- 根据相机及影像产品协会（CIPA）公布的数据，2024 年 1 月至 5 月，中国市场相机出货量全球占比达到 23.4%，跃居继美洲之后的全球第二大市场。在智能手机冲击下曾一度遇冷的相机市场，如今因直播电商、短视频等新兴产业的崛起而重新焕发生机。产品创新与流量经济的交织，正在为传统行业打开一条全新的消费路径。日本佳能副社长、执行董事小泽秀树也表示，2023 年中国数码相机市场实现了 25% 的增长，其中无反相机更是增长了 31%，预计 2024 年这一增长势头将持续，无反相机的增长有望达到 35%。随着近
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无反相机 CMOS 传感器
- 关于射频模拟设计中的噪声分析，通过示例了解噪声系数度量，包括本规范的关键方面。除了一些特定的应用，例如，当需要抖动效果时，噪声通常是一种不想要的现象。科学家和工程师已经表征了不同电路元件产生的噪声，并开发了可用于分析电路噪声性能的方法。在模拟电路设计中，我们通常将噪声效应建模为输入参考噪声电压和电流源。然而，在射频（RF）设计中，噪声系数度量可以是表征电路噪声性能的更有用的方法。在本文中，我们将介绍噪声系数度量，强调该规范的一些微妙之处，最后看一个例子来澄清所讨论的概念。射频模拟设计中的噪声分析我们通常用
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噪声系数度量，射频电路，噪声，RF
- 本文要点：• 小信号 RF 放大器的用途。• 用于小信号 RF 放大器的分压器晶体管偏置电路。• 单级小信号 RF 放大器的设计步骤。几乎所有的电子电路都依赖于放大器，放大器电路会放大它们接收到的输入信号。基本的放大器电路由双极结型晶体管组成，晶体管偏置使器件在有源区运行。晶体管的有源区用于放大目的。当晶体管偏置为有源区时，施加在输入端子上的输入信号会使输出电流出现波动。波动的输出电流流过输出电阻，产生经过放大的输出电压。有些放大器能放大微弱 RF 输入信号且（与静态工作点相比）输出电流波动较小，它们称为
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RF 放大器
- 8月19日消息，今日，晶合集成宣布与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CMOS图像传感器（以下简称CIS），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。据了解，晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台，与思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限。同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。晶合集成表示，首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，既标志着光刻拼接技术在
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CMOS 晶合 图像传感器 索尼
- 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，该公司与思特威联合推出业内首颗 1.8 亿像素全画幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 图像传感器），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。▲ 产品图，图源晶合集成，下同据介绍，为满足 8K 高清化的产业要求，高性能 CIS 的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的 55 纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依
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CMOS 图像传感器 CIS
- 在采样速率和可用带宽方面，当今的射频模数转换器(RF ADC)已有长足的发展，其中还纳入了大量数字处理功能，电源方面的复杂性也有提高。那么，RF ADC为什么有如此多不同的电源轨和电源域？为了解电源域和电源的增长情况，我们需要追溯ADC的历史脉络。早期ADC采样速度很慢，大约在数十MHz内，而数字内容很少，几乎不存在。电路的数字部分主要涉及如何将数据传输到数字接收逻辑——专用集成电路 (ASIC) 或现场可编程门阵列 (FPGA)。用于制造这些电路的工艺节点几何尺寸较大，约在180 nm或更大。使用单电压
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ADI RF ADC
- 近期，Guerrilla RF宣布收购了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模块产品组合。Guerrilla RF表示，通过此次收购，公司获得了Gallium Semiconductor 所有现有的元件、正在开发的新内核以及相关知识产权(IP)。公司将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化。Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示，公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管，并将其
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Guerrilla RF Gallium GaN
- 为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章，但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为，那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中，我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
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CMOS，MOSFET 晶体管，Spice模型
- 6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF
GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。目前，NP12-0B鉴定测试已经完成，最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成，并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍，该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN
HEMT技术，该技术结合了多项改进，以增强直流和射频的耐用性，并增加芯片级防潮性。NP12-0
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纯化合物 半导体 RF GaN
- 当CMOS反相器切换逻辑状态时，由于其充电和放电电流而消耗功率。了解如何在LTspice中模拟这些电流。本系列的第一篇文章解释了CMOS反相器中两大类功耗：动态，当反相器从一种逻辑状态变为另一种时发生。静态，由稳态运行期间流动的泄漏电流引起。我们不再进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍SPICE仿真，以帮助您更彻底地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文关注的是开关功率——当输出电压变化时，由于电容充电和放电而消耗的功率。LTspice逆变器的实现图1显示了我们将要使用的基本LTspice逆变器
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CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
- 本文解释了CMOS反相器电路中的动态和静态功耗。为集成电路提供基本功能的CMOS反相器的发展是技术史上的一个转折点。这种逻辑电路突出了使CMOS特别适合高密度、高性能数字系统的电气特性。CMOS的一个优点是它的效率。CMOS逻辑只有在改变状态时才需要电流——简单地保持逻辑高或逻辑低电压的CMOS电路消耗的功率非常小。一般来说，低功耗是一个理想的功能，当你试图将尽可能多的晶体管功能封装在一个小空间中时，这尤其有益。正如计算机CPU爱好者提醒我们的那样，充分去除集成电路中的热量可能很困难。如果没有CMOS反相
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CMOS，反相器，功耗
- Teledyne Technologies[纽交所代码：TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列，推出Flash 2K LSA，该产品专门适用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光轮廓应用。Teledyne
e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash
2K传感器的衍生产品，适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用，其角度响应在30°角度下为四倍以上，在
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CMOS 图像传感器 Flash
- 问题引入在工作中，会遇到OC门与OD门的称谓。而感性的认识一般为：OD门是采用MOS管搭建的电路，压（电压）控元器件。OC门是采用晶体管搭建的电路，流（电流）控元器件。而OD门的功率损耗一般是小于OC门，为什么？电平TTL电平：输出电平：高电平Uoh >=2.4v 低电平Uol <= 0.4v输入电平：高电平Uih >= 2.0v 低电平 Uil <= 0.8vCMOS电平：输出电平：高电平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND输入电平：高电平Uih >= 0.7*VCC U
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TTL电路 CMOS
- 用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异，实现在线检测，大大提高了检测效率，同时对产品进行全检，检测结果更为客观、更准确。无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋，在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么，相机厂商该如何应对这些需求提出的挑战呢？Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合，并具备：色彩校正矩阵，用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现；高质量图像，卓越的灵敏度和动态范围，能够较大限度提升图像对比度；灵活多变的自定义触发设置，准确触发
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传感器 色彩 CMOS
- 在低频下工作的普通电路与针对RF频率设计的电路之间的关键区别在于它们的电气尺寸。RF设计可采用多种波长的尺寸，导致电压和电流的大小和相位随元件的物理尺寸而变化。这为RF电路的设计和分析提供了一些基础的核心原理特性。基本概念和术语假设以任意负载端接传输线路（例如同轴电缆或微带线），并定义波量a和b，如图1所示。图1.以单端口负载端接匹配信号源的传输线路。这些波量是入射到该负载并从该负载反射的电压波的复振幅。我们现在可以使用这些量来定义电压反射系数Γ，它描述了反射波的复振幅与入射波复振幅的比值：反射系数也可以
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ADI RF 波反射
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