近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
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DRAM NAND
全球范围看，2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元，增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市场规模约占56%，NAND Flash市场规模约占41%（IC Insights数据）。另外，根据CFM 闪存市场预计，2021年全球存储市场规模将达1620亿美元，增长29%，其中DRAM为945亿美元，NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近，相差100亿美元。目前，全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
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存储芯片 DRAM NAND Flash
国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支：半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析 国内开始布局存储产业规模化，中国大陆的存储器公司陆续成立，存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下，国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。 半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
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存储 DRAM 市场
根据TrendForce最新研究显示，尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱，但先前DRAM原厂议价强势，并未出现降价求售迹象，使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下，部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图，尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力，此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%，扩大至近10%，若后续引发原厂竞相降价求售的状况，跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望，且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上，除非有极大的价格
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TrendForce DRAM
今天一早国产首个桌面操作系统正式发布，最终命名为“openKylin（开放麒麟）”将进一步推动国产操作系统的发展，而目前该系统已经陆续交付给PC、笔记本厂商，目前已经有新产品即将上市。作为开发者的麒麟软件表示，openKylin社区将充分利用其数十年的操作系统研发成果，中标麒麟、银河麒麟就是由中国麒麟软件有限公司基于Linux开发的操作系统，目前国产系统基本已经能够适配手机、笔记本、电脑以及众多的电子设备。
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PC 操作系统 国产
据TrendForce研究，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第三季DRAM价格下跌3～8％的主因，且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持续走弱情况下，引发PC OEMs下修整年出货目标，同时也造成DRAM库存快速飙升，第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存，采购力道尚难回温。同时，由于整体DRAM产业仍处于供过于求，因此即便
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TrendForce DRAM
随着京沪等地疫情形势得到控制，2022年电商行业年中大促——“618购物节”伴随着复工、复产的脚步正式拉开帷幕。本次618的开启不仅极大程度地助力了疫后的消费重启，同时也承载着各大电商平台以及商家的期待。进入2020年以来，疫情的反复促使居家办公、线上会议等混合办公的场景成为当下流行趋势，而混合办公所需的终端产品也逐渐受到大家的关注，成为当下电商平台的主流产品。近年来大火的直播电商，也慢慢发生着一些微妙的改变, “店铺直播” 开始慢慢取代头部流量主播成为带货主力。混合办公促进终端产品碎片化进入2022年，
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PC 混合办公
SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
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SK海力士 英伟达 HBM3 DRAM
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
内存大厂华邦电日前宣布扩大利基型DDR3产出，争取韩系DRAM厂退出后的市占率，推升营收及获利续创新高。华邦电自行开发的20奈米DRAM制程，将于明年导入至高雄厂量产，为长远发展奠定良好的基础与成长动能，同时满足5G基地台、人工智能物联网（AIoT）、电动车及车用电子、元宇宙等产业大趋势强劲需求。华邦电第一季迎来利基型DRAM价格回升，SLC NAND及NOR Flash价格回稳，季度营收265.14亿元为历史次高，归属母公司税后净利年增近1.9倍达45.59亿元并创下历史新高，每股净利1.15元优于预期
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DRAM 华邦电 AIoT 元宇宙
2022年5月10日 ，作为先进内存技术的厂商，三星宣布开发出三星首款512 GB 内存扩展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商业化迈出了重要一步，CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。三星半导体512GB 内存扩展器 CXL DRAM与以往版本相比，新开发的CXL内存容量为其4倍，从而让服务器扩展至数十TB，而系统延迟仅为其五分之一三星还将推出其开源软件工具包的升级版本，以推动CXL内存在现有和新兴IT系统中的部署自2021年5月推出三星首款配备
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三星 内存扩展器 CXL DRAM
英特尔最近宣布了推动实现温室气体净零排放的愿景，并设定了促进科技行业减少碳足迹的新目标。为支持这一愿景，台式机、工作站和游戏(DWG)部门将持续改进产品和平台的性能与效率，帮助合作伙伴和客户降低系统总体碳足迹。近日，英特尔台式机和工作站可持续发展技术专家Kathleen Fiehrer撰文，阐述英特尔的可持续发展承诺及相应举措。DWG当前正在努力降低台式机、塔式工作站等固定式产品的碳足迹，这项工作颇为不易。碳足迹模型显示，笔记本电脑系统的排放主要来自制造阶段，服务器排放则主要来自运营阶段。然而，固定式产品
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英特尔 PC 碳排放
多年来，移动处理器的生产商致力于优化设计，以在有限的功耗预算、存储空间和带宽范围内获得最佳性能。过去，显然这些考量因素在数据中心或个人电脑（PC）等市场并未得到重视。如今，传统数据中心和PC市场的变革正在悄然发生——改变处理器设计规则，让开发人员重新考虑其芯片架构以获得更高的性能功耗比。移动处理器设计原则运用于PC和数据中心今天，越来越多的云游戏、数据挖掘、人工智能/数据分析和高性能计算均在云端实现。虽然这些应用的要求各不相同，但在不断提高计算量的要求方面如出一辙。数据中心无法通过不断扩大物理占地面积来满
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数据中心 PC 处理器设计
根据市调预估，第二季整体DRAM平均价格跌幅约0～5％，跌幅相较上季已明显缩小。由于买卖双方库存略偏高，再加上需求面如笔电、智能型手机等受近期俄乌战事和高通膨影响，进而削弱消费者购买力道，目前仅服务器为主要支撑内存需求来源，故整体第二季DRAM仍有供过于求情形。在标准型PC DRAM方面，受俄乌战争影响，引发PC OEM对第二季的订单采保守备货策略，且可能持续影响下半年旺季订单情形，进而下修今年的出货目标，然而整体供给位却仍在增长，故第二季PC DRAM价格跌幅达3～8％，且可能会进一步恶化。在服务器DR
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今日三星宣布，高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm) 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM，并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以来，三星与高通技术公司密切合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5
(6.4Gbps)快约1.2倍，有
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