- 2010年NAND Flash产业真是十分惨淡的1年，好不容易熬到第3季传统旺季，8月初合约价却还是跌不停，存储器业者表示，苹果(Apple)、诺基亚 (Nokida)等大厂需求仍十分强劲，但零售市场买气不振，模块厂拿货意愿不高，把平均合约价给拉下来，其中，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)主要供应苹果，走货较顺畅，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等传出库存水位较高，但又不愿降价，与模块厂陷入僵局。
近期大陆因为亚运因素，
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Apple NAND Flash
- 韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。
该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。
海力士称它的芯片是26nm的一种，有人称20nm级产品。三星是27nm的NAND闪存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20纳米 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD)，较首季的93亿美元(9.29 Billion USD)，成长约15%。在 NAND Flash 部分，品牌厂商第二季整体营收为47亿7,600万美元，较首季43亿6,300万美元成长约9.5%。
三星第二季营收仍居全球DRAM厂之冠
从市场面观察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手机，SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。
Hynix Cheong-ju M11工厂
Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品将于今年年底上市销售。Hynix公司虽然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 采用外接Flash存储器件对SOPC系统开发的实现,1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表现在两方面：一方面，可用Flash来保存FPGA的配置文件，从而可以省去EPCS芯片或解决EPCS芯片容量不够的问题。当系统上电后，从Flash中读取配置文件，对FPGA进行配置。
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系统 开发 实现 SOPC 器件 Flash 存储 采用
- 摘要：详细介绍DSP与Flash存储器的两种硬件接口方式及在线编程，分析了两种硬件接口方式下在线编程的区别，给出了相应的在线编程核心代码并在实际电路上测试通过，可作为DSP嵌入式系统设计的参考。
关键词：在线编程
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编程 软硬件 设计 在线 存储器 外部 Flash DSP
- VxWorks文件系统、Flash的TFFS设计与实现,0 引言
在VxWorks的应用系统中，基于flash的文件系统通常都采用DOS+FAT+FTL的结构。
一般情况下，磁盘文件系统大多是基于sector的文件系统，磁盘按照物理上分为柱面、磁盘、扇区，扇区是基于块的文件系统操作的
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设计 实现 TFFS Flash 文件 系统 VxWorks
- 摘要：U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便，因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动。分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路，并根据NAND Flash的物理结构和存储特点，增加U-
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实现 启动 Flash NAND U-Boot
- 日本半导体厂2010年度第1季(4~6月)财报表现明暗两极。东芝(Toshiba)、尔必达(Elpida)拜内存事业表现亮眼之赐，获利从谷底攀升;瑞萨电子(RenesasElectronics)则因系统芯片事业拖累，该季仍难挥别亏损阴霾。
东芝半导体事业的营业利益皆为NANDFlash所挹注。副社长村冈富美雄表示，受惠于苹果(Apple)iPhone等智能型手机需求带动，加上 NANDFlash均价跌幅趋缓，东芝半导体事业表现远超过预期。小幅亏损的系统芯片事业亦因NANDFlash的丰沛获利得以
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东芝 NAND
- VLSI提高IC预测，但是该公司看到虽然很多产品供不应求，但是有一种可能DRAM市场再次下跌。
同时由于经济大环境可能对于产业的影响，目前对于产业抱谨慎的乐观，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同样的看法。
VLSI在它的最新看法中发现各种数据是交叉的，按VLSI的最新预测，2010年IC市场可能增长30%，但是2011年仅增长3.7%。而2010年半导体设备增长96%。
而在之前的预测中认为2010年全球IC市场增长28.1%，其它预测尚未改变。
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芯片制造 NAND
- 无疑2009年对于闪存市场是可怕之年。
要感谢产业的很快复苏，预测2010年全球闪存市场已经很热，然而按Web-Feet Research报告，其供应链部分却遭受困境。
按Web-Feet刚公布的全球闪存的季度报告，NOR及NAND市场都很热。NOR市场由2009年的47亿美元，上升到2010年的57亿美元。而NAND市场与2009年相比增长33.4%，达215亿美元。
这是好的消息而坏消息在供应链中也开始传了出来。
Apple及其它OEM釆购大量的闪存，使得市场中有些购买者采
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闪存 NAND NOR
- iPhone、iPad等苹果i家族产品的热销，正引发连锁反应。
7月28日，闪存企业SanDisk全球高级副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir在上海接受本报记者专访时表示，苹果产品的热销消耗了整个闪存芯片市场不少库存，目前行业正处于供不应求的局面。
受此拉动，闪存芯片巨头们普遍迎来了一个靓丽的财季。
近期陆续出炉的最新一季财报显示，在iPhone以及iPad的拉动下，闪存芯片近期需求及价格大幅上升，英特尔、三星、美光、海力士、东芝、SanDisk等闪存芯片主要提供商在当季的销售
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NAND 闪存芯片 iPhone
- 据国外媒体报道，三星电子周五发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示，受芯片业务大幅增长的推动，公司第二季度净利润同比增长83%。
在截至6月30日的第二季度，三星电子净利润为4.28万亿韩元(约合36亿美元)。这一业绩好于上年同期，2009年第二季度，三星电子的净利润为2.33万亿韩元。三星电子第二季度运营利润为5万亿韩元(约合41亿美元)，创公司季度运营利润历史新高，同比增长87.5%。三星电子第二季度营收为37.9万亿韩元，较去年同期增长17%。三星电子本月初发布的初步财报显示，公司第
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三星电子 NAND 闪存芯片
- 未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多，如两次图形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金属栅等。由此，在未来的2011-2012年，甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间，它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议
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半导体制造 DRAM NAND
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