- 今天思特威（SmartSens，股票代码：688213）宣布，全新推出1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器——SC1220IOT。SC1220IOT基于思特威SmartClarity®-XL技术平台打造，采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载思特威先进的SFCPixel®-2及ColGain HDR®技术，支持低功耗常开Always-On功能，具备低功耗、高动态范围、低噪声等多项核心性能优势。SC1220IOT出色的综合成像性能，可充分满足AI眼镜及AR/VR等智能可穿戴设备的高质量影
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思特威 AI眼镜 CMOS 图像传感器
- Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出四款多层片状电感系列产品： CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和 CE1608Q 系列。此系列电感器采用先进多层技术打造单体结构设计，为电源电子设计工程师提供高可靠度、稳定性佳且具优异讯号完整性的解决方案。产品尺寸涵盖 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多种精巧规格，为设计人员在小型化应用中提供更多元的选择。为满足高频电路对效能提升的需求，新款片状电感具备最高达 20,0
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Bourns RF 射频电感器 高可靠
- 2026年3月4日 – Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出四款多层片状电感系列产品：CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和CE1608Q系列。此系列电感器采用先进多层技术打造单体结构设计，为电源电子设计工程师提供高可靠度、稳定性佳且具优异讯号完整性的解决方案。产品尺寸涵盖 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多种精巧规格，为设计人员在小型化应用中提供更多元的选择。为满足高频电路对效能提升的需求，新款片状电感具备最高达 20,0
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Bourns RF 射频 电感器
- IPERLITE任务是一次在轨演示（IOD）飞行，旨在从510公里轨道展示下一代高光谱成像技术。IPERLITE任务的核心是由imec开发的高光谱传感器，这是经过多年ESA支持的研发成果，涉及多个比利时合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA项目基础上进一步发展。IPERLITE并非作为实际运行卫星，而是作为试验平台——访问农业遗址并收集光谱数据，以评估其创新有效载荷在真实轨道条件下的性能。IPERLITE为日益增长的紧凑型高光谱任务做出贡献，这些任务旨在普及光谱数据的获取，补充CHIME和SBG等大型
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IPERLITE IOD CMOS 探测器 imec
- 关键Imec在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在推动CMOS 2.0的发展，CMOS 2.0通过将片上系统（SoC）划分为专门的功能层来优化芯片设计。CMOS 2.0 利用先进的 3D 互连和背面供电网络 （BSPDN） 来提高电源效率并实现 SoC 内不同功能的异构堆叠。背面连接和 BSPDN 有助于晶圆两侧电源和信号的无缝集成，减少红外压降并增强移动 SoC 和其他应用的整体性能。在快速发展的半导体技术领域，imec 最近在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在为 CMOS 2.0 铺平道路，这是
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CMOS 2.0 半导体
- 以一个实际的CMOS反相器实物为例，从逆向的角度出发，为大家简单介绍其在芯片中的具体呈现形式。通过这一过程，希望能够帮助各位读者在后续的逆向工程实践中，快速而准确地判断出CMOS反相器，从而为深入分析芯片的整体架构和功能奠定坚实的基础。在芯片的微观世界中，CMOS反相器通常由一个P型MOSFET和一个N型MOSFET组成。这两个晶体管的源极和漏极分别相连，形成一个互补对称的结构。当输入信号为低电平时，N型MOSFET处于关闭状态，而P型MOSFET则导通，电流从电源流向输出端，使得输出端呈现高电平；反之，
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CMOS 图像传感器 ISP
- 尽管第三季度前景疲软，受消费者需求低迷影响，但 GlobalFoundries 正在中国采取大胆行动。这家芯片制造商通过与新代工厂的新协议，正在加速其“中国为中国”战略，首期将启动汽车级 CMOS 和 BCD 技术，根据其 新闻稿 和 IT Home 的报道。如 IT之家所强调，并援引公司高管的话，目标订单来自在中国有需求的国内外半导体公司——在转移代工厂时，无需客户重新开发或重新认证其芯片设计。根据来自 Seeking Alpha 的财报记录，
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CMOS 汽车电子 传感器
- 五十多年来，半导体行业一直依赖一个简单的方程式——缩小晶体管，在每片晶圆上封装更多晶体管，并随着成本的下降而看到性能飙升。虽然每个新节点在速度、能效和密度方面都提供了可预测的提升，但这个公式正在迅速耗尽。随着晶体管接近个位数纳米工艺，制造成本正在飙升，而不是下降。电力传输正在成为速度与热控制的瓶颈，定义摩尔定律的自动性能提升正在减少。为了保持进步，芯片制造商已经开始抬头看——字面意思。他们不是将所有内容都构建在一个平面上，而是垂直堆叠逻辑、电源和内存。虽然 2.5D 封装已经将其中一些投入生产，将芯片并排
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CMOS 2.0 纳米 分层逻辑
- 新型超低噪声开关稳压器具有超低噪声、高效率、小尺寸和大电流的特点，非常适合各种对噪声敏感的射频应用场景，包括5G/无线通信、防务领域、仪器仪表等。Silent Switcher 3进阶型开关稳压器系列拥有超低的输出噪声，在低频范围（0.1 Hz至100 kHz）内，其噪声甚至比大多数低压差(LDO)稳压器还要低。本文研究了与传统的降压式稳压器加LDO稳压器解决方案相比，在噪声敏感型RF系统中应用超低噪声开关稳压器所面临的挑战和带来的系统优势。
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稳压器 射频 RF ADI
- 在高速视觉应用的竞技场中，全局快门CMOS图像传感器扮演着关键角色。当设计需要捕捉高速动态场景的方案时，仅仅关注分辨率或帧率远远不够。传感器的核心特性——尤其是其快门机制——直接决定了能否无失真地“冻结”瞬间。深入理解全局快门在高速环境下的优势，并权衡光学格式、动态范围、噪声表现（SNR）、像素架构，乃至功耗、接口、HDR处理能力等综合特性，是选择真正匹配高速需求的图像传感器的必经之路。为了帮助筛选这些规格和功能，一个重要的考虑因素是传感器的预期应用。某些应用需要非常高的分辨率来捕捉静止物体，而另一些应用
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安森美 CMOS 传感器 HDR
- 英特尔和三星正在研发先进的制程节点和先进的封装技术，但目前所有大型厂商都已 100% 依赖台积电。大型语言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推动数据中心 AI 容量和性能的快速扩展。更强大的 LLM 模型推动了需求，并需要更多的计算能力。AI 数据中心需要 GPU/AI 加速器、交换机、CPU、存储和 DRAM。目前，大约一半的半导体用于 AI 数据中心。到 2030 年，这一比例将会更高。台积电在 AI 数据中心逻辑半导体领域几乎占据 100% 的市场份额。台积电生产：Nv
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CMOS
- 二维材料凭借其原子级厚度和高载流子迁移率，提供了一种极具前景的替代方案。
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CMOS
- 激光雷达，对于汽车产业的重要性不言而喻，它是自动驾驶汽车感知周围环境的关键传感器之一。凭借其高精度的 360 度全方位扫描能力，激光雷达能够实时生成车辆周围环境的精确三维地图，精准检测并追踪其他车辆、行人、障碍物等，为自动驾驶决策系统提供精准且可靠的数据支持，是保障自动驾驶汽车安全行驶、实现智能驾驶功能落地的核心基石，正推动着汽车产业向着更智能、更安全的方向加速变革。但是在给车辆更安全的环境感知能力之时，各位读者有没有想过，这些越来越多激光雷达，会逐渐开始危害我们的财产安全，而首当其冲的就是手机
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激光雷达 CMOS 摄影 ADAS
- 我们探讨了用于线性化射频放大器的模拟预失真的基本概念，并回顾了一些常见的实现方式。现代通信系统使用具有时变包络和相位角的信号。为了处理这些信号，发射机需要线性功率放大器（PA）。然而，它们也需要高效率的功率放大器。正如我们所知，这样的放大器不可避免地是非线性的。幸运的是，有许多方法可以线性化功率放大器的响应。我们在上一篇文章中了解到的一种方法是找到失真并将其从功率放大器的输出信号中减去。这被称为前馈线性化。预失真是另一种常用的线性化技术。它不是在输出端校正信号，而是在功率放大器之前放置一个非线性电路，使组
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线性化射频放大器 RF
- 在半导体领域，随着技术的不断演进，对CMOS（互补金属氧化物半导体）可靠性的要求日益提高。特别是在人工智能（AI）、5G通信和高性能计算（HPC）等前沿技术的推动下，传统的可靠性测试方法已难以满足需求。本文将探讨脉冲技术在CMOS可靠性测试中的应用，以及它如何助力这些新兴技术的发展。引言对于研究半导体电荷捕获和退化行为而言，交流或脉冲应力是传统直流应力测试的有力补充。在NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验中，应力/测量循环通常采用直流信号，因其易于映射到器件模型中。然而，结
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CMOS 可靠性测试 脉冲技术 AI 5G HPC 泰克科技
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