- 射频功率技术领先供应商飞思卡尔半导体日前宣布，为手持移动无线电应用推出一款6W的新器件—AFT05MS006N。凭借这个旗舰型Airfast RF功率解决方案组合的最新产品，飞思卡尔成为唯一一家能够支持所有移动无线电功率级别的供应商，功率范围从5W的手持单元到75W的数字移动无线电设备和基站。 虽然针对的是手持移动无线电应用，6W的 AFT05MS006N因其卓越的灵活性和较宽的功率范围，也广泛适用于更高功率的移动无线电解决方案。6W的 AFT05MS006N整合了电路
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飞思卡尔 RF AFT05MS006N
- 恩智浦半导体将在今年3月及4月亮相中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN 2014)、国际无线会议(IWS 2014)及电子设计创新会议(EDI CON 2014)，展示其高性能的RF射频解决方案以及如何以这些方案帮助消费者实现“智慧生活、安全连结”。 恩智浦3月20-22日在北京参展中国国际广播电视信息网络展览会:展位号1B国际馆603展台 中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN 2014)是亚太地区规模最大的广播影视技术设备展览会，同时也是
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恩智浦 RF CCBN ISM BLF888D
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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转换器 RADAR系统 RF
- 2011年9月，泰克公司的MDO系列集成示波器正式亮相，以一种全新的量测仪器迅速打开了市场。 据泰克公司时域业务部总经理Mike Flaherty透露，时至今日，MDO系列产品已经实现了1亿美元的销售额，并将在总值达5亿美元的中端市场中与MSO系列产品平分秋分。 “嵌入式系统的无线技术方面发生了根本转变。由于RF技术如此成熟和经济，它们逐渐被接受和广泛运用，如同几年前的串行数据技术一样”，泰克公司主流示波器总经理Dave Farrell表示，“此外，随着数字信号的速度不断增加，
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泰克 MDO3000 MDO4000B RF EMI
- 作为尖端半导体解决方案的全球领先企业，三星电子今日宣布为其28纳米工艺技术新增射频(RF)功能。随着物联网快速成为现实，三星晶圆代工事业部开始助力芯片设计人员在设计中集成高级RF功能，使互联家用电器、车载信息娱乐系统和供暖/制冷系统等连接应用成为可能。 “现在市场上只有少数晶圆代工厂能够提供先进制程工艺，而能在芯片设计中集成RF功能的选择则更为有限。“三星晶圆代工事业部市场营销副总裁韩承勋指出，”随着我们进入物联网时代，智能连接设备也将更加普及，更小和节能型的RF设计对SoC解决方案来说至关重要。为
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三星 28nm RF 物联网 晶圆
- 超低功耗(ULP)射频(RF)专业厂商Nordic Semiconductor ASA宣布与分销巨头Digi-Key 公司签署了全球分销协议，涵盖所有ULP产品系列，包括业界领先的蓝牙低功耗解决方案。 Nordic的蓝牙低功耗解决方案包括多次获奖、带有内置32位ARM Cortex M0 CPU 的nRF51822 系统级芯片(SoC)、高集成度nRF8001连接IC、瞄准匙扣 (key tag-t
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Nordic ULP RF Digi-Key 低功耗
- 全球领先的单芯/单模RF前端模块提供商RFaxis公司宣布，荣获北美Frost&Sullivan技术创新领导大奖。RFaxis致力于单芯/单模RF前端集成电路(RFeIC™)研发，推出独特的无线通信RF前端解决方案。 Frost&Sullivan根据其对于无线通信射频前端模块(RF FEM)市场的最新分析结果，认为RFaxis的创新解决方案实现了卓越性能、功能与经济性的完美结合，已经得到证明是传统GaAs (砷化镓)解决方案的理想替代选项。 传统上，FR
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RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
- 射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市，这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求，这是2013年6月公布的公司射频功率业务战略防御计划发布的首套产品。 飞思卡尔现在为美国国防系统客户提供与其他市场相当的支持水平，使客户可以优化这些射频器件的性能，适合雷达、军用通信和电子战的应用。这些产品包含在飞思卡尔产品长期供货计划中，根据不同产品可确保最低10年或15年的产品供应。 此外，飞思卡尔射频国防市场专家组成的专门团队拥有符合I
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飞思卡尔 LDMOS RF 国防
- 连接/参考器件AD8368800MHz线性dBVGA，内置AGC检波器ADL590250MHz至9GHz、65dBTruPwr检波器评估和...
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检波 RMS RF 检波器
- 2014 年 1 月 30 日，凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 300MHz 至 6GHz 有源下变频混频器 LTC5577，该器件具有卓越的 +30dBm IIP3 (输出三阶截取) 和 0dB 转换增益。
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凌力尔特 混频器 LTC5577 RF
- 为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
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Cascode GaN 场效应管
- GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
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GaN.功率元件
- 拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前宣布，凭借高性能数字预失真(DPD)解调器扩展了其业界领先的 RF信号链产品系列。
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IDT DPD RF
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
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