IT之家 6 月 19 日消息，韩媒 ETNews 援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
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在本系列第六篇文章中，我们介绍了传统封装的组装流程。本文将是接下来的两篇文章中的第一集，重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装(WLP)。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺，包括：光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺、光刻胶去胶(PR Stripping)工艺和金属刻蚀(Metal Etching)工艺。封装完整晶圆晶圆级封装是指晶圆切割前的工艺。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In WLCSP）和扇
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IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
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2022年末，ChatGPT的面世无疑成为了引领AI浪潮的标志性事件，宣告着新一轮科技革命的到来。从ChatGPT掀起的一片浪花，到无数大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高过一浪。 在这波浪潮中，伴随着人才、数据、算力的不断升级，AI产业正展现出巨大的潜力和应用前景，并在多个领域展现出重要作用。AI的快速发展对算力的需求呈现井喷的态势，全球算力规模超高速增长。在这场浪潮中，最大的受益者无疑是英伟达，其凭借在GPU领域的优势脱颖而出，然
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近期，三大存储原厂陆续公布财报情况。西部数据：2024财年第三财季营收34.57亿美元，同比增长23%。在Non-GAAP会计准则下，西部数据净利润为2.10亿美元，上年同期净亏损为4.35亿美元，成功扭亏为盈。按业务划分，西部数据该季云业务营收为15.53亿美元，同比增长29%；客户业务营收为11.74亿美元，同比增长20%；消费者业务营收为7.30亿美元，同比增长17%。按产品来看，西部数据NAND闪存营收达17.05亿美元，HDD营收17.52亿美元。展望下一季度，西部数据预计公司营收为36.0亿-
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·结合并收入为12.4296万亿韩元，营业利润为2.886万亿韩元，净利润为1.917万亿韩元·第一季度收入创同期历史新高，营业利润创同期历史第二高·由于eSSD销量增加及价格上升，NAND闪存成功实现扭亏为盈·“凭借面向AI的存储器顶尖竞争力，将持续改善公司业绩”2024年4月25日，SK海力士发布截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告。公司2024财年第一季度结合并收入为12.4296万亿韩元，营业利润为2.886万亿韩元，净利润为1.917万亿韩元。2024财年第一季度营业利润率为2
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·双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录·通过采用台积电的先进制程工艺，提升HBM4产品性能·“以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式，突破面向AI应用的存储器性能极限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代
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据韩联社报道，韩国SK创新旗下电池部门SK On可能会按照客户需求，从2026年开始大规模量产磷酸铁锂（LFP）电池。SK On首席执行官兼总裁Lee Seok-hee在2024年首尔电池储能展览会上表示：“公司内部已经完成了磷酸铁锂电池的自主研发，如果我们与客户完成协商，将从2026年开始实现量产。”Lee Seok-hee预计，通常用于中短续航里程电动汽车的磷酸铁锂电池的市场需求将迎来激增。Source: Getty Images分析观点深度解析尽管磷酸铁锂电池的能量密度较低，导致电动汽车的续航里程相
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· 继HBM3，其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段· 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货，期待能实现最高性能的AI· “将维持用于AI的存储技术全球领先地位，并巩固业务竞争力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后，仅隔7个月取得的成果。SK海力士表示，“继HBM3，公司实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。将通过成功HBM3
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2月1日消息，存储一哥三星2023年的日子不太好过，全年利润暴跌84.9%，确实没办法，不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷，尤其是存储芯片价格暴跌的背景下，三星全年营收为258.94万亿韩元，同比减少14.3%；营业利润为6.57万亿韩元，同比下滑84.9%。按照三星的说法，2024年上半年业绩会回暖，其中以存储产品价格回暖最为明显，相关SSD等产品涨价不会停止，只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
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1 月 22 日消息，随着企业和消费者对人工智能（AI）应用兴趣的日益浓厚，对人工智能芯片的需求也在强势上涨。因担心人工智能芯片短缺，美国 AI 初创公司 OpenAI 正在讨论解决方案，促使以 OpenAI 为代表的 AI 研发企业开始考虑走上自己生产 AI 芯片的道路。根据多家外媒的报道，OpenAI 希望成立一家芯片制造公司，因此 OpenAI CEO 萨姆・阿尔特曼（Sam Altman）正在说服更多潜在投资者加入这一计划。韩国东亚日报称，阿尔特曼本周访问韩国首尔，期间可能同 SK 集团会长崔泰源
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据英飞凌官网消息，近日，英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。据悉，SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。据了解，英飞凌首席采购官 Angelique van der Burg 表示：“对于英飞凌来说，供应链弹性意味着实施多供应商战略，并在逆境中蓬勃发展，创造新的增长机会并推
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疫情后数字时代的复苏，使得世界数字经济快速发展、数据产业百业待兴，因此数据存储市场也逐渐迎来活力；存储市场经历了价格战，减产维稳到“硬涨价”，每一步都让我们看到了日益激烈的竞争势态。当然，在面对挑战和威胁的时候，也激励着存储技术持续突破。与此同时，环境的不确定性骤增，人工智能、闪存等技术的快速发展，也让市场竞争格局分化，各细分领域争夺激烈。存储器是集成电路的重要组成部分，根据WSTS统计，2022年全球半导体市场规模达到5741亿美金，其中集成电路市场规模4744亿美金，占比 82.6%，存储器的市场规模
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在2024年即将到来之际，多家机构给出预测，认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮，不仅仅是下游市场的AI应用，这股大火一直烧到了上游芯片领域，根据权威机构预测，2023年和2024年，AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
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