- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- MACOM GaN在无线基站中的应用 用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
- 有鉴于全球环保意识抬头，碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)两种功率转换材料备受瞩目。其中，碳化矽掌握早期开发优势，其功率模组在再生能源与车用电子领域，商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓，则将缓步进军中功率市场。
可以弥补天然能源不足缺口的再生能源设备，为聚焦于中功率、高功率应用的碳化矽创造大量需求。另一方面，近期丰田汽车(Toyota)在电动车中导入碳化矽(SiC)元件的测试结果也已出炉，其在改善能源效率、缩小电源控制系统(PCU)尺寸上的效果，明显胜过矽元件。
台达电技术长暨总
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SiC GaN
- IF/RF可变增益放大器(VGA)MAX2063。该款易于控制的器件具有优异的VGA性能、完全的编程特性和极高的元件集成度。MAX2063提供独特的“速射”增益选择，每通道可选择四种定制的衰减状态。此外，器件还具有25ns的快速数字切...
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IF RF 可变增益 放大器 MAX2063
- 图1中第1部分为整流滤波电路，采用全波桥式整流与电容滤波将220V交流变为311V平滑直流。第2部分为开关电源，将311V直流变为100kHz脉冲电流，再经电容、电感滤波后变为30V、8A直流。第3部分包括由振荡器与放大器两部分组成...
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RF CO2激光器 电源原理
- 松下被动元件展区，松下位于德国的器件解决方案部门被动元件团队产品市场经理Mustafa Khan介绍了electronica期间刚刚问世的导电性聚合物混合铝电解电容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更优，例如比ZC系列更高的容量和高纹波电流。 ZK和ZC产品在125C下可工作4000小时。三种类型产品都有更低的ESR(等效串联电阻)和LC，可用于LED、汽车、电力电子、电信等场合。 松下集团汽车&工业系统公司介绍了其网上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
- 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。
该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓(SiC)工艺——QGaN15。QGaN15工艺令晶体管工作频率高达25 GHz，支持芯片级设计，通过K频段应用提供频率更
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Qorvo GaN
- 摘要：针对实际应用需求，结合Basic-RF无线通信技术、网络通信技术和GSM通信技术设计了一种基于Basic-RF的家居环境监测预警系统。系统由信息处理子系统和无线传感器网络子系统两部分组成，无线传感器网络子系统利用C
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无线传感器网络 环境监测 Basic-RF ENC28J60 GSM
- 迅速发展的射频集成电路为从事各类无线通信的工程技术人员提供了广阔的前景。
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RF PCB设计
- 2010年，供应商发布了第一波基于GaN技术的功率半导体。但直到最近，这种产品的可用性依然不高，价格也高昂不下，GaN技术一直在寻找理想的应用空间。随着时间的推移，这些器件预计将逐步应用到电动汽车、移动设备的快速充电适配器、无线充电和其他系统中，GaN基功率半导体器件正在电源市场上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
- 功耗是当今电子设计以及测试中最热门也是竞争最激烈的领域之一。这是因为人们对高能效有强烈需求，希望能充分利用电池能量，帮助消减能源帐单，或者支持空间敏感或热量敏感型应用。在经过30年的发展之后，硅MOSFET发
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GaN 测试
- 处理器、显示技术、压缩算法和无线数据通信等众多领域的进步正在造就新一代具有丰富功能的消费类电子产品。为了在这个诱人的市场取得成功，制造商们需要新的设计方法，使他们能够以更快的速度向市场推出更多功能、更
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模拟 RF
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