕先进制程主导权的战略竞赛。NAND闪存正加速冲刺200层以上时代，DRAM则持续瞄准1a纳米工艺。另外，中国作为全球最大的半导体消费市场和电子信息制造基地，拥有完善的产业链配套和成熟的营商环境，是韩国存储芯片企业全球布局的关键环节。但需要注意的是，尽管投资增加，但国际形势变化可能影响韩国企业从中国工厂获取先进设备和技术，未来投资节奏可能受政策因素影响。