韩国先驱报报导，电动车需要使用大量芯片，总计超过2,000个，远高于传统内燃机引擎汽车的200~300个。其中功率芯片是重中之重，功用是减少电池的电力供给损失、并分配电动车用电。传统的功率芯片由硅制成，不过特斯拉(Tesla)慧眼独具，2017年开始在Model 3系列改用SiC功率芯片，促使效能显着提升。
Shinhan Investment分析师Ko Yeong-min表示，特斯拉首开先例，在电动车逆变器(inverter)内使用SiC功率芯片，这让特斯拉逆变器的效能提升10倍、体积缩小43%、重量也比传统逆变器减少6公斤。现代汽车(Hyundai Motor)、比亚迪(BYD)、丰田(Toyota)都仿效特斯拉，开始使用SiC功率芯片。
和传统的硅基功率芯片相比，SiC功率芯片能承受10倍的电压，这表示SiC功率芯片只要1/10的厚度，表现就可追平硅基芯片。而且SiC功率芯片能承受摄氏600度的高温，无须另装冷却系统。除此之外，SiC功率芯片的用电量较少，能延长电动车续航力，有望颠覆电动车市。
Shinhan Investment估计，车用SiC市场规模，将从2021年的2兆韩元、2025年增至17兆韩元(143亿美元)。Hyundai Motor Securities分析师Roh Geun-chang预测：「SiC芯片将是2022年的大趋势」。
取代硅的次代半导体！日挺GaN 料10年内问世
数十年来，硅一直是半导体科技的基石，但是许多专家认为硅的发展来到极限，氮化镓(gallium trioxide、简称GaN)有望取而代之。日本政府砸钱相挺，相信以GaN为基础的半导体，将在2020年代后期上市。
韩媒etnews 2020年9月报导，自驾车和电动车蓬勃发展，能在极端环境下控制电流的功率半导体备受瞩目。GaN和碳化硅 (silicon carbide、简称SiC)是少数符合此种条件的半导体材料。其中以GaN为基础的功率半导体最受注意，被视为「次世代的功率半导体」。
有鉴于此，日本经产省准备资助日企和大学，发展耗电量更低的次世代半导体，预计2021年拨款2,030万美元，未来五年共计斥资8,560万美元。日方补助锁定研发GaN材料的企业，GaN半导体能降低耗电。
来源：内容来自MoneyDJ

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