- 韩国海力士声称,在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。
该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产,采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。
海力士称它的芯片是26nm的一种,有人称20nm级产品。三星是27nm的NAND闪存,IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20纳米 NAND
- 韩国现代重工(HyundaiHeavyIndustriesCo.)仍在考虑收购海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)。
根据《每日经济新闻》(MaeilBusinessNewspaper)29日报道,现代重工首席执行官LeeJai-Seong表示,该公司还没有认真的审核对海力士半导体的收购可能,但从未完全放弃对该芯片公司的兴趣。
他表示,这家现金充裕的造船企业被一些相关方联系有关收购海力士半导体事宜。海力士半导体是世界收入第二大的芯片厂商。
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海力士 内存芯片
- 7月27日消息,据国外媒体报道,海力士半导体股东今日对外表示,将以周一收盘价出售5844亿韩元(约合4.907亿美元)的海力士股票,占总股份的4.1%。
韩国外换银行发言人称,包括该行在内的海力士大股东以每股23950韩元的价格出售2440万股。
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海力士 内存芯片
- 海力士半导体股东日前表示,股东以周一收盘价出售5844亿韩元(4.907亿美元)的海力士股票,占总股份的4.1%。
韩国外换银行发言人称,包括该行在内的海力士大股东以每股23,950韩元的价格出售2440万股。
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海力士 半导体
- 据国外媒体报道,全球第二大计算机内存芯片制造商海力士周四发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示,受内存芯片价格上涨及PC销量增长的推动,海力士第二季度业绩超过了市场预期。
在截至6月30日的第二季度,海力士净利润为6648亿韩元(约合5.502亿美元)。这一业绩好于上年同期,2009年第二季度,海力士净亏损为580亿韩元。海力士第二季度营收同比增长96%,达到创纪录的3.28万亿韩元(约合27.2亿美元)。海力士第二季度运营利润为7465亿韩元,高于去年同期的运营亏损6525亿韩元。海力士
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海力士 内存芯片
- 据韩国ET NEWS报导,过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格,可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌,但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽韩国企业的净利也将减少,但对台湾企业打击可能更大。
据相关业者及证券师指出,自2009年4月持续上升的DRAM价格进入第3季后可能会有 5%的价格下滑。业界相关人员表示,第3季DRAM价格依据PC业者的调降要求,可能会有5%的下滑,但DRAM供货货量有限制,因此下滑幅度应不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
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海力士 DRAM 40纳米
- 乐金集团(LG Group)重申,该公司无意接手经营南韩芯片制造商海力士(Hynix Semiconductor Inc. KR-000660)。
据彭博报导,首尔经济日报稍早报导,海力士的债权银行要求乐金集团经营接管海力士。
乐金集团发言人Lee Hyoung Kun指出:“我们的立场不变,亦即我们无意接管海力士。”此外,他拒绝对报导置评。
根据报导,这些债权银行还提议乐金集团刚开始先购入5%的股权,随后再自行决定是否要进一步买进其他10%的股份。据了解,这
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海力士 芯片制造
- 在全球集成电路存储器领域处于领先地位的无锡海力士—恒亿半导体有限公司迎来了又一次产品技术升级的契机。6月18日,韩国海力士株式会社与无锡新区在南京签约,将增资11亿美元用于扩大44纳米产品的产能。省委书记梁保华、省长罗志军会见了韩国海力士株式会社社长权五哲一行,并出席项目签约仪式。
梁保华在会见时对无锡海力士半导体封装项目刚刚实现竣工投产表示祝贺。他说,无锡海力士封装项目顺利投产和44纳米技术升级项目签约,标志着我们双方的合作达到了一个新的水平。当前信息产业面临着新的发展机遇,海力士
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海力士 封装
- 据彭博(Bloomberg)报导,韩国经济日报(Korea Economic Daily)指出,海力士债权机构计划于2010年6月中之后,以成批出售(block sale)的方式出售约5%的股份,然韩国经济日报并未提供消息来源。此外,该报导称海力士将采用毒性卖权(Poison put)避免恶意购并竞标。
海力士债权机构韩国外汇银行(Korea Exchange Bank)于先前表示,海力士的债权人将在2010年出售13%的股权,其中8%将在2010年上半卖出,其余5%将在下半年出售。
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海力士 芯片制造 存储器芯片
- 韩国芯片制造企业海力士半导体周二表示,公司将投资4560亿韩圆(约合3.734亿美元)用于扩大及升级芯片产能。
报道称,海力士半导体是全球第二大存储器芯片制造商,公司最近将其2010年资本支出计划规模提高了三分之一,达到3.05万亿(兆)韩圆。
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海力士 芯片制造 存储器芯片
- 海力士半导体(Hynix)宣布,将与斗山电子(Doosan Electro-Materials)共同开发可缩小半导体印刷电路板(PCB)体积近25%的新PCB原料。利用此技术,使用Tenting(蓬盖式)制程也可缩小半导体封装基板的铜线路线宽近25%,至25μm,也将可使PCB基板面积随之缩小。为实现25μm的线宽,已采用MSAP(Modified Semi-Addictive Process)制法,然此制法存在较原始方法制程复杂且困难,所需费用也增加20%的问题。
海力士和斗山为解
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海力士 半导体
- 海力士半导体决定通过回购恒亿所持合资企业的21%股份以终止双方合资企业的合作关系,此举符合市场广泛预期。
综合外电5月31日报道,以收入计全球第二大电脑存储芯片制造商海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)决定终止与恒亿公司(Numonyx)建立的合资企业,前者将以4.23亿美元回购后者所持合资企业的21%股份。
2010年早些时候,美光科技公司(MicronTechnologyInc)以12.7亿美元收购了恒亿公司,此后市场广泛预期海力士半导体公司将作出上述决定。
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海力士 存储芯片
- 韩国媒体Korea Times独家获得海力士(Hynix)内部资料,显示该公司在2012年前,将投注9兆韩元(约79.4亿美元)的资本支出金额。由于不少大型存储器厂商提高投资,预料竞争将加剧。
除提高投资外,该份名为「财务稳健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦显示,海力士在2012年的营收目标为12兆韩元,较2010年的10兆韩元成长20%,而全球DRAM市占率可望提高至 25%,NAND Flash的市占率则可望达到20
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海力士 存储器
- 海力士(Hynix)决定将持有的韩国半导体装备专利及实用新发明831件,释出给合作伙伴参与,若往来的公司对这些专利有需求及合作意愿,海力士将以贩售或给予使用许可的方式提供支持。
海力士为强化与半导体装备、原料等相关中小企业之间的合作关系,因而准备了此方案,并在支持合作公司的网站heinet.hynix.com上开设专利支持系统以供使用。
透过此方案,海力士首先对合作公司公开专利及实用新发明831件,并打算出售或提供使用权。除公开的831件新发明外,若合作公司有要求,也可讨论移转的可能性。
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海力士 半导体装备
- 以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布,一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%,09年四季度涨幅为26%。
然而,海力士半导体公司在一份声明中称,一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%,09年四季度降幅为5%。
该公司补充道,一季度DRAM芯片发货量季比上升6%,NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布,该公司一季度营业利润率为28%,09年四季度该公司营业利润率为25%。
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