- · SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND(TLC或pSLC)闪存· 新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社(TSE:6762)将于2020年12月推出新一代闪存产品,该产品拥有5个系列,并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 闪存 SSD

IT之家了解到,美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产,并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。
- 11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11
月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚,美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术,该技术具有 176
层存储单元堆叠。新的
176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品,上一代 3D NAND 则是 128
层设计,算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下,美光 128 层 3D NAND 并没有特
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美光 3D NAND
- 半导体并购再起。2020年以来,半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM,AMD洽谈收购赛灵思,半导体领域接连出现重大变数,金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务,以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过,英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易,超过三星在20
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SK海力士 英特尔 NAND 存储芯片
- 说到QLC SSD,就不得不提三星 860 QVO SSD。作为最早搭载QLC闪存颗粒的消费级SATA SSD,三星 860 QVO
SSD刚发布的时候就因为其性能表现欠佳,而引发了不少用户和媒体人的讨论:QLC(4bit MLC)到底有没有实际意义?它是不是大号U盘?等等。虽然刚开始大家都视QLC SSD为洪水猛兽,纷纷对三星 860 QVO
SSD持保留态度,但是随着其售价不断的下探,主打的大容量和读写性能的强劲,还是有不少玩家无法逃脱“真香定律”选择入手,相比一开始消费者的迟疑反应而言,无论
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QLC SSD
- HDD硬盘的出货量不断下滑,现在大容量方面也要遇到SSD的挑战了——群联今天宣布推出S12DC主控方案,搭配QLC闪存可以做到15.36TB容量,是QLC中最高记录。群联的S12DC方案不追求极致性能,基于此的SRE250硬盘使用的是SATA 6Gbpos接口,2.5寸、7mm厚度常规标准,容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面,连续读取为530MB/s,连续写入为220MB/s,4K随机读取90K IOPS,4K随机写入10K IOPS,功耗4.5W。这个QLC硬盘的性
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QLC 闪存硬盘
- Q3季度闪存价格又要跌10%,今年6大原厂将会把重点转向128层堆栈的3D闪存生产上来。国产的长江存储也赶上来了,4月份推出了128层QLC闪存,在中国电子信息博览会首次亮相。长江存储这次展示了64层、128层堆栈的闪存,其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存,基于Xtacking堆叠架构,单位面积的存储密度是同类产品中最大的。目前长江存储的量产主力就是64层TLC闪存,已经随光威、国科微、金泰克、七彩虹等厂商的SSD硬盘上市。长江存储展示的另一个重点是128层QLC闪存,这是今年4月13日才
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长江存储 128 QLC 闪存
- 寂半年之后,无论是业内人士还是广大消费者,都渴望换换环境、出去走走,在深圳会展中心看一场科技盛宴再适合不过。8K智慧屏、5G芯片、机器人、新能源汽车,还有会跳舞的机器人,这些来自世界各地的炫酷黑科技和创新成果都将出现在CITE2020。相比以往,CITE2020不仅更侧重世界科技创新合作,也更聚焦于时代风口下的“科技”之争,注重科技与生活的结合。对于即将到来的CITE2020,面对那些不胜枚举的震撼现场,你准备好了吗?搭建电子信息全产业链展示、交流平台!作为中国电子信息产业的窗口和引领产业发展风向标,第八
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CITE2020 CMO QLC
- 随着数据中心支持的人工智能(AI)和机器学习(ML)工作负载越来越多,市场需要具备更宽存储带宽和更高单机架存储密度的云级别基础设施。因此,市场的趋势是按照如M.2和全球网络存储工业协会(SINA)新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸(EDSFF) E1.S等行业标准,采用体积更小、且支持第四代PCIeÒ的非易失性存储器高速(NVMe™)固态硬盘。这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点,能驱动NAND闪存发挥最大潜力,同时保持这种企业级NVMe固态硬盘所需的丰富功能集和可靠性。Microchip
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QLC TLC AI ML SINA IOPS
- 据国外媒体报道,研究机构预计,销售额在去年大幅下滑的NAND闪存,在今年将大幅增长,同比增长率将达到27.2%,销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看,在集成电路的33个产品类别中,NAND闪存今年销售额的同比增长率,将是最高的,是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言,NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场,仅次于DRAM,后者的销售额预计为645.55亿美元,较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中,在全球集成电路市场,NAND闪存今年的销售额将占到15.2%,仅次于
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NAND 闪存
- 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力,能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷,从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间(包括那些依赖于极端紫外线(EUV)光刻技术的芯片)。eSL10的研发是始于最基本的构架,针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术,可提供高分辨率,高速检测功能,这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示:“利用单一的高能量电子
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DRAM NAND
- 根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查,尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降,但云端服务、远距教学的需求也同步催生,加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货,促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言,目前需求以SSD占最大宗,与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出,当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻,初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变,首次转进SSD的
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NAND Flash
- 4年前的2016年,国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期,不仅量产了64层闪存,今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动,整个项目投资高达240亿美元,约合1697亿元。在开工仪式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。赵伟国表示,国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建设3D NAND
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国产 128层 QLC 闪存
- 据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资8万亿韩元(约合人民币466亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始,预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命,以及5G普及而来的NAND需求。上月,三星电子还透露,已在平泽投资建设生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设,预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有7条
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三星 NAND 闪存
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道,第一季Enterprise
SSD仍是供不应求。此外,自年初起,各供应商当时的库存水位多已恢复至正常,也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情,根据集邦咨询当时的调查,服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机,也因此对于数据中心需求
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NAND 三星 intel
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。
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集邦咨询 数据中心 NAND Flash
qlc nand介绍
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