各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
2019年9月30日 — 美国国家仪器(National Instruments，简称NI)是一家提供软件定义平台的供应商，其平台有助于加速自动化测试和自动化测量系统的开发和性能提升，该公司今日发布了硬件加速的5G毫米波OTA验证测试参考架构，可对5G 毫米波波束成形AiP器件进行全面的特性分析和验证。与传统的点对点软件控制测试系统相比，NI的毫米波OTA验证测试参考架构可在24 GHz到44 GHz的5G毫米波频段内快速扫描OTA空间，帮助用户显著缩短AiP器件的OTA射频验证测试时
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RF NI 5GOTA
定向耦合器用于检测RF功率，应用广泛，可以出现在信号链中的多个位置。本文探讨ADI公司的新器件ADL5920，其将基于宽带定向耦合器与两个RMS响应检测器集成在一个5 mm×5 mm表贴封装中。相比于要在尺寸和带宽之间艰难取舍的传统分立式定向耦合器，该器件具有明显的优势，尤其是在1 GHz以下的频率。在线RF功率和回波损耗测量通常利用定向耦合器和RF功率检波器来实现。图1中，双向耦合器用于无线电或测试测量应用中，以监测发射和反射的RF功率。有时希望将RF功率监测嵌入电路中，一个很好的例子是将两个或更多信号
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RF 测量 回波 功率
2019年9月17日 中国上海 - SOI产业联盟( SOI微电子完整价值链的领先行业组织)今日宣布了半导体行业的两位杰出获奖者,分别是来自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事长兼首席技术官Jim Cable和中芯集成电路(宁波)有限公司的首席执行官兼总经理Herb Huang(黄河),二位为RF-SOI (一种广泛用于蜂窝通信芯片的领先技术)技术进步做出贡献而荣获此殊荣。此次SOI产业联盟在上海举办了年度RF-SOI论坛,共有来自中国和世界各地的450多位行业领袖参加,是SOI
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SOI RF
全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
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Cree 射频 GaN on SiC磊晶技术
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并
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德州仪器 600V氮化镓（GaN）功率器件
运营商利用现有的频谱和面向大规模 MIMO 基站的新型前端无线电解决方案快速迁移至 5G
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Qorvo® 5G RF 设备
摘要 软件定义无线电(SDR)代表了一种对传统射频(RF)设计技术的突破。原有的传统系统只能提供固定的功能，而且包含的功能也非常有限。通过灵活的RF前端和高性能数字硬件，开发人员可以利用新技术从无线频谱中获取更多容量，并构建高度差异化的系统。工程师可以用SDR构建抗干扰能力更强的无线电系统，应用更高级的信道编码方案来提高数据速率，并可利用其他先进的RF技术。还能够访问包括开源程序库在内的硬件和软件生态系统，这意味着比以往任何时候都更容易获得SDR设计经验。 自从20多年前推出2G蜂窝网络以来，RF
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SDR RF
中国，北京 – 2019年3月7日 – 移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo,
Inc.(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布，多项新款智能手机设计成功采用最新一代 RF Fusion™ 射频前端 (RFFE)
模块。这些最新应用成果表明，Qorvo 现在利用高度集成的中频/高频模块解决方案，能够为多家领先的智能手机制造商提供广泛的新产品发布支持。最新一代 RF
Fusion 模块包括功率放大器、开关和滤波器组件，采用 Qorvo 独有的内核功能组合
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Qorvo RF
MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI)
(以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布，将在2019年扩大ST工厂150mm
硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设，基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。 随着全球推出5G网络并转向大规模MIMO(M-MIMO)天线配置，射频RF功率产品需求预计
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MACOM GaN
全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
产品组合。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM)
领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、
两级PA架构的高效设计，以及顶端和底端安
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MACOM GaN
目前，氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用，其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透，而且对射频/微波行业的影响越来越大，不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高，但它也有其他用例。自推出以来，GaN的发展历程令人瞩目，随着5G时代的到来，它可能会更加引人关注。
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GaN RF
目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，从目前的材料工艺角度来看，主要针对5G的Sub-6GHz范围。以PA为例，许多业内人士认为，GaN技术的运用将能为PA带来高效低功耗的优势。
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射频 GaN
今年整个产业在技术上也是节节攀升，2018年可以说是产业高速发展的一年，全球电子产业也产生了众多技术突破。
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芯片，GaN
目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
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半导体 SiC GaN
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