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SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜,SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点:可以实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。 通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽FD(Fully Depleted)结构和厚膜部分耗尽PD(Partially Depleted)结构。由于SOI的介质隔离,制作在厚膜SOI结构上的器件正、背界面的耗尽层之间不互相影响,在它们中间存在一中性体区,这一中性体区的存在使得硅体处于电学浮空状态,产生了两个明显的寄生效应,一个是"翘曲效应"即Kink 效应,另一个是器件源漏之间形成的基极开路NPN寄生晶体管效应。

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STM32V8如何利用FD-SOI和相变存储器

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田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真

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Soitec RF-SOI 2020-07-19

格芯与环球晶圆签署合作备忘录,未来将长期供应12英寸SOI晶圆

硅晶圆 SOI 2020-02-28

硬核技术创新加持,华虹宏力“8+12”特色工艺平台为智能时代添飞翼

RF-SOI BCD 2019-12-16

Soitec发布2020上半财年报告,同比增长30%,达成全财年财测预期

SOI 材料 2019-12-09

格芯为互联系统的22FDX平台带来新级别的安全性和保护

FD-SOI 安全 2019-10-14

设计瞄准5G汽车物联网,工艺何不就选FD-SOI

FD-SOI 芯原微电子 2019-09-22

SOI 产业联盟上海论坛期间颁奖,村田、中芯领导人获奖

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格芯宣布与Soitec达成多个SOI晶圆供货协议

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格芯 FD-SOI 2019-02-22

意法半导体开始提供汽车微控制器嵌入式PCM样片

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Soitec参加SOI高峰论坛,探讨SOI技术在中国发展

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中科院院士王曦带领团队制备国际一流的SOI晶圆片

SOI 2018-03-27

格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术

格芯 RF-SOI 2017-09-29

格芯CEO:FD-SOI是中国需要的技术

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格芯宣布推出基于行业领先的22FDX® FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

格芯 FD-SOI 2017-09-25

大容量的全新市场正在推动半导体商机的涌现

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胡正明续写摩尔传奇 FinFET/FD-SOI厂商如何押宝?

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