- 海力士半导体发言人Park Seong Ae周四表示，公司将从明年第一季度开始量产30纳米芯片。
这一表态证实了韩国网络新闻媒体edaily此前的相关报道。
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海力士 30纳米
- 全球第2大DRAM记忆体厂海力士(Hynix)第4季业绩走弱，营运获利下滑加上淡季效应与产品价格走跌等因素，有鉴于大陆市场潜力巨大，该公司拟加码大陆资本投资金额，希望借此刺激营收。海力士大陆区负责人Lee Jae-woo接受Korea Times采访时表示，公司计划提高大陆厂制程技术，以生产高阶晶片。
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海力士 DRAM
- 海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用驱动芯片(DDI)、传感器专门IC设计等企业皆为协商对象。
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- 11月19日电全球第二大计算机存储芯片制造商海力士半导体(Hynix Semiconductor)周五表示，计划投资2610亿韩圜(约合2.31亿美元),，以提高和升级芯片产能。
该公司对证交所表示，上述投资将于12月底做出。
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海力士 芯片
- 受惠于出货成长及转进优势芯片的策略奏效，南韩海力士半导体第三季营业利益创下历史次高记录。海力士预估，内存芯片价格将于明年第一季开始止跌回稳。
海力士周四公布，第三季营业利益为1.01兆韩元(8.849亿美元)，超越市场预期的9610亿韩元，并较去年同期的2090亿韩元大幅成长近5倍，同时逼近上一季创下的1.05兆韩元的历史新高。
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海力士 DRAM
- 韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。
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海力士 DRAM 20纳米
- DRAM存储器半导体价格跌势持续第5个月，韩厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)等存储器公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。
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海力士 DRAM
- 虽然在经济前景不明的情况下，半导体产业景气亦受到连带影响，不过全球排名第2的半导体大厂海力士(Hynix)仍计划对转进30纳米制程持续加码，以增加和三星电子(Samsung Electronics)、日本尔必达(Elpida)等大厂竞争的优势。
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海力士 DRAM 30纳米
- 据韩国电子新闻报导，目前韩国有几间业者对海力士(Hynix) 股份抛售显露兴趣。海力士理事议长金锺甲表示，韩国企业中有业者表示对海力士股份有兴趣，早晚会对外宣布收购立场。
金锺甲在接受电子新闻访谈时表示，由于存储器产业竞争构图产生变化，且海力士的竞争力更强化，韩国业者对海力士的表现皆抱持正面的态度。
虽然主要是由债权团执行海力士股份抛售，金锺甲以理事会议长身分也积极接触海力士潜在收购者。海力士近期以来对抛售股份的官方说法维持没有表明收购意愿的企业，但金锺甲此次的发言则暗示禁止抛售作业已进行
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- 据国外媒体报道，市场研究公司Gartner星期二称，2010年全球芯片厂商的资本开支将比2009年增长将近一倍，因为在去年的经济衰退之后，芯片厂商渴望进行更多的投资。
Gartner称，全球芯片厂商2010年的资本开支将达到507亿美元，比2009年增长96%。由于经济衰退，全球芯片厂商2009年的资本开支是259亿美元，比2008年减少了41%。
Gartner副总裁Klaus Rinnen在声明中称，2010年半导体市场的强劲增长推动半导体资本开支增长到创纪录的高水平。
随着半导
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海力士 芯片
- 韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅 在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。
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海力士 DRAM DDR3
- 韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。
据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。DD
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海力士 DRAM DDR3
- 韩国知识经济部上星期四称，韩国将在未来五年投资1.7万亿韩元(14.5亿美元)帮助韩国芯片厂商找出进入快速增长的非内存芯片市场的道路。
三星电子和海力士半导体等韩国芯片厂商目前拥有全球内存芯片市场50%以上的份额。但是，在非内存芯片市场，韩国厂商的市场份额只有大约3%。韩国政府正是在这个背景之下采取这个行动的。
根据这个计划，韩国芯片厂商在2015年要取得全球非内存芯片市场7.5%的份额。2009年全球非内存芯片市场的规模是1858亿美元。这个市场预计将以平均15%的年增长率继续增长。
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- 海力士半导体(Hynix)近来决定将制造部门分为前段制程和后段制程部门，并进行组织及人事重整作业。海力士社长权五哲就任后，任命朴星昱担任副社长职务，并首度进行组织改编，以强化后段制程、强化产线应用效益、调动老员工以赋予组织紧张感、任期内成效最大化等，颇有为亲政而架构新格局的意味。
海力士的制造部门将分为制造1部和制造2部，1部负责制造厂业务，2部则处理封装及测试事宜。1部部长确定由采购室长姜东均(译名)、2部部长由质量管理室长白东源接管，而目前的采购室则由大陆无锡厂企划管理团队长官姜声锡(译名)
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- 据国外媒体报道，惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。
据一份声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器(memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示，忆阻器也能够执行逻辑。
ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM
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