- GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但长期以来，由于工艺、成本等因素制约，GaN还处于Si（硅）和SiC（碳化硅）应用的夹缝之间。在新的一年里，GaN的市场前景将如何？GaN技术和应用有何新突破？为此，本媒体邀请了部分GaN资深企业，介绍一下GaN功率器件的新动向。
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202201 GaN
- GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料，以高频、高压等为特色。但是长期以来，在功率电源领域，处于常规的Si（硅）和热门的SiC（碳化硅）应用夹缝之间。GaN产品的市场前景如何？GaN技术有何新突破？不久前，消费类GaN（氮化镓）功率解决方案供应商——纳微半导体宣布推出全球首款智能GaNFast™功率芯片，采用了专利的GaNSense™技术。值此机会，电子产品世界的记者采访了销售营运总监李铭钊、高级应用总监黄秀成、高级研发总监徐迎春。图 从左至右：纳微半导体级的高级应用总监黄秀成、销售营运总监李铭
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- PerSe™产品组合包括三个系列新品：PerSe Connect、PerSe Connect Pro以及PerSe Control 中国上海，2021年11月18日 —— 全球领先的高性能模拟和混合信号半导体产品及先进算法供应商Semtech Corporation（纳斯达克股票代码：SMTC）近日宣布推出针对消费类智能设备市场的PerSe™系列传感器。PerSe产品组合由PerSe Connect、PerSe Connect Pro以及PerSe Control三个核心产品系列组成，通过智能和
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- 10月19日消息，据The Verge报道，苹果公司向其证实，新上架的140W USB-C电源适配器是苹果首款GaN充电器。 与传统充电器相比，GaN充电器的更小、更轻，同时支持大功率。 此外，苹果公司还确认，140W电源适配器支持USB-C Power Delivery 3.1标准，这意味着该充电器可以为其他支持该标准的设备充电。 新的140W USB-C电源适配器和新款MagSafe连接线现已在苹果中国官网上架。 其中，140W USB-C电源适配器的价格为729元，USB-C转MagSa
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- 以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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- 2021年9月21日Power Integrations推出适用于USB Type-C、USB功率传输(PD)和USB数字控制电源(PPS)适配器应用的集成度一流的解决方案——InnoSwitch™3-PD系列IC。本次InnoSwitch™3-PD电源解决方案的亮点在于它是唯一的USB PD单芯片解决方案，不仅继承了InnoSwitch3系列效率极高、低空载功耗、完善的保护等卓越性能，同时还能显著减少BOM，非常适合要求具备超薄小巧外形的应用设计。 新IC采用超薄InSOP™-24D封装，内部集成
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- TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本
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- TrendForce集邦咨询表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲。其中，以GaN功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源车20
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- 氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的硅基组件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件，GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这
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- 氮化镓快充火爆的背后，除了受消费者需求影响，是否还有其他原因？为什么快充会率先用到氮化镓呢？
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- 德州仪器(TI)今日宣布与中国领先的轨道交通设备制造商中车株洲电力机车研究所有限公司（后简称“株洲所”）签署谅解备忘录，升级共同运营的联合设计实验室，实现更广泛、更深层次的合作。此次合作旨在帮助中车株洲所运用TI广泛的模拟和嵌入式处理产品和技术，加速包括轨道交通，电动汽车等方面的应用设计以助力中国新基建关键领域建设。合作还将拓展至太阳能和风能等可再生能源方面的应用，以响应中国在2060年实现碳中和的宏伟目标。德州仪器(TI)与中车株洲电力机车研究所合作备忘录签约仪式“新基建将推动中国城际轨道交通系统的快速
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- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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- 是德科技近日推出一款新型高性能微波手持式分析仪，可以加快 5G、雷达和卫星通信系统的安装速度。是德科技提供先进的设计和验证解决方案，旨在加速创新，创造一个安全互联的世界。全球毫米波频谱中的 5G 新空口（NR）业务持续增长，卫星通信系统的部署数量显著上升，这对经济高效的外场网络测试、监控和故障诊断工具提出了更高的要求。是德科技的新型 FieldFox 微波手持式分析仪支持更高的频率范围，测量完整性可以媲美实验室用的仪器。新型宽带分析仪是一款紧凑、耐用的多功能工具，可供用户安装毫米波基础设施，从而对外场网络
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- 任务关键型网络和其他重要的企业基础设施需要不断从网络时间服务器接收到准确的时间信息，才能保持可靠运行。但这些服务器易遭受到全球定位系统（GPS）干扰和欺骗这类的网络安全威胁。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日推出一项解决方案，通过将其BlueSky技术信号异常检测软件集成到SyncServer S600系列网络时间服务器和仪器中，成功解决这一难题。Microchip是首家将GPS干扰和欺骗检测和保护以及本地射频（RF）数据记录和分析完全集成在一个时间服务器内的公司。
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RF GPS
- 南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室，围绕中国半导体产业链，培养工程专业人才，搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台，建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制，致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然，在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
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