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pc dram 文章 最新资讯

国产首个电脑系统正式发布 “开放麒麟”交付

  • 今天一早国产首个桌面操作系统正式发布,最终命名为“openKylin(开放麒麟)”将进一步推动国产操作系统的发展,而目前该系统已经陆续交付给PC、笔记本厂商,目前已经有新产品即将上市。作为开发者的麒麟软件表示,openKylin社区将充分利用其数十年的操作系统研发成果,中标麒麟、银河麒麟就是由中国麒麟软件有限公司基于Linux开发的操作系统,目前国产系统基本已经能够适配手机、笔记本、电脑以及众多的电子设备。
  • 关键字: PC  操作系统  国产  

TrendForce:第三季DRAM价格预估下跌3~8%

  • 据TrendForce研究,尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑,第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响,进而使得整体DRAM库存上升,成为第三季DRAM价格下跌3~8%的主因,且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持续走弱情况下,引发PC OEMs下修整年出货目标,同时也造成DRAM库存快速飙升,第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存,采购力道尚难回温。同时,由于整体DRAM产业仍处于供过于求,因此即便
  • 关键字: TrendForce  DRAM  

“618” PC换机好时机,助力混合办公

  • 随着京沪等地疫情形势得到控制,2022年电商行业年中大促——“618购物节”伴随着复工、复产的脚步正式拉开帷幕。本次618的开启不仅极大程度地助力了疫后的消费重启,同时也承载着各大电商平台以及商家的期待。进入2020年以来,疫情的反复促使居家办公、线上会议等混合办公的场景成为当下流行趋势,而混合办公所需的终端产品也逐渐受到大家的关注,成为当下电商平台的主流产品。近年来大火的直播电商,也慢慢发生着一些微妙的改变, “店铺直播” 开始慢慢取代头部流量主播成为带货主力。混合办公促进终端产品碎片化进入2022年,
  • 关键字: PC  混合办公  

SK海力士将向英伟达供应业界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片,从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以实现加速计算(accelerated computing)SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory,高带宽存储器):是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
  • 关键字: SK海力士  英伟达  HBM3  DRAM   

3D DRAM技术是DRAM的的未来吗?

  • 5月25日,有消息传出,华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限,DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前,DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么,10nm是DRAM工艺的极限吗?在回答这个问题之前,我
  • 关键字: DRAM  3D DRAM  华为  三星  美光  制程  纳米  

利基型DRAM持续扩产 华邦电 抢攻AIoT、元宇宙

  • 内存大厂华邦电日前宣布扩大利基型DDR3产出,争取韩系DRAM厂退出后的市占率,推升营收及获利续创新高。华邦电自行开发的20奈米DRAM制程,将于明年导入至高雄厂量产,为长远发展奠定良好的基础与成长动能,同时满足5G基地台、人工智能物联网(AIoT)、电动车及车用电子、元宇宙等产业大趋势强劲需求。华邦电第一季迎来利基型DRAM价格回升,SLC NAND及NOR Flash价格回稳,季度营收265.14亿元为历史次高,归属母公司税后净利年增近1.9倍达45.59亿元并创下历史新高,每股净利1.15元优于预期
  • 关键字: DRAM  华邦电  AIoT  元宇宙  

三星推出512GB 内存扩展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ,作为先进内存技术的厂商,三星宣布开发出三星首款512 GB 内存扩展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商业化迈出了重要一步,CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。三星半导体512GB 内存扩展器 CXL DRAM与以往版本相比,新开发的CXL内存容量为其4倍,从而让服务器扩展至数十TB,而系统延迟仅为其五分之一三星还将推出其开源软件工具包的升级版本,以推动CXL内存在现有和新兴IT系统中的部署自2021年5月推出三星首款配备
  • 关键字: 三星  内存扩展器  CXL DRAM  

英特尔推动PC行业可持续发展,携手合作伙伴减少碳排放

  • 英特尔最近宣布了推动实现温室气体净零排放的愿景,并设定了促进科技行业减少碳足迹的新目标。为支持这一愿景,台式机、工作站和游戏(DWG)部门将持续改进产品和平台的性能与效率,帮助合作伙伴和客户降低系统总体碳足迹。近日,英特尔台式机和工作站可持续发展技术专家Kathleen Fiehrer撰文,阐述英特尔的可持续发展承诺及相应举措。DWG当前正在努力降低台式机、塔式工作站等固定式产品的碳足迹,这项工作颇为不易。碳足迹模型显示,笔记本电脑系统的排放主要来自制造阶段,服务器排放则主要来自运营阶段。然而,固定式产品
  • 关键字: 英特尔  PC  碳排放  

未来PC和数据中心处理器将基于移动设计原则

  • 多年来,移动处理器的生产商致力于优化设计,以在有限的功耗预算、存储空间和带宽范围内获得最佳性能。过去,显然这些考量因素在数据中心或个人电脑(PC)等市场并未得到重视。如今,传统数据中心和PC市场的变革正在悄然发生——改变处理器设计规则,让开发人员重新考虑其芯片架构以获得更高的性能功耗比。移动处理器设计原则运用于PC和数据中心今天,越来越多的云游戏、数据挖掘、人工智能/数据分析和高性能计算均在云端实现。虽然这些应用的要求各不相同,但在不断提高计算量的要求方面如出一辙。数据中心无法通过不断扩大物理占地面积来满
  • 关键字: 数据中心  PC  处理器设计  

第二季度DRAM跌幅估缩小

  • 根据市调预估,第二季整体DRAM平均价格跌幅约0~5%,跌幅相较上季已明显缩小。由于买卖双方库存略偏高,再加上需求面如笔电、智能型手机等受近期俄乌战事和高通膨影响,进而削弱消费者购买力道,目前仅服务器为主要支撑内存需求来源,故整体第二季DRAM仍有供过于求情形。在标准型PC DRAM方面,受俄乌战争影响,引发PC OEM对第二季的订单采保守备货策略,且可能持续影响下半年旺季订单情形,进而下修今年的出货目标,然而整体供给位却仍在增长,故第二季PC DRAM价格跌幅达3~8%,且可能会进一步恶化。在服务器DR
  • 关键字: DRAM  集帮咨询  

三星LPDDR5X DRAM已在高通骁龙移动平台上验证使用

  • 今日三星宣布,高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm) 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM,并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以来,三星与高通技术公司密切合作,优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X,用于骁龙移动平台。LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5 (6.4Gbps)快约1.2倍,有
  • 关键字: 三星  LPDDR5X  DRAM  高通  骁龙  

从实用角度聊聊 Wintel为何还是胜过苹果一筹

  • 大家可以试着考虑一个问题,如果从实用性角度来看,英特尔11代酷睿+Windows 11是否更胜苹果M1+MacOS一筹呢?对于我个人以及身边不少朋友来说确实如此。无论是在兼容性、易用性,还是在拓展性、泛用性方面,基于英特尔11代酷睿+Windows 11的电脑都更容易上手,使用起来也无需担心兼容性问题。作为一名11代酷睿+Windows和苹果M1+MacOS双修的打工人,我个人对此深有感触。而如果你正在为此事而烦恼、正在为选择哪个阵营而纠结,那么不妨来看看这篇文章。笔者现在自用的笔记本电脑有两台,
  • 关键字: Wintel  苹果  PC  

英特尔发布新PC芯片 预期研发的超算速度将翻倍

  •   10月28日消息,据外媒报道,美国当地时间周三,芯片巨头英特尔发布了一款速度更快的新个人电脑(PC)处理器芯片系列,并称其正在帮助美国政府开发的超级计算机速度将达到先前预期的两倍。  在输给AMD和苹果等竞争对手后,英特尔正在努力夺回制造速度最快计算芯片的领先地位。苹果和AMD都使用外包方式来制造芯片,而英特尔始终在内部制造模式中苦苦挣扎。  在旨在说服软件开发商为其芯片编写代码的活动上,英特尔展示了其用于PC的第12代英特尔酷睿芯片,代号为“奥尔德湖”(Alder Lake)。该公司表示,该产品线最
  • 关键字: 英特尔  PC  芯片  

微结构不均匀性(负载效应)及其对器件性能的影响:对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究

  • 随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中,我们将为大家呈现,如何利用SEMulator3D研究先进DR
  • 关键字: DRAM  微结构  

美光确认EUV工艺DRAM 2024年量产:1γ节点导入

  • 三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息,CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后,EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认,美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图,将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产,预
  • 关键字: 美光  EUV  DRAM  
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