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SiC SBD资讯

英飞凌加入 NVIDIA MGX™ AI Factory 生态系统，携手推动下一代 AI 服务器机架供电架构

全球功率系统与物联网半导体龙头企业英飞凌科技股份公司（德交所代码：IFX / 场外交易代码：IFNNY）正式宣布加入英伟达（NVIDIA）MGX AI工厂生态体系，助力下一代AI数据中心完成供电架构迭代升级。英飞凌全套电...

英飞凌英伟达MGX 2026-06-01

东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即...

数字隔离器东芝 2026-05-28

让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态...

隔离半桥驱动芯片 NSI6602Ux 2026-05-28

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时...

东芝 1200V 2026-05-22

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向...

罗姆 SiC 2026-05-22

SiC叙事主线迎来新篇章 10KV只是新战场起点

过去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT，提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能...

SiC 10KV 2026-05-19

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07-25 11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

Ewyas|浏览：2118|回复：3| Ewyas 2025-08-07 13:58:53

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Ewyas|浏览：3820|回复：4| Ewyas 2025-08-07 13:59:06

07-07 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析

Ewyas|浏览：1142|回复：1| Ewyas 2025-07-24 08:59:12

04-15 麦科信MOIP光隔离探头解决碳化硅（SiC）项目问题

seving|浏览：1358|回复：0| seving 2025-04-15 14:47:21

06-18 六月盲盒，第四关：认识大功率、高性能汽车类SiC牵引逆变器

咔嚓猫爱刺鱼|浏览：14257|回复：94| lihaiyan 2023-06-29 12:25:55

02-09 了解SiC器件的命名规则

睡梦中的雄师|浏览：1118|回复：0| 睡梦中的雄师 2023-02-09 09:37:03

10-24 SiC器件之外延层基础知识

睡梦中的雄师|浏览：2180|回复：2| bwcx957 2022-10-24 07:37:21

07-21 一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的导通电阻差异特性

睡梦中的雄师|浏览：2328|回复：0| 睡梦中的雄师 2022-07-21 20:25:17

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