- 引言随着FPGA技术的发展，出现了一种新概念的嵌入式系统，即SOPC（SystemOnProgrammableChip）。SOPC技...
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FPGA SOPC NOR Flash 嵌入式
- 三星电子(Samsung Electronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)中所储存的影片、照片、音乐等再生速度将更上一层楼。
三星近期已完成可支持400Mbps资料处理速度的Toggle DDR2.0规格NAND Flash开发作业，并计划于2011年投入量产。三星计划20奈米制程以下的NAND Flash产品将
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三星电子 NAND
- 三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术，这比目前版本的NAND闪存接口技术快了十倍，这项技术将于英特尔、镁光和SanDisk共同开发的ONFI接口进行直接竞争，主要面向高性能产品例如SSD以及智能手机和消费电子产品。
三星和东芝公司目前供应NAND快闪记忆体市场70%的货源，因此它们在行业内具有相当大的话语权，这对他们的新规范计划将非常有利。
三星上个月
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三星 NAND 30nm
- 日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NAND Flash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产NAND Flash。另外，尔必达亦在研拟双方合作研发NOR Flash，并为其代工的可能性。
据悉，尔必达已取得飞索的NAND IP技术的授权，该项技术乃是以其称为MirrorBit的独家技术为基础。此外，尔必达计划自2011年起透过旗下的广岛12寸厂，为飞索代工生产高阶NAND Flash，而双方亦将各自进行客户营销。
路透(Reut
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尔必达 NAND
- 三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准，被业界广泛接受使用。
最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND闪存的10倍。
高速闪存接口的优势不言而喻，未来将
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三星 NAND 东芝
- 闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作，这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit/s。不过两家公司并没有透露他们什么时候会完成该标准规 范的制定工作，另外也没有说明新一代闪存规范使用的闪存芯片存储密度参数。DDR2.0 NAND闪存推出后将主要面向移动和消费级电子类应用。
现有的DDR1.0版本NAND闪存接口规范只是将DDR数据传输接口与传统的单倍数据传输率NAND单元结合在一起使用，接口数据传输率仅133Mbit/s
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三星 NAND
- 据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NAND Flash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。
据悉，尔必达与台湾创新存储器公司(TIMC)合作虽然破局，但尔必达与台湾业者联合抗韩的意图依旧存在，政府单位与尔必达互动密切，尔必达已于日前向经济部递出在台设立研发中心的初步计划书，经济部正进行审查中。
官员透露，尔必达来台设立研发中心的计划相当成熟，已进入实质合作内容洽谈中，研发中心切入的产品并非一般的动态存储器
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TIMC NAND DRAM
- 全球半导体市场需求成长已优于2008年秋季金融危机爆发前的水平，2010年5月半导体销售额续创新高。就地区别来看，含大陆在内的亚太市场占全球销售比重已过半并持续成长中，已成为全球半导体市场需求的强力支撑。然因市场对欧洲经济成长仍持疑虑，2010年秋季后市场需求动态值得关注。
美国半导体产业协会(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的统计数据指出，金融危机爆发前全球半导体销售高峰为2007年11月的231.2亿美元，而2010年5月全球半导体销售额达2
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DRAM NAND
- 编者点评：每年的SEMICON West时，时间己经过半，所以业界都会关心下半年与未来会是怎么样。2010年半导体业可能十分亮丽，似乎已成定局。然而对于设备业看似今年的增长幅度达90%，但是许多设备公司仍是兴奋不起来，因为2010年业绩的增长仍显不足于弥补之前的损失。而未来的前景有点模糊，增长点来自哪里?似乎谁也说不清楚。
SEMICON West美国半导体设备展览会即将开幕，与去年全球IC下降不同，如今半导体设备业有点红火。
按市场调研公司 VLSI预计，2010年半导体设备业增长96%
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半导体设备 NAND DRAM
- 近期台湾创新存储器公司(TIMC)获得经济部补助，联合茂德、晶豪打算从NAND Flash产业重起炉灶，加上力晶、旺宏亦纷投入NAND Flash市场，3方人马点燃台湾NAND Flash战火。力晶董事长黄崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash产业6年来投入新台币70亿元，是台湾血统最纯正技术，目前力晶NAND Flash技术脚步相较于国际大厂仍晚1个世代，但若未来成功走向20纳米制程，对台湾NAND Flash研发是很大突破。
事实上，力晶NAND Flash产品系师承日商瑞萨(Renes
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TIMC NAND
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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TMS320C6201DSP 处理器 Flash
- 据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。
今年第二季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是，智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件，从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是，供应商将根据合同义务和关系向关键
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NAND 闪存芯片
- 据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。今年第二 季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是，智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件，从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是，供应商将根据合同义务和关系向关键的合作
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NAND 闪存芯片
- 本文设计了一个Flash控制器controller_4G08，它建立了自己的指令集，可以方便地实现FPGA对Flash的控制和读写操作。FPGA主状态机可以在系统时钟频率下对controller_4G08发送指令，然后等待controller_4G08返回的中断
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Flash 控制 FPGA 实现 方案设计 controller_4G08
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