- 了解欠压锁定（UVLO）如何保护半导体器件和电子系统免受潜在危险操作的影响。当提到电源或电压驱动要求时，我们经常使用简化，如“这是一个3.3 V的微控制器”或“这个FET的阈值电压为4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之间的任何电源电压下正常工作，而具有4 V阈值电压的MOSFET可能在3.5 V至5 V之间获得足够的导电性。但即使是这些基于范围的规范也可能具有误导性。当VDD轨降至2.95V时，接受3.0至3.6 V电源电压的数字
- 关键字：
欠电压闭锁，UVLO MOSFET，IC
- STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入引脚，让设计人员可以定义栅极驱动信号的极性。STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离，电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。4A吸电流/拉电流驱动能力使其适用于高端家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机
- 关键字：
MOSFET UVLO
- 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能，可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率，适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。贸泽电子备货的TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种
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GaN UVLO
- 简介ACPL-339J是一种先进的智能IGBT门驱动耦合器接口，支持1.0A双输出，易于使用。ACPL-339J 经独特设计支持具有灵活电流额定值的MOSFET的电流缓冲器，使得系统设计师能够更加轻松地通过互换MOSFET缓冲器和功率IGB
- 关键字：
IGBT 门驱动 耦合器接口 欠压锁定 UVLO
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