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FDSOI

　　FDSOI技术即全耗尽型SOI技术，有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI，具有非常强的竞争力，适合20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。　　FD-SOI是下一代晶体管结构的热门技术之一。目前制造晶体管的主流技术是采用体硅技术制作的32/28nm制程平面型晶体管。　　AMD，IBM以及其它部分厂商目前则在使用基于部分耗尽型SOI技术的平面型晶体管制造自己的处理器产品。查看更多>>

  • FDSOI资讯

苹果iPhone 17 5G毫米波天线模块采用法国 Soitec FDSOI硅衬底技术

苹果 iPhone 17 2026-03-03

格芯技术大会携最新技术突出中国市场重要地位

GTC FDSOI 2017-11-09

局部应变技术可望提高FDSOI性能

FDSOI 2015-12-18

法机构将于明年9月启动基于20nm FDSOI的300mm多项目晶片研究计划

FDSOI 20nm 2010-10-03
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