目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。
各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比
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SiC GaN 电流传感器
1月出席DesignCon 2015时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switching Device)的研发。我也有幸遇到“电源完整性 --在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
多输入多输出，更高的效率Wi-Fi系统的效能与容量将迈入新境界。
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Wi-Fi RF
手机终端增加移动支付芯片不只是简单的芯片硬件成本，还有更多其他配套成本，但是增加一个功能可以带来差异化，差异化可以给手机带来的溢价。
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NFC RF
一直以来，蜂窝电话都使用超外差接收器和发射器。但是，随着对包含多标准(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模终端的需求不断增长，直接转换接收器和发射器架构变得日趋流行。在过去十年中，集成电路技术取得长足发展，使得在单一芯片上集成各种不同的RF、混合信号和基带处理功能成为可能。
一个典型的蜂窝收发器(见图)包括RF前端、混合信号部分和实际的基带处理部分。就接收器而言，通常的架构选择包括直接转换到直流、极低中频(IF)和直接采样。直接转换到直流的方法会受直流偏移和低频噪音干扰，而低IF可以减
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RF 混合信号
在过去的几十年中，混合信号集成电路(IC)设计一直是半导体行业最令人兴奋、且在技术上最具挑战的设计之一。在这期间，尽管半导体行业取得了不少的进步，但是一个永恒不变的需求是保证我们所处的模拟世界能够与可运算的数字世界实现无缝对接，当前无处不在的移动环境和迅速崛起的物联网(IoT)“再创新”的要求尤为如此。
当今全球半导体的市场份额约为3，200亿美元，数字和存储器IC约占这个市场的三分之二。摩尔定律(Moore‘s Law)和先进的CMOS处理技术驱动着这些IC
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RF 混合信号
在电子设计中，模拟/RF设计一直是最让设计师头疼的部分，传统上，模拟射频器件供应商一般只提供器件的datasheet以及若干参考设计，但 是，要让器件运转正常，设计师需要更多实际电路的评估和测试，这方面需要时间和经验的积累，也是非常耗费精力财力的，有没有什么办法让设计师可以加快这方 面的设计呢?或者能实现模拟射频电路的复用?ADI的实验室电路给出了一些探索。
“ADI的实验室电路不同于参考设计，是更接近实际应用的 电路。”ADI电路工程师胡生富在接受电子创新网采访时表示，
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ADI RF
当射频电路一切都按预先设定的方案设计完成之后，其性能不一定就会完全达标，其中会导致射频性能不达标的一个重要因素有可能就是电磁干扰，而电磁干扰并不一定是因为射频范畴内电路布局、布线不合理造成，亦可能是因为其它方方面面的原因。大多数情况导致干扰出现都是当和其它电路，如数字电路部分、电源电路部分等组合后才产生的。
处理干扰问题是做设计工作必须的、更是射频设计、预研工作重点之一。在此简单谈谈我们对射频方面电磁干扰的理解与认识。
电磁干扰(EMI)在电子系统与设备中无处不在，在射频领域表现却特别突出
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RF EMC
随着模数转换器(ADC)的设计与架构继续采用尺寸更小的过程节点，一种新的千兆赫ADC产品应运而生。能以千兆赫速率或更高速率进行直接RF采样且不产生交织伪像的ADC为通信系统、仪器仪表和雷达应用的直接RF数字化带来了全新的系统解决方案。
最先进的宽带ADC技术可以实现直接RF采样。就在不久前，唯一可运行在GSPS (Gsample/s)下的单芯片ADC架构是分辨率为6位或8位的Flash转换器。这些器件能耗极高，且通常无法提供超过7位的有效位数(ENOB)，这是由于Flash架构的几何尺寸与功耗限
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ADC RF 转换器 LVDS FPGA
无线网格网络得到了越来越广泛的采用，因为这类网络能够利用功率相对低的无线电设备在节点之间转发信息，并覆盖很大的区域，还能够使用替代的通路和途径以克服干扰问题，保持很高的可靠性。尤其是有一种称为时间同步通道跳频 (TSCH) 的网格网络技术，该技术由凌力尔特的 Dust Networks 率先提出，并已纳入 WirelessHART 工业标准。TSCH 经过实用验证，可提供工业物联网所需性能。TSCH 网络一般提供 >99.999% 的数据可靠性，而且所有无线节点 (甚至路由节点) 的小型锂电池之
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无线网格网络 WSN RF 物联网 TSCH
英飞凌科技股份公司今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前，英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台，包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量，这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所
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英飞凌 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 松下 GaN
近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成，使之非常易于设计。如需了解更多信息，敬请访问www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化，此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。
TI高压电源
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德州仪器 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 GaN
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