- 我在之前的博文中论述了无线电频率(RF)取样结构对宽带系统的优势，但有些系统的运行需要中等带宽，或有其它重点考虑的因素。有源天线阵使用多个专用于产生比单个元件更集中的辐射模式天线。这种集中的模式可将天线增益增加到预定目标或用户，并可同时对波束图型以外区域提供干扰抑制，从而无需过多信号带宽。
雷达阵列就是一种用于精确定位空间目标的有源天线系统。图1中所示的简单的3×3阵列系统能够导引两个维度的波束来追踪目标。
图 1：3×3雷达天线阵列
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TI RF
- 移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供
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Qorvo GaN
- 今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。 移动市场对RF SOI的追捧持续升温，因为它以高性价比实现了低插入损耗，在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择，能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度，同时有望在物联网中发挥关键作用。
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RF-SOI 5G
- 氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被
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GaN PFC
- 基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起，能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。如需了解更多信息
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TI GaN
- 氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平，为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。 GaN的优势 从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计
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安森美 GaN
- 数据转换器充当现实模拟世界与数字世界之间的桥梁已有数十年的历史。从占用多个机架空间并消耗大量电能(例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗为500W)的分立元件起步，数据转换器现已蜕变为高度集成的单芯片IC。从第一款商用数据转换器诞生以来，对更快数据速率的无止境需求驱动着数据转换器不断向前发展。ADC的最新化身是采样速率达到GHz的RF采样ADC。 早先的ADC设计使用的数字电路非常少，主要用于纠错和数字驱动器。新一代GSPS(每秒千兆样本)转换器(也称为RF采样ADC)利用
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ADC RF
- 2.4GHz频段现已成为家庭、办公室和工厂短距离无线应用的普遍选择。通常，2.4GHz信道隶属于免许可的工业、科学和医学(ISM)频 段。ZigBee(IEEE 802.15.4)、Bluetooth(IEEE 802.15.1)、Wi-Fi(IEEE 802.11 b/g/n)、无线通用串行总线(WUSB)和私有协议(如MiWi)等许多协议以及部分无绳电话均采用此频段。然而，在2.4GHz ISM频段运行的不同协议会相互干扰。 因此，评估
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2.4GHz RF
- 根据彭博新闻(Bloomberg)的消息，中国厂商对于收购恩智浦半导体(NXP Semiconductors)的标准产品业务兴趣浓厚;该报导引述匿名消息来源指出，恩智浦可能会开价至少20亿美元出售标准产品业务，而有兴趣的买家包括投资业者北京建广资本(JAC Capital)在内。
恩智浦的标准产品(standard products)业务负责生产离散元件如二极体、电晶体、MOSFET、ESD保护元件以及标准逻辑晶片，该业务部门营收占据该公司整体营收约20%。而中国近年来致力于扶植本土半导体产业，
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恩智浦 RF
- 在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时，急需复习射频基础知识。如果没有考虑滤波器类型和最低技术规格要求方面的基本要素，可能导致产品不能通过“测试”，结果产品又得重新开始设计，导致代价昂贵的生产推迟。另一方面，懂得如何准确确定滤波器参数，将有助于使生产出的产品满足客户的生产标准和功能。事实上，这种知识有助于在提高产品在市场上的成功机会的同时，控制生产费用。 从基础开始 在当今无线领域，激烈的扩展带宽的竞争迫使人们要更加关注滤波器的性能。如
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RF 微波滤波器
- RF电路布局要想降低寄生信号，需要RF工程师发挥创造性。记住以下这八条规则，不但有助于加速产品上市进程，而且还可提高工作日程的可预见性。
规则1：接地通孔应位于接地参考层开关处
流经所布线路的所有电流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不过回流通常流经相邻的接地层或与信号线路并行布置的接地。在参考层继续时，所有耦合都仅限于传输线路，一切都非常正常。不过，如果信号线路从顶层切换至内部或底层时，回流也必须获得路径。
图1就是一个实例。顶层信号线路电流下面紧挨着就是回流。当它转移到底层时，回
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RF 寄生信号
- 英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。
利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。
相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波长的蓝位移随着驱动电流增加而
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GaN LED
- 英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。 利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。 相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波
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GaN LED
- 由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体(CMOS)FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。
在此过程中，该实验室已经确定半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。
氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否
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GaN 场效应晶体管
- 本文以改善RF的信号质量(频带外的不必要辐射)为目的，介绍使用了片状铁氧体磁珠和片状电感器的移动终端的PA电源线的噪声对策方法。 以智能手机为首的移动无线终端的Power Amplifier (PA)中，为了抑制不必要的辐射(频带外的&杂散发射)，寻求改善PA的电源质量(PI: 电源完整性)的例子很多。在无线通信中，以国际标准(ITU)为首，3GPP(无线通信标准机构)，以及各运营商都对不必要的辐射的范围值设定了严格的标准。因此，我们有必要通过PA的电源线的噪声
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RF 噪声
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