根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。 据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512
Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。 据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB /
s。据报道，该芯片还采用了CuA(阵列电路)，这是一
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东芝 西数 NAND
事实上中国巨额的投入也间接促进了韩、美两国大厂资本开支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的资本开支就达到200亿美金，因此，我国厂商的数字分摊到每年，还难以和龙头厂商相比。虽然在量产初期，如此巨大的资本开支也会给中国企业带来不小的折旧压力，下行周期中技术、管理略逊的中国企业可能必须经历几年内亏损，但若想实现存储器的国产替代，这种投入十分必要。
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NAND 存储器
据businesskorea报道，中国计划在未来六年内将在美国的半导体采购增加到2000亿美元(约合225.9万亿韩元)，大约是目前水平的五倍。 然而，许多专家表示，美国急于遏制中国的半导体野心，不太可能接受中国的提议，因为它将增加对中国的半导体依赖。 韩国企业对该计划持谨慎态度，主要有两个原因。 首先，中国没有提及将购买哪一种半导体。一家韩国半导体公司的高级官员表示:“中国没有说明将进口何种半导体芯片，无论是内存、中央处理器(CPU)还是系统半导体芯片。在这种情况下，很难预测对韩国企业的影响。
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NAND DRAM
ICInsights最新报告显示，大陆的集成电路生产仍远低于政府的目标。报告指出，2018年大陆半导体市场为......
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半导体 晶圆 NAND
根据韩国媒体Business Korea报道，由于存储器产业从2018年年底迎来低迷，存储器产品价格下跌，各大存储器厂商先后宣布降低产量以来，虽然三星仍然稳坐半导体产业头把交椅，但是其盈利能力已经受到质疑。 无独有偶，SK海力士等厂商的日子也不好过。头部厂商的日子尚且如此，那还在奋斗中的中国存储器厂商又将面对怎样的未来呢?
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存储器，NAND
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND
Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。 DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。NAND
Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND
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NAND 东芝
存储器一直被看成是半导体行业的晴雨表，它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的存储器行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行，伴随着技术上的几许亮色，迈向了2019年。从热火朝天到凛冬将至 2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人。
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存储器 NAND
闪存是当今数据存储的重要介质之一，主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展，相比于NAND技术的快速演进，NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前，因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。不过，因为中国企业中天弘宇集成电路有限公司的潜心研究，NOR闪存的应用也许将重获新生。 “我们经过了近十年的研发积累，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新，也可以说是一个完全的颠覆。我们沿用了整个NOR的架构，但和英特尔最早发明的NOR完全不是一回事
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NOR NAND 存储器
半导体设备供应商的排名在2016-2017年间没有发生太大的变化，但是这种格局正在发生变化。不仅Lam
Research、ASML和东京电子的位次发生调转，排名第一的应用材料公司的宝座位置也岌岌可危。 自1990年以来，应用材料公司一直是半导体设备领域的市场领导者。在此之前的1989年，坐在铁王座位置上的还是日本的东京电子，该公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名则是第二。除了位次的变化，也许更重要的是，领头羊和第二名的差距正在迅速收窄。 2016年，应用材料公司的市场份额比Lam
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ASML NAND
2018年12月11日，以“智数据·创未来”为主题的2018中国存储与数据峰会在北京拉开帷幕。作为中国数据与存储行业顶级的交流平台，本次峰会汇集了全球近百位来自产业界、学术界的专家，就数据洪流时代下，企业如何实施数据战略、深挖数据价值，变数据资源为实现更广泛商业价值的数据资产等话题展开深入探讨。
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数据 存储 傲腾 QLC 3D NAND
全球DRAM市场上，三星一家独大，接着是SK
Hynix及美光，这三家的DRAM份额占到了全球95%左右，而华亚科被美光全资收购之后，Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了，虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。 1 DRAM连涨之后持续下跌 在DRAM内存涨价超过9个季度之后，内存芯片价格终于在10月份大跌了一次，DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%，预计2019年还会继续跌20%。 受此影响，全球第四大内存芯片厂商南亚科
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DRAM NAND
3D NAND的出现也是因为2D
NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。虽然先进的工艺带来了更大的容量，但是其可靠性和性能却在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就需要采取额外手段弥补这一问题，这必然会提高成本，以至于在达到某个最高点之后完全抵消掉制造工艺带来的优势。 3D NAND将思路从提高制造工艺转
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存储 NAND
垄断加剧供求失衡，导致价格上涨，垄断导致的暴利，是目前全球存储器行业面临的最大问题。
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存储器 NAND
前言：2018年Q3出货旺季，在存储器Bit出货量增加带动下，存储器原厂业绩抢眼。然而，存储器涨价优势不再，Q4财报恐难抵下滑之势。 存储器原厂Q3财报抢眼，但NAND价格大跌超60%，引原厂产能“紧急制动” 2018年以来，Flash原厂持续扩大64层3D TLC NAND供货，且以256Gb和512Gb供货为主，再加上美光和英特尔64层1Tb QLC NAND在市场应用，导致市场供过于求。即使在Q3出货旺季，NAND Flash价格也依然表现跌势。据中国闪存市场ChinaFlashMarket
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存储器 NAND
CINNOResearch对闪存供应商及其上下游供应链调查显示，在64层的3D-NAND良率更为成熟，需求端受到中美贸易战压缩的情况下，NANDFlash行业供过于求的情况持续加剧，各家厂商以更为积极的降价来刺激出货成长，也因此第三季度闪存平均销售单价普遍较第二季度下滑15-20%，而位元出货量则是在第二季度基期较低的关系，第三季成长幅度来到20-25%，整体第三季闪存产值达到172亿美元，季成长约为5%，值得注意的是，也是近三年来在第三季度旺季期间表现最差的一次(2016年第三季与2017年第三季的
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闪存 3D-NAND
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