- 据韩国媒体消息,中国监管机构审查了SK海力士垄断的可能,并就该家韩国芯片制造商从英特尔手中收购NAND闪存业务进行评估,并决定批准该收购,这为SK海力士扫清了最后一个障碍。
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SK海力士 英特尔 NAND 闪存
- 中国西安正受疫情影响而封城,目前尚无法预期解封时间,根据TrendForce调查,由于三星(Samsung)在当地设有两座大型工厂,均用以制造3D NAND高层数产品,投片量占该公司NAND Flash产能达42.3%,占全球亦达15.3%,现下封城措施并未影响该工厂的正常营运。然而,当地封城措施严格管控人流及物流,尽管2021年底至2022年一月中以前的出货多已经安排妥适,但无法排除接下来因物流延迟出货的可能,这将可能对采购端的物料安排造成影响。此外,该公司的原物料进货也有可能受到物流受阻而延迟,但三星
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TrendForce 三星 NAND Flash
- 根据TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash产业总营收达148.2亿美元,季增5.1%,其中位出货量成长11%,大致抵消平均销售单价下跌5%带来的影响。在议价时,需求端虽受惠于笔电、智能型手机需求强劲,但数据中心市场需求仍属疲弱,市场尚未脱离供过于求的状态,各类产品合约价仍呈现明显下跌。然而,OEM/ODM采购开始留意到NAND Flash控制器缺货冲击中低容量产品供给,自今年一月下旬便开始增加订单,一方面避免陷入缺货风险,也希望在料况无虞的情况下,策略性扩大市占,使得第一季NAND
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NAND Flash
- 2020 年11 月,美光科技宣布出货全球首款176 层NAND,实现闪存性能和密度的重大突破(如图1)。为此,《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技术开发高级总监Kunal Parekh 和NAND 组件产品线高级经理KevinKilbuck。问:176 层产品目前用于哪些应用?Kevin Kilbuck:我们Crucial英睿达品牌的某些消费类固态硬盘采用了176 层NAND,已经开始出货。问: 新的176 层NAND 如何解决产量挑战?如何解决层间干扰?Kunal Parekh: 通过严格的试验和测
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202103 NAND
- 近日,美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会,该公司举办了线上媒体沟通会,执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测,以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1 2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年,全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测,半导体产业预计增长可达12%,整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中,内存与存储预计增长可达19%,增度远超整
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DRAM NAND
- 存储芯片大厂美光(Micron)执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示,2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年显现明显复苏,并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品,一种是DRAM(动态随机存储器),用于缓存,另一种是NAND
Flash(闪存),用于数据的存储。在DRAM领域,韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND
Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称,预期今
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美光科技 DRAM NAND
- 今天举办的2020内存存储日活动上,Intel一口气发布了六款全新的内存、存储新产品,首先来看面向数据中心市场的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316,同时全球首发144层堆叠的QLC NAND闪存,都支持PCIe 4.0。Intel虽然已经将NAND闪存业务和工厂卖给SK海力士,但是交易并未完成,Intel既有路线图也会继续执行,同时交易也不涉及傲腾技术和产品,Intel会持续推进。2016年,Intel推出了第一代32层堆叠TLC闪存,次年翻番到64层并进化为TLC颗粒,存储密度提高了13
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QLC SSD Intel
- · SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND(TLC或pSLC)闪存· 新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社(TSE:6762)将于2020年12月推出新一代闪存产品,该产品拥有5个系列,并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 闪存 SSD

IT之家了解到,美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产,并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。
- 11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11
月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚,美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术,该技术具有 176
层存储单元堆叠。新的
176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品,上一代 3D NAND 则是 128
层设计,算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下,美光 128 层 3D NAND 并没有特
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美光 3D NAND
- 半导体并购再起。2020年以来,半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM,AMD洽谈收购赛灵思,半导体领域接连出现重大变数,金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务,以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过,英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易,超过三星在20
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SK海力士 英特尔 NAND 存储芯片
- 说到QLC SSD,就不得不提三星 860 QVO SSD。作为最早搭载QLC闪存颗粒的消费级SATA SSD,三星 860 QVO
SSD刚发布的时候就因为其性能表现欠佳,而引发了不少用户和媒体人的讨论:QLC(4bit MLC)到底有没有实际意义?它是不是大号U盘?等等。虽然刚开始大家都视QLC SSD为洪水猛兽,纷纷对三星 860 QVO
SSD持保留态度,但是随着其售价不断的下探,主打的大容量和读写性能的强劲,还是有不少玩家无法逃脱“真香定律”选择入手,相比一开始消费者的迟疑反应而言,无论
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QLC SSD
- HDD硬盘的出货量不断下滑,现在大容量方面也要遇到SSD的挑战了——群联今天宣布推出S12DC主控方案,搭配QLC闪存可以做到15.36TB容量,是QLC中最高记录。群联的S12DC方案不追求极致性能,基于此的SRE250硬盘使用的是SATA 6Gbpos接口,2.5寸、7mm厚度常规标准,容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面,连续读取为530MB/s,连续写入为220MB/s,4K随机读取90K IOPS,4K随机写入10K IOPS,功耗4.5W。这个QLC硬盘的性
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QLC 闪存硬盘
- Q3季度闪存价格又要跌10%,今年6大原厂将会把重点转向128层堆栈的3D闪存生产上来。国产的长江存储也赶上来了,4月份推出了128层QLC闪存,在中国电子信息博览会首次亮相。长江存储这次展示了64层、128层堆栈的闪存,其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存,基于Xtacking堆叠架构,单位面积的存储密度是同类产品中最大的。目前长江存储的量产主力就是64层TLC闪存,已经随光威、国科微、金泰克、七彩虹等厂商的SSD硬盘上市。长江存储展示的另一个重点是128层QLC闪存,这是今年4月13日才
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长江存储 128 QLC 闪存
- 寂半年之后,无论是业内人士还是广大消费者,都渴望换换环境、出去走走,在深圳会展中心看一场科技盛宴再适合不过。8K智慧屏、5G芯片、机器人、新能源汽车,还有会跳舞的机器人,这些来自世界各地的炫酷黑科技和创新成果都将出现在CITE2020。相比以往,CITE2020不仅更侧重世界科技创新合作,也更聚焦于时代风口下的“科技”之争,注重科技与生活的结合。对于即将到来的CITE2020,面对那些不胜枚举的震撼现场,你准备好了吗?搭建电子信息全产业链展示、交流平台!作为中国电子信息产业的窗口和引领产业发展风向标,第八
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CITE2020 CMO QLC
- 随着数据中心支持的人工智能(AI)和机器学习(ML)工作负载越来越多,市场需要具备更宽存储带宽和更高单机架存储密度的云级别基础设施。因此,市场的趋势是按照如M.2和全球网络存储工业协会(SINA)新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸(EDSFF) E1.S等行业标准,采用体积更小、且支持第四代PCIeÒ的非易失性存储器高速(NVMe™)固态硬盘。这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点,能驱动NAND闪存发挥最大潜力,同时保持这种企业级NVMe固态硬盘所需的丰富功能集和可靠性。Microchip
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QLC TLC AI ML SINA IOPS
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