GAA技术资讯-电子产品世界网

GAA晶体管市场规模、份额和趋势预测（2034）

全方位栅极（GAA）晶体管市场规模是多少？2024年全球栅极全环（GAA）晶体管市场规模为6.0005亿美元，预计将从2025年的6.771亿美元增加到2034年的约20.0825亿美元，2025年至2034年复合年...

GAA 晶体管 2025-09-30

台积电推1.4nm 技术：第2代GAA晶体管，全节点优势2028年推出

台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极（GA...

台积电 1.4nm 2025-04-24

日本半导体巨头Rapidus加速推进2nm工艺预计2027年实现量产

新兴半导体公司 Rapidus 计划在未来几年大幅扩大其 2nm 研发力度，因为它看到了科技巨头的巨大兴趣。Rapidus 的 2nm 工艺采用 BSPDN 和 GAA 技术，使其成为业内独一无二的实现。半导体供应链长期...

日本半导体 Rapidus 2025-04-08

拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000处理器3nm GAA工艺

三星最新推出的Galaxy Watch 7，继续重新定义可穿戴技术的极限。这款最新型号承袭了其前身产品的成功之处，同时在性能、健康追踪和用户体验方面实现了重大突破。TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了...

三星 Galaxy Watch 7 2024-07-19

拜登政府恐对中国大陆封锁最强GAA技术

美中贸易战冲突未歇，传出美国将再次出手打击大陆半导体产业，针对最新的环绕闸极场效晶体管（GAA）技术祭出限制措施，限制其获取人工智能（AI）芯片技术的能力，换言之，美国将防堵大陆取得先进芯片，扩大受管制的范围。美国财经...

GAA 台积电 2024-06-13

三星Exynos 2500芯片试产失败：3nm GAA工艺仍存缺陷

最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯...

三星 Exynos 2024-02-07

消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败，Exynos 2500 芯片被打上问号

2 月 2 日消息，根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 ...

三星 3nm GAA 2024-02-02

台积电2nm制程进展顺利晶圆厂最快4月进机

台积电在3nm制程工艺于2022年四季度开始量产之后，研发和量产的重点随之转向下一代2nm制程工艺，计划在2025年实现量产。这意味着工厂及相关的设备要做好准备，以确保按计划顺利量产。台积电进入GAA时代的2nm制程进展...

台积电 2nm 2024-01-18

台积电2纳米惊爆大弱点？三星抢订单

台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵三星与英特尔来势汹汹，但台积电在技术与订单仍保持一定优势，尤其三星至今在3纳米方面，依然无法取得顶尖客户的信任，三星高层也坦言，一旦台积电在2纳米转进GAA技术，三星还是得向台积电看齐学...

台积电 2纳米 2023-12-18

日立高新技术公司部宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统

日立高新技术公司宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统。GT2000利用日立高新技术在CD-SEM*1方面的技术和专业知识，在那里占有最大的市场份额。GT2000配备了用于尖端3D半导体器件的新型检测系统。它还利用低...

日立高新测试测量 2023-12-13

GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术

外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管（GAA）的下一代先进制程。CFET场效晶体管将...

GAA CFET 2023-10-07

三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展

三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。3纳米GAA MBCFET的优越性GAA指的是晶体...

三星 GAA 2023-06-27

三星电子：目标到 2027 年将芯片代工厂产能提高三倍以上

IT之家 10 月 21 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛。该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示...

三星 GAA 技术 2022-10-21

三星公布3纳米GAA架构制程技术芯片开始生产

2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。较三星5纳米（nm）而言，优化的3...

三星 3纳米 2022-06-30

揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构

GAA FET将取代FinFET，但过渡的过程将是困难且昂贵的。...

3nm FinFET GAA FET 2021-05-26

台积电2nm制程研发取得突破将切入GAA技术

据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。台积电台媒称，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年...

台积电 2nm 2020-07-13

看看国外厂商正在发力研究的这些新技术

　　每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(Inter...

DRAM GAA-FET 2018-12-25

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