- 记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。
DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。
台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。
NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
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- 今年以来8寸产能满载话题延烧，市场看好联电、世界明年8寸产能可望持续吃紧。研调机构IC Insights出具报告指出，韩国、台湾在全球8寸厂中仍将扮演领导地位。其中韩国掌控全球8寸产能达35%，台湾则占21%。
IC Insights指出，韩国的8寸产能主要来自三星与海力士两大厂商，其中光是三星就占了全球8寸产能的24%。若是排除存储器的部分、仅考量晶圆代工的 8寸产能，韩国则占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的产能，其中海力士最大的8寸厂就在中国大陆，三星
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- 研调机构IC Insights表示，台湾及韩国半导体厂持续积极扩产，合计已掌握全球56%的12吋晶圆产能。
IC Insights指出，三星(Samsung)与海力士 ( Hynix )合计掌握全球35%的12吋晶圆产能;其中，三星一家便掌握全球高达24%的12吋晶圆产能。台湾厂商则掌握全球约21%的12吋晶圆产能;其中，有85%的产能主要投入晶圆代工，有15%产能生产记忆体产品。至于北美厂商则掌握全球28%的12吋晶圆产能，日本厂商则掌握全球14%的12吋晶圆产能。
另外，就全球晶圆产能
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- 韩国时报(Korea Times)15 日报导，三星电子明年将投资半导体设备 13.5 兆韩圜，或相当于 120 亿美元，稍高于今年的 13 兆韩圜。
全球记忆体晶片市场目前由三星、SK 海力士与美光所把持，三大厂市占率合计来到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加设备资本支出的主要考量是明年策略将放在维持价格稳定与市场供需平衡。
据报导，三星看准储存型快闪记忆体(NAND Flash)的市场需求有望增加，因此考虑明年在大陆西安开设新厂房。除此之外，有鉴于 DRAM 的需求平稳，
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- 在智能手机严重同质化的今天，每一项新技术的出现都让人们有所期待，从64位到八核，国内外芯片设计厂商都在想方设法快速跟进，生怕错过了又一个新市场。
在64位和八核均晚于友商的高通，在全新旗舰64位八核骁龙810处理器上，它首次支持了双通道LPDDR4，内存带宽提升了一倍达到25.6Gps，功耗有所下降。在主流旗舰机均为2K屏幕的今天，对于内存带宽的提高是相当必要的，更何况骁龙810支持4K屏幕，坚信4K UHD将成为2015年旗舰高端手机的选择。
LPDDR4是JEDEC固态技术协会在今年8
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太湖明珠网消息：11月28日，海太半导体(无锡)有限公司与世界著名Dram制造商韩国SK海力士株式会社签订二期合作备忘录。市委常委、常务副市长黄钦参加签约仪式，并会见了韩国SK海力士株式会社专务宋炫宗。
2009年，作为江苏省重点工程项目，太极实业股份有限公司与SK海力士合资设立海太半导体公司，注资资本1.75亿美元，总投资4亿美元。目前，海太半导体与SK海力士的合作关系已经持续了五年，从2009年成立至今，两方风雨同舟，携手并进，双方的合
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- TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新研究报告显示， 2014年第三季三大DRAM厂积极调配旗下产能，以因应苹果(Apple) iPhone 新机庞大行动式记忆体的需求，在排挤效应下，标准型记忆体产出减少，带动第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型记忆体蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示，2014年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高。
在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下，其获利能力皆
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- 韩系半导体大厂SK海力士(SK Hynix)为量产CMOS影像传感器(CIS)，将引进研究用途系统芯片(SoC)用12吋晶圆蒸镀设备，吸引业界关注。CIS为智能型手机相机模块、医学用摄影设备等IT、数字装置广泛使用的非内存芯片，近来使用范围也扩大到车用半导体。
据南韩MT News报导，SK海力士近来向南韩一半导体设备制造厂采购非内存用分区化学气相沉积(Space Divided Plasma CVD;SDPCVD)设备。该设备将设置在SK海力士利川工厂研究园区中，进行CIS研究开发。
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- SK海力士(SK Hynix)为加强攻略次世代储存装置固态硬盘(SSD)市场，将自2015年量产3D NAND Flash。据南韩每日经济报导，SK海力士已完成3D NAND研发作业，将于2015年正式展开销售。
SK海力士将现有的部分NAND Flash产线转换为3D NAND产线投入量产，3D NAND将在南韩清州工厂生产。3D NAND不同于半导体Cell平面展开的传统NAND Flash，而是将Cell垂直堆栈，提升信息处理速度和效能。因半导体微细化已达物理性上限，要如何堆栈并提升产品性
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- 南韩第二大记忆体厂SK海力士(SKHynix)首季超越劲敌美光，成为全球PC用动态随机记忆体(DRAM)第一大厂。
市调机构iSuppli数据显示，SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%，重新夺回全球排名首位，而原居领先位置的美光则自前季的36.4%下滑至32.1%。另外，三星电子拿下26.3%的市占率，位居第三。
在伺服器用DRAM的市占率排名上，遥遥领先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光则为21%。
美光在行动装置市场以29.8%的市占率上板回
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- 市场是非理性的，任何突发事件都有可能引起市场信心的波动，造成价格的波动。
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海力士 DRAM
- 日前，东芝公司就有关闪存研究数据被非法泄露给韩国SK海力士公司一事，宣布已向东京地方法院提起民事诉讼，要求SK海力士赔偿损失。
报道称，东京警视厅警方以涉嫌违反不正竞争防止法(公开营业秘密)为理由逮捕了东芝的合作伙伴、美国半导体厂商“闪迪(Sandisk)”的日本子公司的前技术人员杉田吉隆(52岁，居住于北九州市)。警视厅认为这名男子涉嫌向韩国半导体巨头“海力士半导体(现为SK海力士)”泄露了作为东芝主力产品的半导体存储器的研究数据。
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- 三星光鲜的背后也有隐痛，号称大而全的产业布局不可能面面俱到，这就是社会分工。
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海力士 存储芯片
- 从挫败中站起 海力士重振的秘诀不畏过往一年间金融风暴冲击，南韩内存大厂海力士(Hynix)在全球半导体市场的 ...
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- DRAM短缺，合约价格持续上扬，市场研究机构TrendForce指出，主流模组4GB10月价格较9月成长6.25%，预计在下旬合约价公布后，现货与合约颗粒价格将更为贴近。而SK海力士火灾过后，韩商三星半导体藉扩张产能欲夺回PC-DRAM市场主导地位，2家韩商已打起PC-DRAM市占率的争夺保卫战。
市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，受到SK海力士火灾影响，供给面出现短缺使得合约价格持续上扬，主流模组4GB最高价格已经站上34美元，与9月相较
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