- 据国外媒体报道，研究机构预计，销售额在去年大幅下滑的NAND闪存，在今年将大幅增长，同比增长率将达到27.2%，销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看，在集成电路的33个产品类别中，NAND闪存今年销售额的同比增长率，将是最高的，是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言，NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场，仅次于DRAM，后者的销售额预计为645.55亿美元，较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中，在全球集成电路市场，NAND闪存今年的销售额将占到15.2%，仅次于
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NAND 闪存
- 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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DRAM NAND
- 根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查，尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降，但云端服务、远距教学的需求也同步催生，加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货，促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言，目前需求以SSD占最大宗，与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出，当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻，初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变，首次转进SSD的
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NAND Flash
- 4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。赵伟国表示，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND
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国产 128层 QLC 闪存
- 据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条
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三星 NAND 闪存
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise
SSD仍是供不应求。此外，自年初起，各供应商当时的库存水位多已恢复至正常，也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情，根据集邦咨询当时的调查，服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，也因此对于数据中心需求
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NAND 三星 intel
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。
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集邦咨询 数据中心 NAND Flash
- 新闻要点● 全新的性能型和经济型 SSD 的灵活选择满足了从轻薄笔记本到高性能工作站客户端PC系统的存储需求；● M.2 外形规格的美光 2300 SSD 采用美光创新的 96 层 3D NAND 技术，具备行业领先的 2TB 容量[1]；● 美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性价比；与机械硬盘相比，采用了美光 QLC 架构的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。内存和存储解决方案领先供应商 Micron Techn
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QLC SSD
- 处理器龙头英特尔(Intel)近期在快闪存储器的发展上也随着其他各家厂商的脚步，开始有了新的进度。根据外媒报导，英特尔的快闪存储器部门最近公布了发展蓝图，在目前其他各家NAND快闪存储器供应商都已经开始向1xx层堆叠的发展当下，作为主要NAND制造商之一的英特尔也预计在2021年全面转向144层堆叠的产品发展。
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英特尔 144层 NAND
- 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
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群联 控制芯片 长江存储3D NAND
- 在QLC闪存的商用上，Intel和曾经的亲密战友美光（英睿达）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道开卖了很长一段时间。日前，Intel非易失性存储解决方案负责人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出货量超1000万。她同时公布，基于144层3D QLC闪存（内部命名为Arbordale Plus技术，家族第四代闪存）的SSD（代号Keystone Harbor）会在今年底出货，Intel准备在2021年内将整个SSD产品线都迁移到144层闪存芯片上。不仅如此，Intel确认，容量密度更高
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Intel SSD QLC
- 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
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群联 3D NAND 长江存储
- 上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到了1.33Tb容量,创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进,三星等公司也没闲着,三星正在开发160堆栈的3D闪存。对3D闪存来说,堆栈层数越多,容量就越大,存储密度就越高,这是3D闪存的核心竞争力,2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。不过每家的技术方案不同,东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的,美光、SK海力士有128层的,Intel的是144层,而且是浮栅极技术的,三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层
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128 QLC
- 新闻要点● 美光率先在业界推出面向数据中心的四层单元 (QLC) NAND 技术；● 基于 QLC 技术的美光5210 SATA SSD 正在引领数据中心从 HDD 过渡到 QLC SSD，凭借其全新容量和创新的工作负载洞察，满足通用服务器和存储的需求；● 强劲的客户需求和 OEM 厂商验证，推动美光 QLC SSD 进入市场。内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司
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QLC OEM
- 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，接下来，长江存储将跳过如今业界常见的96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总
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长江存储 3D NAND
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