到底为什么东芝半导体可以引起如此大的波澜?产品和技术有什么过人之处?鸿海为首的“不差钱”军团又希望从东芝半导体得到什么?小编给你一一说明。
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东芝 NAND
9月6日，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)在深圳华侨城洲际酒店圆满落幕。本次峰会除了齐聚国内外产业链重要企业嘉宾演讲，其中包括三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、江波龙、慧荣、硅格、大基金、汉德资本等业界知名企业领导。 当天吸引全球近700家企业参会，其中包括西部数据、SK海力士、长江存储、金士顿、华为、联想、中兴、百度、阿里巴巴等企业参会，涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、
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NAND 闪存
与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距，不仅表现在人材，技术等方面，可能更大的差距在于综合的国力，以及产业大环境的改善，所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。
01引言
近期华尔街日报撰文“中国的下一个目标夺下美国的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立场，歪曲事实。
此次中国半导体业的“奋力突围”，有两层意义：
一个是差距大，希望迅速的成长，至多是扩大芯片的自给率。
另一个是西方千方百计的阻碍中国半导体业的进步
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NAND DRAM
2017年三星电子(SamsungElectronics)同步启动DRAM、3DNAND及晶圆代工扩产计划，预计资本支出上看150亿~220亿美元，远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模，三星为确保新产能如期开出，近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约，狂扫全球硅晶圆产能，并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%，主要便是为支持三星产能需求做准备。
三星为因应DRAM和3DNAND市场强劲需求，加上在逻辑事业全力投入7纳米制程，企图与台积电一较长短，抢
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三星 NAND
8月28日，三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
波澜的背后
据2017年第二季度财报显示，三星电子营收额高达554.1亿美元，同比增长19%，并且，三星电子以销售额14亿美元的成绩拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
有业者分析称，三星第二季度如此强劲的主要原因是苹果等其他电子类产品生产需求旺盛，同时其
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三星 NAND
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨，2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈
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NAND 东芝
开年以来大陆半导体产业发展似乎进入沉潜期。首先是年初长江存储CEO杨士宁郑重发布新闻稿澄清，表示从未发表过32层3DNANDFlash今年量产的消息。接下来是中芯国际董事长周子学表达的大陆半导体产业发展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的时间，大陆才能发展出比较有市场竞争力的企业主体。再来是最近紫光集团表示，由于长江存储的存储器芯片工厂专案投资规模过大，目前尚处于建设初期，短期无法产生销售收入，时机不成熟，停止收购长江存储的股份。虽然似乎大陆整个半导体产业持续其发展动能，但
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摩尔定律 NAND
DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。
集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。
业界表示，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件，虽然单价远比DRAM
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NAND DRAM
在2017年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见各主要NAND Flash供应商持续推出更新式存储器芯片以期能主导竞争优势，几乎各主要供应商也都在谈论简化Flash储存系统内建软件的必要性，以减少应用在资料中心时出现的延迟问题，以及试图定义固态硬盘(SSD)全新尺寸标准，另值得注意的是，本届大会上甚至连主要硬盘(HD)制造商，都已几乎不在主题演说中提及硬盘相关技术资讯或发展趋势。
根据科技网站EE Times报导，在本届大会上，三星电子(Samsung Electr
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存储器 NAND
3D NAND比平面NAND更昂贵，但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，这是为什么呢?
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3D NAND 存储器
对大多数人来说，微芯片是一些长着小小的金属针，标着看似随机的字母或数字的字符串的黑盒子。但是对那些懂的人来说，有些芯片就像名人一样站在红毯上。有许多这样的集成电路直接或间接地为改变世界的产品赋能，从而得到荣耀，也有一些芯片对整个计算环境造成了长期的影响。也有一些，它们的雄心壮志失败后成为警世的故事。 为了纪念这些伟大的芯片，并讲述它们背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了这个“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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FPGA NAND
三星计划在明年推出容量达1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘。
三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。 该公司并表示，去年发表的Z-NAND产品也开始出样，据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP内存的低延迟能力。
三星的Tbit NAND可支持高达每秒1.2Gbits的数据速率，并在一个堆栈32颗裸晶的封装中支持高达4
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V-NAND NVMe
相较于2.5寸SATA，M.2的SSD有着非常明显的体积优势，如果总线走PCIe，速度上更是完爆。
在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
三星表示，今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品，即一整颗芯片封装16Tb Die，继续减小体积。
如此精巧之后，连传统M.2 2242(NGFF)的电路板型都用不到了，三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。
其
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三星 V-NAND
日刊工业新闻7日报导 ，为了提高3D架构的NAND型闪存(Flash Memory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、 2021年度启用，总投资额将达1兆日圆的规模。 东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房「第6厂房」。
该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」负责
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东芝 NAND
RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，random access memory(随机存取存储器)的缩写，下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。 SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做C
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DRAM NAND
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