- 尔必达内存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，该公司与Spansion公司(Spansion Inc.)已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。
这家日本芯片制造商表示，该公司采用了所谓的电荷撷取(charge trap)技术来开发这个4G的NAND闪存芯片，该芯片的信元结构不同于现有的以传统浮动栅(floating gate)技术制造的NAND闪存芯片。该公司表示，这项新技术可帮助生产较目前市场
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尔必达 NAND
- 据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
- 根据集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部门DRAMeXchange最新研究报告指出，台系DRAM厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。南科除今年将12吋月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRAM厂之冠。
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南科 DRAM Flash
- 市场研究公司IC Insights日前预计，三星的芯片销售额或将在2014年超越英特尔。
基于广泛的芯片产品及扩张计划，三星的芯片营收将很快超过英特尔，成为第一大芯片厂商。IC Insights认为，在5到10年前，三星芯片营收将赶超英特尔的想法简直就是天方夜谭，但从1999年到2009年，三星IC营收以13.5%年复合 增长率(compound annual growth rate)的速度增长，而英特尔同期的年复合增长率仅为3.4%。基于此增长速率，IC Insights预计，三星的芯片销售额
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三星芯片 DRAM NAND
- Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯片的存储密度为64Gb，为三位元型闪存。
这款闪存芯片是由Intel与镁光合资的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型设计，一个存储单元可存储3位数据，比一般的单位元(SLC)/双位元(MLC)闪存的存储量更大。
这款产品的面积要比现有Intel与镁光公司推
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Intel 25nm NAND
- 据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。
首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售，用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储单元中保存三位信息，而非像传统芯片那样保存一到两位信息，英特尔宣称，这种芯片是目前市场上最有效率的。
英特尔副总裁及NAND开发组主管Tom Rampone声称25纳米已经是业界最小的尺寸，在开发完成25纳米程度的三层存储单元之后，公司还将继续为用户探索和发展更高级的产品。公司计划利
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英特尔 NAND 存储芯片
- iSuppli今天警告称闪存价格可能崩溃性地调整到1美元/GB，这是因为用于闪存产品的NAND记忆体价格今年开始冲高回落，并且技术的演变让内存单元的价位开始雪崩。
由于下降的价格，目前看上去过于昂贵的SSD将在两年时间内开始成为主流，而成本低得多的硬盘处理器则开始在高端市场被SSD挤占。
此外，快闪记忆体价格的总体下降对于各种手持设备是一个极大的利好消息，各种手机、智能本厂商将会带来更加丰厚的利润空间，乃至最后降低产品售价。
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NAND SSD
- 英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。
新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。
两家公司称，使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。
两家公司已经向客户发送样品，预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用 25纳米工艺生产。与每单
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英特尔 NAND 闪存芯片
- 2010年NAND Flash产业真是十分惨淡的1年，好不容易熬到第3季传统旺季，8月初合约价却还是跌不停，存储器业者表示，苹果(Apple)、诺基亚 (Nokida)等大厂需求仍十分强劲，但零售市场买气不振，模块厂拿货意愿不高，把平均合约价给拉下来，其中，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)主要供应苹果，走货较顺畅，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等传出库存水位较高，但又不愿降价，与模块厂陷入僵局。
近期大陆因为亚运因素，
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Apple NAND Flash
- 韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。
该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。
海力士称它的芯片是26nm的一种，有人称20nm级产品。三星是27nm的NAND闪存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20纳米 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD)，较首季的93亿美元(9.29 Billion USD)，成长约15%。在 NAND Flash 部分，品牌厂商第二季整体营收为47亿7,600万美元，较首季43亿6,300万美元成长约9.5%。
三星第二季营收仍居全球DRAM厂之冠
从市场面观察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手机，SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。
Hynix Cheong-ju M11工厂
Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品将于今年年底上市销售。Hynix公司虽然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 采用外接Flash存储器件对SOPC系统开发的实现,1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表现在两方面：一方面，可用Flash来保存FPGA的配置文件，从而可以省去EPCS芯片或解决EPCS芯片容量不够的问题。当系统上电后，从Flash中读取配置文件，对FPGA进行配置。
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系统 开发 实现 SOPC 器件 Flash 存储 采用
- 摘要：详细介绍DSP与Flash存储器的两种硬件接口方式及在线编程，分析了两种硬件接口方式下在线编程的区别，给出了相应的在线编程核心代码并在实际电路上测试通过，可作为DSP嵌入式系统设计的参考。
关键词：在线编程
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编程 软硬件 设计 在线 存储器 外部 Flash DSP
- VxWorks文件系统、Flash的TFFS设计与实现,0 引言
在VxWorks的应用系统中，基于flash的文件系统通常都采用DOS+FAT+FTL的结构。
一般情况下，磁盘文件系统大多是基于sector的文件系统，磁盘按照物理上分为柱面、磁盘、扇区，扇区是基于块的文件系统操作的
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设计 实现 TFFS Flash 文件 系统 VxWorks
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