南韩记忆体大厂SKHynix虽一口回绝了紫光集团(TsinghuaUnigroup)共组合资企业的提议，但商场没有永远敌人，韩媒传出在竞争日益激烈的环境下，SKHynix有意与紫光签立专利授权协议，希望能降低一些市场风险。
韩国时报29日报导，驻扎首尔的数名欧美投资银行基金经理人直指，SKHynix其实很想(morethaninterested)和紫光合作、分享记忆体晶片专利科技，未来或许会和紫光就公司市占较低的快闪记忆体签订广泛的专利授权合约，因为紫光的生产成本更为低廉。根据经理人的说法，中国
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SK Hynix 紫光
北京时间11月27日下午消息，韩国芯片制造商SK海力士发言人今天表示，该公司拒绝了紫光集团的合作要约，但并未提供详细信息。 最近有媒体报道称，紫光集团计划收购海力士最多20%的股权。但该发言人拒绝对此置评。 紫光集团发言人称，该公司尚未留意相关事项。
SK海力士股价周三和周四累计大涨8.4%，但周五午盘下跌0.6%。
紫光集团今年早些时候斥资230亿美元洽购美光集团，同样遭到拒绝。但知情人士表示，该公司尚未放弃这项交易。
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紫光 海力士
SK控股(SKHoldings)于23日召开理事会，决定收购49.1%的OCIMaterials股权，以每股9.3万韩元(约80美元)收购价来看，估计SK控股以4,816亿韩元(约4.1亿美元)代价入主OCIMaterials，SK集团(SKGroup)也正式进军半导体材料领域。
根据韩媒MoneyToday的报导，SK集团(SKGroup)24日对外宣布，SK控股已于23日召开理事会，决定出资4.1亿美元，收购49.1%的OCIMaterials股权，该股权的原本持有者为韩国OCI。据了解，这
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SK 半导体
清华紫光在政策助力下，一年来动作频频，大举并购相关半导体厂商外，也不断对台湾放话，最新消息是在南亚科前总经理高启全的牵线下，紫光正与 SK Hynix 洽谈合作的可能，想藉此切入 NAND Flash 市场。
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紫光 SK Hynix
动态随机存取记忆体(DRAM)现货价持续破底，DDR3 4Gb颗粒现货均价已跌破2美元大关，达1.96美元，创历史新低价。
DRAM市场库存问题依然严重，DRAM现货价如预期持续滑落，据市调机构集邦科技调查，DDR3 4Gb颗粒现货均价滑落至1.96美元，创下历史新低价。
第4季来DDR3 4Gb颗粒现货均价下跌约0.16美元，跌幅约7.54%。
南亚科预期，DRAM价格可望逐步趋于稳定，第4季产品价格将较第3季微幅下滑。
只是集邦科技对DRAM后市看法相对保守，表示目前市场已
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DRAM 海力士
郭崔会即将登场，据SK集团透露，SK集团会长崔泰源即将来台与鸿海董事长郭台铭相见欢，且时间就在9月初，外界揣测透过此次会面，双方将会在业务上迈大步，合作范围可望一路由半导体、兴建智慧工厂，扩展到共同开拓印度市场。
今年年初，鸿海集团宣布与SK C&C联手，打造全新的IT服务合作公司，前进大陆市场，为鸿海和SK集团的合作揭开序幕，如今双方的合作又将推出升级版。
据悉郭、崔二人系在瑞士每年举行的世界经济论坛(达沃斯论坛)上结缘，两人相谈甚欢，当时，郭台铭立马提议买下崔泰源手中的SK C
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鸿海 SK
昨日南韩半导体厂SK 海力士才发布史上最大扩产计画，隔天三星即宣布新厂下个月就将成军启用，这也宣告记忆体市场正式进入新一轮的军备竞赛。
三星新厂位于首尔南部的水原市，可用于量产DRAM等记忆体或逻辑晶片。消息指出，水原厂部分产线过去几个月已进行过试产，年底将全面启用。
另外，三星目前在平泽市还有一半导体厂正在兴建，三星计画未来两年在这座工厂砸下15兆韩圜(125亿美元)，是韩国史上对单一半导体厂的最大投资案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未来十年内将投
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三星 海力士
全球第二大DRAM厂南韩SK海力士昨(25)日宣布，规划斥资31兆韩元(约259.4亿美元、约新台币8,300亿元)，在南韩兴建两座新厂，预计2024年前竣工。近期DRAM价格好不容易出现止跌讯号，市场忧心，SK海力士大举扩产，长期将再度使得产业陷入供过于求。
外电指出，投资人正密切留意记忆体厂新的资本投资，因为大规模的支出可能导致供给过剩，或引爆价格战，这对三星、SK海力士、华亚科(3474)、南亚科等业者都将不利。
受市场忧心SK海力士大举扩产影响，南亚科昨天股价在台股大涨逾265点下
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海力士 DRAM
南韩记忆体大厂SK 海力士与美国同业SanDisk不打不相识，海力士周三宣布，与美国同业SanDisk的官司已在庭外达成和解，与此同时，双方还将扩大专利合作，正式成为伙伴关系。
SanDisk去年按铃控告旗下某职员于2008年跳槽后，将机密泄漏给海力士，但在双方达成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士与SanDisk不仅一笑泯恩仇，还进一步就专利授权取得新协议。声明稿指出，海力士将支付SanDisk 权利金，并供应DRAM予SanDisk，时间将持续至2023年。 海力士与东芝的官司去
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海力士 SanDisk
南韩记忆体大厂SK 海力士周二宣布加入三星、东芝与美光等强敌之列，其3D NAND 快闪记忆体第三季将正式进入量产阶段，预计9月开始对客户出货。
快闪记忆体量产在2D平面微缩制程已遭遇瓶颈，因此走向3D立体堆叠已是大势所趋。据日经新闻报导，海力士将优先推出固态硬碟(SSD)用36层记忆体晶片试市场水温后，48层产品明年才会投产。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季财报逊于预期，受PC用DRAM需求低迷影响，当季营业利润仅1.37兆韩圜，低于分析师预估的1.44兆韩圜。 由于PC本季市况依旧
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海力士 NAND
过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1：HBM模组横截面示意图
(来
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海力士 存储器
过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1显示四个DRAM晶片与一个逻辑晶片堆叠并固定至中介层晶片。该中介
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海力士 存储器
记忆体大厂整军经武，准备展开新一波大战!据传三星电子和SK 海力士 (SK Hynix )将大买设备，积极投资3D NAND Flash;另外DRAM也将转进新制程，拉高战力。
韩媒etnews 6日报导，记忆体大厂争相量产3D NAND Flash，新制程和传统NAND Flash相比，差别在于从平面改为立体，能层层堆叠，提高效能。据了解，由2D转进3D NAND Flash，显影制程不变，但是金属化和刻蚀步骤将分别增加50~60%、30~40%，需要采购不少新设备。据了解，三星最早量产3D
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SK 海力士 DRAM
三星移动终端受挫，但是呢人家在DRAM领域闷声发大财。
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三星 SK 海力士
全球第2大NAND型快闪存储器 (Flash Memory)厂商东芝 ( Toshiba )5日发布新闻稿宣布，为加快次世代半导体露光技术「纳米压印技术(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研发脚步，已和南韩半导体大厂SK 海力士 (SK Hynix )正式签署契约，双方技术人员将自2015年4月起透过东芝横滨事业所携手研发NIL制程的关键技术，目标为在2017年实用化。
东芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵权案一事达成和解，海力士(
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