据国外媒体报道，全球第二大电脑内存芯片生产商海力士周四发布了2011年第一季度财报。财报显示，今年第一季度海力士实现净利润2735.4亿韩元(约合2.538亿美元)，比去年同期大幅下降66%，这主要是受到个人电脑需求低迷导致芯片价格下滑影响。
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海力士 内存芯片
2010年韩国半导体、显示器设备业者中，有10间企业年度销售突破2,000亿韩元(约1.8亿美元)。至2009年为止，韩国仅2间企业年度销售逾2,000亿韩元，过去韩国半导体及显示器设备国产业者积极推动事业多元化及扩大出口，形成规模经济以建构可永续发展的基础，目前正快速成长中。根据韩国电子公示系统(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相关业者表示，2010年销售突破2,000亿韩元的设备业者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士 电子制造设备
2001年海力士(Hynix)受景气波及，遭债权银行团接手并进行债务重整，时隔10年，海力士已成为全球第2大计算机内存芯片供货商。即使如此，海力士仍背负5.9兆韩元(约54.46亿美元)债务，该公司现任执行长权五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times访问时，目前海力士首要目标是尽力还款，并同时确保有足够资金扩产以及研发新技术。
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海力士 内存芯片 NAND
海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
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海力士 DRAM
三星电子抢先行动整整三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条，支持错误校验功能，均采用先进的30nm级别工艺制造，完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。
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海力士 内存
海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
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海力士 DRAM
全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称，它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。
海力士在声明中称，通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术，海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技术与以前的技术相比具有速度更快和耗电量更少的优势。
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海力士 DRAM
韩国海力士半导体日前正式加入美国SEMATECH的一项有关芯片三维互连研究计划，这一研究主要由美国Albany大学的实验室承担，SEMATECH提供组织和协调。海力士半导体研发部门主管Sung Joo博士表示，三维互连是高性能芯片实现高密度、小型化封装的一个方向、而且还有可能降低制造成本。
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海力士 半导体
据路透(Reuters)报导，全球第2大存储器芯片厂海力士(Hynix)发布，将于3月前挹注6,370亿韩元(约5.67亿美元)进行资本投资。
据海力士计划，该笔资金将用于扩张既有厂房、设备升级与研究开发工作。该公司公开说明指出，本次投资规画旨在因应市场需求与成本竞争压力加剧。
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海力士 半导体
据国外媒体报道，韩国半导体制造商海力士周三表示，将在3月份之前投资6370亿韩元(约合5.677亿美元)，用于扩大和升级现有工厂，以及开展研发工作。
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海力士 半导体
存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降，除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外，市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中，唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士，2011年平板计算机和智能型手机等应用都是NAND Flash当道，海力士还有1座空著的12寸晶圆厂M12，未来若此座厂房加入NAND Flash生产行列，全球NAND Flash产业4大天王将全部到齐!
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海力士 NAND
1月30日，海力士半导体(中国)有限公司12英寸集成电路三期项目4.5亿美元银团贷款签约仪式在湖滨饭店举行。本次签约的海力士三期项目，由国家开发银行江苏省分行、中国农业银行江苏省分行为联合牵头行，中国银行、工商银行、建设银行、中信银行共同参与组建银团，融资总额4.5亿美元。这次银团签约，是银企各方继海力士一、二期超大规模集成电路生产线项目银团后的又一次成功合作。
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韩国《东亚日报》周一报道，海力士半导体债权人韩国金融公司(KoreaFinanceCorp。)总裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半导体的债权人可能会继续为他们所持海力士半导体的剩余股份寻找买家。
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海力士 半导体
海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品，2011年第1季将先量产2Gb产品。
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据彭博(Bloomberg)报导，海力士(Hynix)计划资本支出3兆韩元(约26亿美元)，该公司发言人证实首尔经济日报(Seoul Economic Daily)的报导。
彭博电话访问发言人Park Seong Ae指出，实际投资金额可能会依市场情况而调整。Park进一步指出，2010年的投资金额为3.38兆韩元，相较之下，2011年的投资金额可能会比较小。
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