MOS-FET技术资讯-电子产品世界网

瑞萨电子通过下一代功率FET将GaN推向千瓦级

几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓（GaN）功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、...

瑞萨电子功率 2025-08-06

基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项

鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器...

德州仪器 GaN FET 2025-07-12

瑞萨电子推出用于AI数据中心、工业及电源系统的全新GaN FET

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和...

瑞萨电子 AI数据中心 2025-07-08

瑞萨推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型...

瑞萨 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高电压的卫星电源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总...

GaN FET 卫星电源 2025-07-01

探索TI GaN FET在类人机器人中的应用

类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大...

TI GaN 2025-06-15

GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限...

GaN FET 人形机器人 2025-04-29

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。...

cascode FET 2025-03-26

Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业...

Nexperia GaN FET 2025-03-19

PMOS缓启电路

本文来源于一个实际项目，需要由一个PMOS作为开关来控制电源的导通。但对实际参数进行测量时，发现PMOS导通时间太短，使得后级电路的dV/dt太大，造成一些不好的影响，因此本文对如何延缓PMOS启动速度进行简单学习与概述...

PMOS电路开关电路 2024-12-27

缓冲反激式转换器

本期，我们将聚焦于缓冲反激式转换器，探讨如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压为大家提供全新的解决思路！上一期，我们介绍了如何在正向转换器导通时缓冲输出整流器的电压。现在，我们看一下如何在反激式转换器中缓冲 FET ...

FET 反激式转换器 2024-12-10

用Python自动化双脉冲测试

电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动...

202411 宽禁带 2024-10-18

内置MOS全集成三相直流无刷电机BLDC驱动芯片方案

引言全球高速无刷电机行业正在经历持续的增长和发展。根据市场调研，亚洲市场占据了全球高速无刷电机行业的首位，市场规模占比达47%，并且预计未来增长将主要集中在亚洲地区。特别是在我国，无刷电机技术已逐渐成熟，电机和驱动器的价...

MOS 三相直流无刷电机 2024-08-13

碳化硅模块在太阳能逆变器中的应用

碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应...

202407 太阳能 2024-07-15

一文了解SiC MOS的应用

作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOS...

SiC MOS 2024-06-19

从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。

MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型...

模拟电路 MOS 2024-04-29

GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考...

GaN FET D类音频放大器 2024-04-10

测试共源共栅氮化镓 FET

Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战　　Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路...

氮化镓 FET 2024-04-09

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上...

EPC 1mΩ 2024-03-05

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合...

自主驾驶 LiDAR 2024-02-27

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

中国北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 ...

Qorvo SiC FET 2024-01-30

彻底弄清MOS管（NMOS为例

来自专栏芯片基础课说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准符号衬底的箭头指向哪里，简化符号栅极有没有小圆圈，衬底该接高接低，栅极...

模拟电路 MOS 2024-01-30

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管，实现75~231A脉冲电流

宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181...

EPC GaN FET 激光二极管 2024-01-18

MOS 管的死区损耗计算

MOS 管在逆变电路，开光电源电路中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图Figure 1中的同步Buck 变换器，High-side MOSFET　为上管， Low-side MOSFET为下管．如果上管和下管同...

MOS 管逆变电路 2024-01-11

超高压MOS在变频器上的应用

一、变频器的定义及应用领域变频器的定义变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流（交流变直流）、滤波、逆变（直流变交流）、制动单元、驱动单元...

RS瑞森半导体 MOS 2024-01-03

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年...

Nexperia SMD 2023-12-11

FET 生物传感器的直流I-V 特性研究

由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以...

泰克科技 FET 2023-11-21

高压MOS/低压MOS在单相离线式不间断电源上的应用

单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS，市电直接供电给用电设备再为电池充电，一旦市电供电品质不稳或停电时，市电的回路会自动切断，电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务，直到市电恢复正常。UPS只有在市电停电了才会介...

MOS 2023-11-14

EPC新推100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器,用于电动自行车、机器人和无人机

基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率（比功率）增加了一倍以上。该逆变器非常微型，可集成到电机外壳中，从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。&nbs...

EPC GaN FET 2023-11-08

更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破

最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”，这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂，这些设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管（F...

半导体芯片 FE-FET 2023-07-17

耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品

功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=...

MOSFET MOS 2023-07-04

如何在电源上选择MOS管

在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅...

MOS 2023-06-25

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解...

Transphorm SuperGaN FET 2023-06-16

使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率

碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文，了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章...

Qorvo 开尔文 2023-05-31

功率放大器电路中的三极管和MOS管，究竟有什么区别？

学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？学习模拟电子...

功率放大器 MOS 2023-05-24

短沟道 MOS 晶体管中的漏电流成分

MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种...

MOS 晶体管 2023-05-22

功率MOS管损坏的典型

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，...

MOS 2023-05-16

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计

基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱...

EPC GaN FET 2023-05-11

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级...

Nexperia E-mode GAN FET 2023-05-10

巧用MOS管的体二极管

用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才...

MOS 二极管 2023-05-04