新技术将打破射频干扰难捕获的僵局-从商业无线网络和设备到军事通信、雷达和电子战争(EW)系统，射频干扰无处不在。由于干扰不可预测，要解决这一问题十分棘手。不过一种称为无间断捕获的RF录存技术，对解决这一问题可能会特别有用。
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RF 射频干扰 信号分析仪 无间断录存
利用有源偏置控制器偏置RF的最佳解决方案-射频(RF)和微波放大器在特定偏置条件下可提供最佳性能。偏置点所确定的静态电流会影响线性度和效率等关健性能指标。虽然某些放大器是自偏置，但许多器件需要外部偏置并使用多个电源，这些电源的时序需要加以适当控制以使器件安全工作。
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rf 放大器
解读RF放大器的输出限制-这篇博文是非射频（RF）与射频放大器规格对比系列博文的第三篇。我在之前的两篇博文中讨论了噪声和双音失真。今天，我们将讨论一个同样重要的话题-放大器的输出限制。对于任何应用中的放大器，输出电压的摆动范围以及可供给负载的电流量都有一个限制。
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RF 放大器 输出限制 射频放大器
无线射频技术原理及电路设计技巧-RF（射频）专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波。电磁波可由其频率表述为：KHz（千赫），MHz（兆赫）及GHz（千兆赫）。其频率范围为VLF（极低频）也即10-30KHz至EHF（极高频）也即30-300GHz。
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无线射频 rfid rf
无线充电技术多层次生态系统结构解析-随着物联网（IoT）、可穿戴和便携式设备的发展，消费者开始厌倦杂乱的电缆和需要频繁充电的电池。无线充电的优势远远不止于摆脱线缆的束缚。当前市场上各种各样的近场、远场充电无线技术，其中包括感应式、谐振式、RF、超声及红外线充电，这些技术都需要遵循不同的标准，也需要不同程度的折中。随着人们对无线世界的向往，预计充电技术将出现急剧增长。
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无线充电 RF IoT
你不得不知的8大降低RF电路寄生信号的设计-通过电路板布局评测，我们可发现可能发射或接收杂散RF音调的结构。要跟踪每一条线路，有意识地明确其回流路径，确保它能够与线路并行，特别是要彻底检查过渡。
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rf
汽车元件中EMI抗干扰测试分析-多年以来，电磁干扰（EMI）效应一直是现代电子控制系统中备受关注的一个问题。尤其在今天的汽车工业中，车辆采用了许多关键的和非关键 （critical and non-critical）的车载电子模块，例如引擎管理模块、防抱死系统、电子动力转向功能模块（electrical power steering functions）、车内娱乐系统和热控制模块。
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RF EMI 汽车电子
IF/RF数据转换器中的数字信号处理-在现代数字移动通信系统中，发射和接收路径（包括下面描述中的反馈接收路径）可根据信号特性分为三个主要电路级：射频级、模拟中频级和数字中频级。图1是典型发射机和接收机的框图。射频级处理射频信号，在当前LTE标准中，其信号频率范围一般是700 MHz到3.8 GHz。
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转换器 RF 无线通信
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块(FEM)带来显著的性能、集成和面积优势。 格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器(LNA)和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电
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格芯 RF-SOI
有人说过，世界上只有两种电子工程师：经历过电磁干扰的和没有经历过电磁干扰的。伴随着PCB走线速递的增加，电磁兼容设计是我们电子工程师不得不考虑的问题。面对一个设计，当进行一个产品和设计的EMC 分析时，有以下5 个重要属性需考虑： (1) 关键器件尺寸：产生辐射的发射器件的物理尺寸。射频(RF) 电流将会产生电磁场，该电磁场会通过机壳泄漏而脱离机壳。PCB 上的走线长度作为传输路径对射频电流具有直接的影响。 (2) 阻抗匹配：源和接收器的
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PCB RF
单片射频器件大大方便了一定范围内无线通信领域的应用，采用合适的微控制器和天线并结合此收发器件即可构成完整的无线通信链路。它们可以集成在一块很小的电路板上，应用于无线数字音频、数字视频数据传输系统，无线遥控和遥测系统，无线数据采集系统，无线网络以及无线安全防范系统等众多领域。 1 数字电路与模拟电路的潜在矛盾 如果模拟电路(射频) 和数字电路(微控制器) 单独工作可能各自工作良好，但是一旦将两者放在同一块电路板上，使用同一个电源供电一起工作，整个系统很可能就会不稳定。这
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PCB RF
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
未来几年，据Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，随着电信基站升级和小型基站部署的需求增长，RF功率市场将获得强劲增长。2016~2022年期间，整体RF功率市场营收或将增长75%，带来9.8%的复合年增长率。这意味着市场营收规模将从2016年的15亿美元增长至202
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GaN 5G
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
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5G GaN
射频功率组件市场将迎来一新波成长潮。 Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，未来5年5G通讯基础建设对基站需求的增长，将为RF功率组件市场注入新的成长动能;预估2016~2022年全球RF功率组件市场产值，将由15亿美元攀升至25亿美元，年复合成长率可达9.8%。
新的无线电网络将需要更多的器件和更高的频率。因此将会为芯片供应商带来巨大的商机，尤其是RF功率半导体销售商。预计包括基站和无线回程在内的电信基础设施市场，将占据整体市场的半壁江山。2016~2022年期间，
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Yole RF
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