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SI资讯

复旦大学在Si CMOS+GaN单片异质集成的探索

异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技...

复旦大学 Si CMOS 2025-02-18

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC适配器 2023-07-19

深挖 GaN 潜力，中国企业别掉队

氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力...

GaN-on-Si 氮化镓 2023-04-28

贸泽电子与Fortebit签署全球分销协议

专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布与 Fortebit 签署全球分销协议。该公司设...

SD SV 2020-05-27

智•远 | IA架构何以引领视频会议迈向智能时代

知IN，英特尔的自媒体微信账号。分享英特尔新闻、产品技术和内幕故事；交流行业热点话题；体味科技与人文的温度...

SI IA 2020-03-03

a-Si/GZO/LTPS三种技术对比

随着显示产业的不断发展，人们对于显示成像技术的要求不断提高，这也促使着技术的不断发展，TFT-LCD这种低成本、高解析度、高亮度、宽视角以及低功耗...

a-Si GZO 2018-07-30

SI专栏

中国的碳化硅，密谋逆袭！

中国在晶圆生产和器件制造方面要赶上西方碳化硅供应商还有多久？来源：SICC在蓬勃发展的电动汽车需求和半导体自给自足的长期目标的推动下，中国致力于发展基于碳化硅 (SiC) 的电力电子产品。中国超越西方碳化硅供应商的计划是...

SI 2022-12-11

SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别

来源：techclass.rohm功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势...

Si-MOSFET 2022-07-17

SI资料

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水方|浏览：1373|回复：6| ming4129 2022-03-20 21:27:37

12-16 所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别

kutta|浏览：1118|回复：2| 水方 2021-12-16 19:50:21

12-14 所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较

拜月|浏览：1058|回复：1| 卢风 2021-12-14 23:39:53

12-14 所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较

拜月|浏览：1119|回复：2| 卢风 2021-12-14 23:39:48

09-10 不加端接电阻的快乐，你们绝对想象不到！

一博科技|浏览：1683|回复：3| basketj 2020-09-14 11:36:29

04-10 分享如何利用 SI 進行走線等長的Constraint設定资料

angelazhang|浏览：2324|回复：2| 完美胜丰 2017-05-05 23:48:11

06-12 PCB SI介绍

dolphin|浏览：1349|回复：0| dolphin 2014-06-12 10:31:46

05-27 RF优势芯片大全

lyf20140402|浏览：5791|回复：7| lyf20140402 2015-05-25 10:52:17

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