- 随着薄型电视等产品需求呈现增长，东芝(Toshiba)等日本半导体大厂也纷纷取消或缩短今年年底的新年假期持续进行生产，有别于去(2008)年年底动辄停工近20天的严峻局面。
报导指出，东芝旗下生产NAND型闪存的四日市工厂去年年底12吋产线停工达13天，惟因今年春天以后智慧型手机订单增加，故四日市工厂今年年底假期将持续进行生产不停工。
报导指出，NEC电子(NEC Electronics)旗下子公司所属的熊本川尻工厂原先计划于元旦期间停工2天，惟因使用于薄型电视和环保车的微控制器(MCU)
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Toshiba NAND MCU
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随着信息技术的发展，嵌入式系统越来越广泛地应用于手机通信、汽车、航空航天、工业控制等领域。在这些电子产品中，大多以嵌人式微处理器为核心，配套相关的外围辅助设备，对控制对象进行软硬件的功能
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编程 设计 实现 FLASH 外部 模式 MPC5554 JTAG
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TMS320DM642是TI公司推出的一款高性能的数字多媒体处理器，具有二级存储器和高速缓冲器，以及超长指令字结构。其运算速度快、体积小、功耗低的优点使得它在多媒体处理领域得到了广泛的应用。开发基于
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FLASH 642 DM 二级
- 据国外媒体报道，日本国内的半导体巨头重新开启了增产投资的大门。东芝公司一直生产手机等设备上使用的闪存，并在该领域排名全球第二，该公司计划与美国公司共同出资1500亿日元，以提高这方面的产能，增产程度约为4成。尔必达公司主要生产PC的内存，该公司计划在2010财年向主要生产厂投资600亿日元，将出货量提高3成。
自今年夏天以来，全球半导体市场呈现坚挺的走势，PC销售等在需求的刺激下得到恢复。全球经济危机后，日本IT业大公司一改过去的谨慎投资的态度而变为积极投资，以期待与韩国三星公司展开竞争。
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东芝 NAND
- 自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1,500亿日圆(约16亿美元)于NAND Flash事业，提高约4成产能;尔必达(Elpida)亦计划在2010年度中，投资600亿日圆于主力据点，以增加3成出货量。
报导指出，东芝拟于2010年度初期在三重县四日市NAND Flash厂导入尖端设备，此亦为2007年来东芝在NAND Flash事业上的大举投资。据悉，增设新生产线后，整厂生产规模将由26万
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东芝 NAND
- 据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。
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东芝 NAND 闪存芯片
- 据台湾媒体报道，近期市场传出中芯国际将切割代管的成都厂及武汉厂等两地晶圆厂，而两座厂将可能由中芯前总裁张汝京出面统筹管理，张汝京等于找到了新舞台。
台湾媒体引述“内部人士”的话报道称，成都及武汉两地政府日前希望与中芯国际CEO王宁国见面，但王宁国未有正面回应，目前中芯切割两晶圆厂政策已是箭在弦上，成都市政府上周密会中芯前总裁张汝京，两地政府希望未来成都厂及武汉厂由张汝京出面统筹管理。
据报道，中芯在张汝京时代，曾与成都、武汉等两地方政府达成协议，成都市政府出资成立成
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中芯国际 晶圆 NOR NAND
- 据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli最新研究数据显示，第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球NAND闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。
iSuppli资深分析师Michael Yang说：“东芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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东芝 NAND 闪存
- 东芝公司本周一发布了据称为业内最大容量的64GB嵌入式NAND闪存模组。这种模组内建专用的控制器，并内含16个采用32nm制程技术制作的32Gbit存储密度的闪存芯片，这种闪存芯片的厚度则仅有30微米。
这款内存模组产品装备在便携设备如iPod/智能手机等之上后，手机的存储容量将实现倍增。比如采用单闪存模组设计的iPhone的容量可由原来的32GB提升到64GB,而采用双闪存模组设计的iPod touch的最大容量则可达到128GB。
东芝本月将开始对外提供这种64GB嵌入式闪存模组的
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东芝 NAND 嵌入式 闪存模组
- 两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作，尽管过去喊出的台美日厂连手抗韩策略，在DRAM整合戏码停摆后没再被提起，但DRAM厂指出，实际上全球4大DRAM阵营板块运动，仍按照台美日厂连手抗韩局势发展。
随着三星和海力士都扩增2010年资本支出，隐约释出对
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Samsung DRAM NAND
- 延长Flash存储嚣使用寿命的研究,引 言
随着嵌入式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、MP3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用，Flash存储器已经逐步取代其他半导体存储元件，成为嵌入式系统中主要数据和程序载体。Flash存储器又称闪存
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寿命 研究 使用 存储 Flash 延长
- 台积电董事长张忠谋日前表示，台湾企业五年内成本将面临三大挑战，包括美元弱势引起的新台币汇率挑战，石油等原物料价格上涨引发的通膨，还有减碳增加的环保税负成本。
张忠谋只提到美元弱势，并没有说新台币有升值压力，张忠谋认为，全球经济都在复苏中，复苏力道缓慢，尽管景气慢慢复苏，但张忠谋认为，企业近中程的三大挑战相当严峻，所谓近中程大概是五年内，所以严峻因为是过去两年、甚至十年没遇见过。
第一个挑战是汇率。张忠谋说，台湾过去20年没有遭遇很大的汇率挑战，但美元愈来愈弱，这会是一个趋势，相对地新台币波
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台积电 芯片代工 DRAM NAND
- 12月上旬的存储器合约价格中，DRAM合约价意外持平开出，南亚科副总经理白培霖表示，主要是个人计算机(PC)厂急单涌入之故;而 NAND Flash合约价格则反应市场需求不佳，16Gb芯片价格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合约价格贴近现货价格水平，下游存储器业者都尽量减少库存水位，以免营运被跌价的NAND Flash芯片库存烫伤。
近期DRAM现货价格持续反弹，1Gb容量DDR2价格从2美元反弹至2.5美元，属于触底反弹，然整个市场的交易量是相当有限，反倒是原本各界预期12月上旬
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南亚科 NAND DRAM
- 12月9日消息，台积电董事长张忠谋昨日表示，台湾企业五年内成本将面临三大挑战，包括美元弱势引起的新台币汇率挑战，石油等原物料价格上涨引发的通膨，还有减碳增加的环保税负成本。
张忠谋只提到美元弱势，并没有说新台币有升值压力，张忠谋认为，全球经济都在复苏中，复苏力道缓慢，尽管景气慢慢复苏，但张忠谋认为，企业近中程的三大挑战相当严峻，所谓近中程大概是五年内，所以严峻因为是过去两年、甚至十年没遇见过。
第一个挑战是汇率。张忠谋说，台湾过去20年没有遭遇很大的汇率挑战，但美元愈来愈弱，这会是一个趋势
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- 据报道，为了更加快速的追赶台积电，三星计划将以后每年的代工芯片产能提高一倍直至达到台积电的规模。
根据iSuppli的统计，去年全球芯片代工市场的产值为190亿美元，而台积电独自占据了其中的100亿美元。
三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM内存和NAND闪存市场处于领先地位，但是他们在代工市场的收入却只有可怜的几亿美元。三星发言人近日表示，三星已经决定扩大其代工产能，目标直指台积电。
三星目前在韩国器兴(Giheung)有一座占地350英亩的晶圆厂，专门用于代工业务。三星一直强调
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