- 由于2010年第二季受到欧洲债信风暴影响、终端需求疲软以及库存水位偏高，下半年各项信息与消费型电子的出货均大幅下修，然而第二季各手机厂商有效去化库存以及智能手机成长力道强劲的情况下，下半年手机成长幅度将领先各项电子产品。也由于智能手机的热卖，带动了相关 NAND Flash 应用如 MCP 与内建式的 eMMC 、 POP 等产品的成长。
苹果(Apple)推出 iPhone 4 带动其它智能手机的热卖，预估2010年手机出货量将较2009年成长13%，达到13亿支的规模，而智能手机市场扮演重要
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智能手机 NAND
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到欧洲债信风暴影响、终端需求疲软以及库存水位偏高，下半年各项信息与消费型电子的出货均大幅下修，然而第二季各手机厂商有效去化库存以及智能手机成长力道强劲的情况下，下半年手机成长幅度将领先各项电子产品。也由于智能手机的热 卖，带动了相关 NAND Flash 应用如 MCP 与内建式的 eMMC 、 POP 等产品的成长。
苹果(Apple)推出 iPhone 4 带动其它智能手机的热 卖，集邦科技预估，2010年手机出货量将较2009年成长13%，达到13亿支的
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NAND 智能手机
- 台湾媒体报道，来自存储芯片制造商的消息称，尽管苹果的iPhone和iPad销售火爆，但也难阻主流MLC NAND闪存芯片期货价格在9月份上半月的下滑。
苹果为其iPhone和iPad放出了大量闪存芯片订单，但即便是这样也很难推动NAND闪存价格的上涨，这倒是违背了此前出现的苹果与NAND闪存之间的紧密联系效应。之前苹果产品的热销往往会导致NAND闪存市场的供不应求。
然而现实是，目前各个渠道的闪存芯片需求依旧微弱，学生返校季和即将到来的内地十一黄金周也很难让闪存价格反弹。
更有悲观的
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NAND 闪存芯片
- 基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用, 目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐渐被应用到嵌入式系统中。
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系统 YAFFS 应用 嵌入式 文件 NAND 闪存 基于
- Gartner现在预计今年全球半导体营收将达到3000亿美元，比去年增长31.5%。它之前预计今年半导体营收的增幅只有27.1%。包括手机和笔记本电脑在内的消费者电子产品在半导体销售中占大多数份额。手机出货量持续增长将推动半导体营收的增长，而电脑出货量增长速度的减慢将被平板电脑销售的增长所抵消。
Gartner表示，尽管个人电脑销售速度减慢，但今年NAND闪存和DRAM的营收仍将增长。DRAM营收今年将增长82.5%，几乎达到420亿美元，但它可能会从明年下半年开始减慢增长速度。Gartner预
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半导体 DRAM NAND
- 据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
- NAND Flash价格经历一段大修正后，原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NAND Flash大厂，在面对库存节节攀高的情况下，态度已开始松动，部分模块厂开始回补一些库存，不过，全球两大NAND Flash阵营三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)则因为有苹果(Apple)订单的撑腰，对于价格仍是相当强硬，显示苹果仍是NAND Flash产业的唯一大补丸。
近期NAND Flash价格修正颇深，除了欧洲和美国市场需求不佳，尤其是返校需求完全是虚晃一招外，大陆
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三星电子 NAND Flash
- 尔必达内存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，该公司与Spansion公司(Spansion Inc.)已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。
这家日本芯片制造商表示，该公司采用了所谓的电荷撷取(charge trap)技术来开发这个4G的NAND闪存芯片，该芯片的信元结构不同于现有的以传统浮动栅(floating gate)技术制造的NAND闪存芯片。该公司表示，这项新技术可帮助生产较目前市场
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尔必达 NAND
- 据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
- 根据集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部门DRAMeXchange最新研究报告指出，台系DRAM厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。南科除今年将12吋月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRAM厂之冠。
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南科 DRAM Flash
- 市场研究公司IC Insights日前预计，三星的芯片销售额或将在2014年超越英特尔。
基于广泛的芯片产品及扩张计划，三星的芯片营收将很快超过英特尔，成为第一大芯片厂商。IC Insights认为，在5到10年前，三星芯片营收将赶超英特尔的想法简直就是天方夜谭，但从1999年到2009年，三星IC营收以13.5%年复合 增长率(compound annual growth rate)的速度增长，而英特尔同期的年复合增长率仅为3.4%。基于此增长速率，IC Insights预计，三星的芯片销售额
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三星芯片 DRAM NAND
- Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯片的存储密度为64Gb，为三位元型闪存。
这款闪存芯片是由Intel与镁光合资的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型设计，一个存储单元可存储3位数据，比一般的单位元(SLC)/双位元(MLC)闪存的存储量更大。
这款产品的面积要比现有Intel与镁光公司推
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Intel 25nm NAND
- 据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。
首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售，用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储单元中保存三位信息，而非像传统芯片那样保存一到两位信息，英特尔宣称，这种芯片是目前市场上最有效率的。
英特尔副总裁及NAND开发组主管Tom Rampone声称25纳米已经是业界最小的尺寸，在开发完成25纳米程度的三层存储单元之后，公司还将继续为用户探索和发展更高级的产品。公司计划利
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英特尔 NAND 存储芯片
- iSuppli今天警告称闪存价格可能崩溃性地调整到1美元/GB，这是因为用于闪存产品的NAND记忆体价格今年开始冲高回落，并且技术的演变让内存单元的价位开始雪崩。
由于下降的价格，目前看上去过于昂贵的SSD将在两年时间内开始成为主流，而成本低得多的硬盘处理器则开始在高端市场被SSD挤占。
此外，快闪记忆体价格的总体下降对于各种手持设备是一个极大的利好消息，各种手机、智能本厂商将会带来更加丰厚的利润空间，乃至最后降低产品售价。
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NAND SSD
- 英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。
新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。
两家公司称，使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。
两家公司已经向客户发送样品，预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用 25纳米工艺生产。与每单
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