中国第三代半导体产业南方基地(以下简称“南方基地”)正式落户东莞。9月30日，中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会在东莞召开。国家科技部原副部长、国家第三代半导体产业决策委员会主任曹健林，广东省副省长袁宝成、省科技厅厅长黄宁生，市委副书记、市长梁维东，国家第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等领导出席中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会并见证签约仪式。
副市长杨晓棠，市政府党组成员、松山湖管委会主任殷焕明等参加了启动仪式。
为广东实现半导体产业化提
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半导体 GaN
日前在上海举办的“RF-SOI研讨会”上，SOI产业联盟称，RF-SOI生态系统现已建立完善，并成为天线调谐器与射频开关的主流技术，占据了95%的市场份额，该系统有利于IoT连接和5G的发展，为了更深层地与射频前端器件结合，RF-SOI这种突破型技术还需要更多的创新和突破性的方案。
目前，RF-SOI技术主要应用于智能手机、WiFi等无线通讯领域，具有性能高、成本低等优势。上海新傲科技股份有限公司总经理王庆宇称，国际上3G/4G手机用的射频器件
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RF-SOI 5G
1. RF无线射频电路设计中的常见问题射频(RF) PCB设计，在目前公开出版的理论上具有很多不确定性，常被形容为一种“黑色艺术”。通常情况下，
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RF 集成电路
随着去年Dialog取得了台湾敦宏科技40%的股份后，国际Fabless业者Dialog于今日又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电(TSMC)在GaN(氮化镓)元件的合作。
Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall
透过台积电以六寸晶圆厂的技术，Dialog推出了DA8801，Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall在会后接受CTIMES采访时表示，该款元件为目前产业界首款将逻辑元件与GaN FET整合为单一
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Dialog GaN
德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体...
下一代行动无线网路——5G，将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的一种建构模组
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GaN 5G
相信很多人都有在某猫/某狗平台购买生鲜的经历。
不用出门、生鲜到家，甚是便利。
然而生鲜的新鲜与否却像是买彩票。
买家不爽。
卖家艰难。
据统计，全国4000多家生鲜电商，实现盈利的只有1%。
果食帮停业;天天果园关店;爱鲜蜂陷入裁员风波……
我国每年约有20%-25%的果品和30%的蔬菜在中转运输和存放中腐烂损坏，总量达上亿吨，价值750亿元。
不成熟的冷链物流，是到手的生鲜不鲜的罪魁祸首，更是对生鲜电商的发展形成掣肘。
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RF 4G
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp)
不过，姑且不论摩尔定律(Moors’ Law)能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器(Power Ad
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GaN SiC
近日，ADI推出RadioVerse™技术和设计生态系统。并且作为RadioVerse™生态系统发布的一部分，推出了集成式宽带RF(射频)收发器产品系列中的最新成员——AD9371。这是一款高度灵活的运营商级片上系统无线电解决方案，在标准工作条件下可实现300MHz到6GHz的宽RF调谐范围、100MHz信号带宽以及低于5W的功耗。可以取代或消除多达20个分立无线电器件，且能用作多种应用和标准的通用设计平台，提高研发效率并缩短终端产品的上市时间。宽带RF收发器系列还包括AD9361和AD9364等其他
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ADI RadioVerse RF 201608
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(Nagoya University)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都
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GaN 蓝光LED
尊敬的媒体朋友，
您好!
今天，我们非常荣幸地邀请您参加本次Qorvo在北京召开的“One China Operation”新闻发布会，共同见证Qorvo工厂在中国的茁壮成长。Qorvo (Nasdaq: QRVO)是移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商。Qorvo致力于为实现全球互联的各种应用提供解决方案，并拥有业内最广泛的产品组合和核心技术。
今年，Qorvo在山东德州建立了中国第二家工厂，工厂占地47，000平方米，是Qor
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Qorvo RF
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.近期宣布，其在中国的新工厂投入运营。该新工厂位于山东省德州，占地47,000平方米，是Qorvo在华设施占地面 积的两倍以上，并增加了关键的最新组装、封装和测试技术，帮助公司满足其RF解决方案不断增长的需求。
Qorvo 亚太区运作及大中华区业务副总裁GC Lee表示：“德州业务的开展提供了大量的最新线焊、倒装芯片和铜柱技术，同时扩充了产能，有助于Qorvo更好地为中国和全球客户服务。工厂最新的
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Qorvo RF
安立公司在其市场领先的 E 系列 Site Master™、Spectrum Master™ 和 Cell Master™ 手持式现场分析仪中推出 CPRI RF 测量性能，可大幅简化安装在 4G 塔上的远端射频头 (RRH) 的测试过程，并降低相关成本。该全新选件进一步巩固了安立公司作为现场测试解决方案领域行业领导者的地位，使得负责无线网络的无线运营商工程师、技术人员和承包商在地面上即可识别无线传输上行链路的干扰源，避免使用不必要且费用高昂的爬塔人员，从而降低网络
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安立 RF
当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
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GaAs GaN
台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaN on Si)技术生产GaN晶体管。
台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。
其中，耐压650V的常关
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台积电 GaN
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