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台积电3纳米FinFET 三星2纳米恐难敌

市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台...

台积电 3纳米 2025-06-25

Finwave筹集820万美元短期投资以推动市场发展

美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Pa...

Finwave 短期投资 2025-05-15

“最后也是最好的FINFET节点”

在该公司的北美技术研讨会上，台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼联合首席运营官 Kevin Zhang 称其为“最后也是最好的 finfet 节点”。台积电的策略是开发 N3 工艺的多种变体，创建一个全面的、可定制...

FINFET TSMC 2025-04-27

台积电2nm马上量产：工厂火力全开苹果首发

3月31日消息，据媒体报道，位于新竹和高雄的两大台积电工厂将是2nm工艺制程的主要生产基地，预计今年下半年正式进入全面量产阶段。在前期试产中，台积电已经做到了高达60%的良率表现，待两大工厂同步投产之后，月产能将攀升至5...

台积电 2nm 2025-04-01

英特尔最新的FinFET是其代工计划的关键

在上周的VLSI研讨会上，英特尔详细介绍了制造工艺，该工艺将成为其高性能数据中心客户代工服务的基础。在相同的功耗下，英特尔 3 工艺比之前的工艺英特尔 4 性能提升了 18%。在该公司的路线图上，英特尔 3 是最后一款使...

英特尔 FinFET 2024-06-26

Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片

这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同...

Dolphin Design 12纳米 2024-02-22

晶体管进入纳米片时代

3D 芯片堆叠对于补充晶体管的发展路线图至关重要。...

FinFET 2024-02-05

新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程

摘要：● 全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造，提供开放、高效的射频设计解决方案。● 业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。● 集成的设计流程提升了开发者的生产率，提高了仿真...

新思科技是德科技 2023-10-30

是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程

● 新参考流程采用台积电 N4PRF 制程，提供了开放、高效的射频设计解决方案● 强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率● 综合流程可提高设计效率，实现更准确的仿真，从而更快将产品推向市...

是德科技新思科技 2023-10-11

3D 晶体管的转变

迷人的技术革命。...

晶体管 3D 晶体管 2023-07-17

IMEC发布1nm以下制程蓝图：FinFET将于3nm到达尽头

近日，比利时微电子研究中心(IMEC)发表1纳米以下制程蓝图，分享对应晶体管架构研究和开发计划。外媒报导，IMEC制程蓝图显示，FinFET晶体管将于3纳米到达尽头，然后过渡到Gate All Around(GAA)技术...

IMEC 1nm 2023-05-31

恩智浦携手台积电推出首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM

● 恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈● ...

恩智浦台积电 2023-05-22

ST和GlobalFoundries在法国Crolles附近的新工厂联合推进FD-SOI

意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录，将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点，包...

FD-SOI GAAFET 2022-08-19

Intel 4制程技术细节曝光具备高效能运算先进FinFET

英特尔近期于美国檀香山举行的年度VLSI国际研讨会，公布Intel 4制程的技术细节。相较于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能组件库（library cell）的密度则是2倍，同时达成两...

Intel 4 制程技术 2022-07-05

5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。泛林集团在与比利时微电子研究中心 (ime...

泛林 5nm 2022-05-05

为技术找到核心多元化半导体持续创新

观察2021年主导半导体产业的新技术趋势，可以从新的半导体技术来着眼。基本上半导体技术可以分为三大类，第一类是独立电子、计算机和通讯技术，基础技术是CMOS FinFET。在今天，最先进的是5奈米生产制程，其中有些是Fi...

CMOS FinFET ST 2021-08-10

中芯国际FinFET工艺已量产产能1.5万片

中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户不断进来。在最近的财报电话会上，中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示“我们的FinFET工艺已经达...

中芯国际 FinFET 2021-08-08

揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构

GAA FET将取代FinFET，但过渡的过程将是困难且昂贵的。...

3nm FinFET GAA FET 2021-05-26

新思科技与GF合作为12LP+FinFET解决方案开发DesignWare IP产品组合

要点：用于GF 12LP+解决方案的DesignWare IP核产品组合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR...

新思科技 12LP+FinFET 2020-10-22

格罗方德12LP+ FinFET解决方案针对AI进行优化

半导体代工厂格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先进的FinFET解决方案「12LP+」已通过技术验证，目前准备投入生产。格罗方德的差异化「12LP+」解决方案主要针对AI训练以及推论应用进行优化。本...

格罗方德 12LP+ 2020-07-05

微缩实力惊人台积3纳米续沿用FinFET晶体管制程

由于世界前两大的半导体厂都相继宣布投入GAA的怀抱，因此更让人笃定，也许3纳米将会是GAA的时代了，因为至3纳米制程，FinFET晶体管就可能面临瓶颈，必须被迫进入下个世代。 ...

微缩台积电 2020-06-04

燧原科技推出搭载基于格芯12LP平台的“邃思”芯片的人工智能训练解决方案云燧T10

在燧原科技（燧原）发布云燧T10之际，燧原与格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出针对数据中心培训的高性能深度学习加速卡解决方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP®FinFET平台及2.5D 封装...

FinFET 2.5D 2019-12-13

新思科技和台积合作在其5纳米 FinFET 强化版N5P制程技术上开发DesignWare IP核产品组合

台积公司5奈米 FinFET 强化版（N5P）制程技术上开发的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDM...

新思台积合 2019-11-12

格芯针对人工智慧应用推出12LP+ FinFET解决方案

晶圆代工大厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器（HBM2E）运用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解决方案，以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决...

格芯人工智慧应用 2019-11-07

Mentor 扩展解决方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工艺技术

　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE™ (AFS™) Platform 获得 TSMC 的 7nm...

Mentor FinFET 2018-11-15

格芯扩展FinFET产品新特性为全面实现未来智能系统

　　格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。2018年9月25日，格芯在其年度全球技术大会(GTC)上，继在300mm平台上面向下一代移动应用推出8SW ...

格芯 FinFET 2018-09-28

GF宣布将在既有14/12纳米FinFET制程节点基础上，向外扩展应用领域

　　自从28纳米制程节点向下转进以来，就剩下四大晶圆代工厂商持续巩固先进制程：台积电、三星电子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特尔(Intel)。但在这四大厂商转进1...

GF FinFET 2018-09-05

格芯终止7nm FinFET工艺研发，接下来要发大招？

和其他晶圆厂一样，格芯正在迎来各种各样的挑战。...

格芯 7nm 2018-08-29

FinFET对动态功耗的影响

现在主要的代工厂都在生产FinFET晶体管，这些FinFET以创纪录的速度实现了从设计到现货产品的转变。FinFET的发展普及一直都比较稳定，因为与平面器件相...

FinFET 动态功耗 2018-08-23

中芯国际14纳米FinFET制程开始客户导入，Q2营收同比增长18.6%

　　9日中芯国际集成电路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的综合经营业绩。中芯国际第二季度销售额为8.907亿美元，与上一季度环比增长7.2%，与去年同比增长18.6%。欣喜的是，14纳米FinFET制程...

中芯国际 14纳米 2018-08-10

利用FinFET优势的六种方式

为了能够充分发挥好工艺制程的功耗，性能和面积(PPA)上的优势，必须要求我们的设计人员将有相关工艺知识的设计战略和优化的IP相结合，其中包括了标准...

FinFET synopsys 2018-08-02

FinFET布局和布线要经受的重大考验

随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分...

FinFET 布线 2018-07-30

三星侵犯大学专利，赔偿金或高达4亿美元

　　近日，德克萨斯州联邦陪审团作出一项裁决：三星电子因侵犯韩国技术学院一项专利技术，需向后者支付赔偿金或将高达4亿美元。　　据了解，韩国技术学院曾向法院提起诉讼，指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺...

三星 FinFET 2018-06-20

掌控芯片制造的“火候”，看懂小处用心的美好

小小的芯片，看似简单，却充满了科技之道。只有真的懂得制造工艺与应用原理，了解每一颗芯片生产背后的艰辛，才能看懂制造商从小处用心的美好。...

芯片 FinFET 2018-06-06

胡正明：技术创新可能让半导体晶体管密度再增加1000倍

　　“半导体市场正在经历由技术推动到需求推动的转变。而半导体技术上的创新，可能让半导体晶体管密度再增加1000倍，仍有巨大空间。”近日，美国加州大学伯克利分校教授、国际微电子学家胡正明在接受集微网采访时表示。　　自196...

FinFET 7纳米 2018-05-21

7nm或将引爆2018年手机市场，国产手机岌岌可危

在2018年，如果苹果新一代产品应用7nm制程工艺的消息被确认，那么对于其竞争对手，或将成为一场腥风血雨;而对于整个产业来说，或将成为转折点;对于我们消费者来说，当然是件好事情。...

7nm FinFET 2018-01-10

格芯技术大会携最新技术突出中国市场重要地位

近日，格芯2017技术大会（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海举行，格芯盛邀数百位半导体行业领导者、客户、研究专家与核心媒体齐聚一堂，并精心为与会者准备了公司的核心...

GTC FDSOI 2017-11-09

详解先进的半导体工艺之FinFET

详解先进的半导体工艺之FinFET-FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。...

FinFET 半导体工艺 2017-10-13

三星推11纳米FinFET，宣布7nm将全面导入EUV

　　随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后，10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。台积电的对手三星 29 日也宣布，将开始导入 11 奈米的 FinFET，预计在 201...

三星 FinFET 2017-10-07

FD SOI生态持续完善，与FinFET分庭抗礼局势形成

　　FD SOI技术在物联网蓬勃发展的大环境下，以其低功耗、集成射频和存储、高性能等优势获得业界各方重视;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等为代表的企业的推动下，该产业链正逐步得到完善。此外，在中国...

FinFET 物联网 2017-09-28