美光新晶圆厂破土动工 十年投资240亿美元

当地时间周一，美光科技宣布，位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约240亿美元，预计2028年下半年投产。这笔投资将创造约1600个就业岗位。

该工厂将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，建成后将提供约70万平方英尺的无尘室空间。

此次投资聚焦NAND闪存领域，将有助于美光满足人工智能（AI）驱动的对NAND闪存不断增长的市场需求。

这项新投资，预计也将巩固新加坡在先进NAND闪存制造领域的领导地位。NAND闪存是一种断电后数据仍可保存、广泛用于固态硬盘、U盘和手机存储里的非易失性存储芯片。

美光在新加坡已经拥有规模庞大的制造设施，其98%的闪存芯片都在那里生产。该公司还在新加坡投资建设了一座价值70亿美元的先进封装工厂，用于生产人工智能芯片所需的高带宽内存（HBM），该工厂预计将于2027年开始投产。