- 多年来，蓝牙技术作为汽车和驾驶员之间连接的纽带，在提高道路行驶安全性的同时不断丰富着驾乘体验，蓝牙免提通话和音频播放功能帮助司机在驾驶时减少分心并且更加安全地观察道路状况。
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RF MCU GFSK BLE NFC
- 作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国 Soitec 半导体公司于 7 月 22 日公布了 2021 财年第一季度（截止 2020 年 6 月 30 日）的业绩，合并收入为 1.336 亿欧元，与 2020 财年同期的 1.194 亿欧元相比下降 4.9%（按固定汇率和边界1计下降5.2%）。这主要归因于 +0.2% 的汇率增值带来的积极影响，以及 +0.1% 的范围效应，此范围效应与 2019 年 5 月收购 EpiGaN 相关。● 2021 财年第一季度收入达 14
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EBITDA RF
- Wi-Fi和5G被认为是自动驾驶汽车的推动力，其挑战在于这些技术如何协同工作并共存——频谱干扰可能会对车辆的运行和乘客安全产生不利影响。本文讨论了支持车辆互联的技术，以及高选择性滤波器解决方案如何解决Wi-Fi与V2X间的共存，以实现车辆通信。
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V2X 频谱 RF 滤波器 BAW 202008
- 无线技术在过去的20年里快速从3G发展到4G，现在已到了5G的时代。有一个技术问题一直贯穿这一发展的过程，即高频器件的自动校准测试。
RF ATE和现场测试系统面临的最困难的挑战是校准、可重复性和测试结果的关联度。未来的无线技术的发展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多输入端口ADC利用非并行片上高频交叉点开关输入电路技术，使用户可在RF ATE和/或现场测试环境中使用自动校准和测量技术。
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RF 5G LNA CPS ADC CPS
- 作为一家设计和生产创新性半导体材料的技术领导企业，来自于法国的Soitec以提供高性能超薄半导体晶圆衬底材料来助力整个信息产业的创新，通过不断革新更优化的制造材料，确保半导体芯片能够以更高性能和更好的稳定性提供服务。特别是伴随着5G技术的不断推进，基于RF-SOI的衬底在确保5G智能手机用芯片的性能方面起到了至关重要的作用，可以说Soitec的技术是促进5G智能手机快速普及的幕后英雄之一。 当然，“幕后英雄”也因为其先进的技术获得企业的飞速发展，Soitec全球战略执行副总裁Thomas PILISZCZ
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Soitec RF-SOI FD-SOI
- 欧书俊，张国俊，王姝娅，戴丽萍，钟志亲（电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 611731） 摘 要：本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关，提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关的方法，分别为：增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关，分别为增大局部驱动面积的十字型梁，降低弹性系数的三叉戟型、蟹钳型和折叠型梁。在梁的长度、厚度和初始间隙等参数一致的情况下，通过CMOSOL软件建模仿真得到了这4种悬臂梁的驱动电压，分别为7.2 V、5.6 V、
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202007 RF MEMS 悬臂梁 驱动电压 弹性系数
- 对电网资产进行数据分析，可帮助运营商快速发现故障，同时还可对主要设备进行预测性维护，而如今几乎已不存在这种情况。确定采用哪种特定的无线技术，如低于1 GHz、低功耗蓝牙®、Wi-Fi®或多标准协议，取决于数据、带宽、节点之间的距离、所需连接数、可用功率以及所需的响应时间等因素。电网的发展需要在现有的有线连接基础上增加无线连接，以进行资产监控和控制。增加无线连接的主要因素包括：● 采用带分布式能源资源与传统发电、输电和配电一起使用的分散式微电网模式。● 对远程
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FCI RF
- 电磁噪声是指任何一种多余的电磁能量，其强度足以使信号失真。因此，设计高性能数据采集应用或任何具有特别敏感信号路径的系统时，必须克服噪声问题。在电源方面，由于其基本的工作原理，高效的DC/DC转换器可能成为重要的噪声源。它们既会在转换器的开关频率处产生低频纹波，也会产生因转换器功率级中电压和电流的快速切换而引起的高频噪声。与开关式稳压器结合使用的降噪技术示例包括额外的过滤无源元件，诸如缓冲电路、铁氧体磁珠和馈通电容器，或在电源路径中包含线性电源，如低压差稳压器。虽然这些方案在大多数应用中都能很好地发挥作用，
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RF PWM
- 宽禁带半导体特别是GaN和SiC这两年成为整个功率器件材料关注的焦点，由于GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于......
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安世 GaN MOSFET
- 我国正在大力进行新基建，工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时，SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起，奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件？近日，ST（意法半导体）亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访，分享了对工业市场的预测，并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
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电源 SiC IGBT GaN
- 是德科技 日前宣布， Sporton 公司选择使用是德科技的 5G 测试平台 向全球设备市场提供全方位的一致性测试和监管测试服务。是德科技是一家领先的技术公司，致力于帮助企业、服务提供商和政府客户加速创新，创造一个安全互联的世界。Sporton 是一家在中国大陆、中国台湾和美国运营的认证测试机构，该机构选择了是德科技的 5G 一致性测试工具套件，用以执行射频（RF）和无线资源管理（RRM）设计验证与测试（DVT）以及一致性测试
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RF OTA CATR
- 近日，安世半导体宣布推出新一代H2技术的全新650V GaN（氮化镓） FET。重点应用场合包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 1.5~5kW钛金级工业电源，用于机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。 日前，安世半导体MOS业务集团大中华区总监李东岳详细解析了安世半导体的GaN FET蓝图以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN产品升级 2019年，安世半导体正式推出650V GaN MOSFET，采用级联技术，利用高压GaN配合低压
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安世半导体 GaN
- 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化镓 GaN
- 随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
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宽禁带 半导体 SiC GaN
- Imagination Technologies 近日宣布推出基于其Ensigma Wi-Fi技术的最新硅知识产权（IP）产品 IMG iEW400 。iEW400集成了射频（RF）和基带，专为物联网（IoT）、可穿戴设备和可听戴设备等低功耗和电池供电型应用而设计。iEW400基于最新的IEEE 802.11ax Wi-Fi 6标准，可通过如下一系列新功能提供更强大的性能、吞吐量和节能性：● 以20/40MHz频宽运行：支持低数据速率应用，
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IP RF IoT
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