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法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1d...

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

近期独立拆机分析与技术检测证实，苹果最新 iPhone 17 系列搭载的 5G 毫米波天线模块，采用了法国 Soitec 公司先进的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）衬底技术。这一发现标志着旗舰智能手机的高频射频集成架构迎...

苹果 iPhone 17 2026-03-03

关键FD-SOI 技术可针对激光故障注入（LFI）提供强大的防御，这是一种可能危及加密和安全关键型硬件的精确方法。LFI 是在受控条件下探测硅漏洞的黄金标准，随着金属层的厚度越来越大，背面访问的使用越来越多，这使得基...

FD-SOI 汽车电子 2025-10-26

混合动力汽车 (HEV) 和全电动汽车 (EV) 设计如今广受关注，一个重要的技术趋势正悄然影响着汽车行业——汽车动力系统中的 48V 直流 (DC) 总线系统。48V 系统不仅适用于全电动汽车和混合动力汽车，它还适用于...

Power-SOI Soitec 2023-08-30

· 双方同意对Soitec技术进行产前验证，以面向未来的8寸碳化硅衬底制造· ...

意法半导体 Soitec 2022-12-08

CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半导体宣布一项新合作协议，四家公司计划联合制定产业之下一代FD-SOI技术发展规划。半导体组件和FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有策略价值。...

CEA Soitec 2022-04-26

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