8月6日消息，日本芯片制造业龙头东芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片业务资本支出增长将减缓，并寻求扩张核能发电及智能型电网业务，3年后其电力及基础建设业务的获利，将达电子产品部的2倍。
东芝的半导体部门已连续3季出现营业亏损，使其减缓该部门支出，并在其它领域寻求固定营收来源，例如健康医疗及水处理等。
东芝目前预期，包含微芯片、传感器及液晶显示器(LCD)等电子产品部门于2012年3月底结束的会计年度，获利将达约1000亿日元(10亿美元);而届时社会基础建设业务获利则可达2000亿
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东芝 NAND 晶圆
尽管最近市场调研公司VLSI仍不修正半导体业阴沉的预测， 即09年全球设备市场下降44.2%及半导体市场下降12.4%，而其CEO Hutcheson对于IC工业仍非常乐观。
根据与Hutcheson的对话及公司的最新报告， 以下将结论刊出， 共有4个正面意见及2个负面看法。以下是为什么分析师呈现乐观或者担心的原因。
1. 看到回升
7月的周报IC销售额上升到33亿美元， 打破了三周来IC销售额的阴沉局面， 因为通常7月是典型的弱月份， 所以这条消息具正面意见。依周与周的比较，IC销
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Cisco 通讯 太阳能 NAND
在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格(ASP)约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元，较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收排行来看，Samsung营收为10亿3千7
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Micron NAND
随着EDA(电子设计自动化)技术的发展和可编程逻辑器件性能的不断提高，基于FPGA的可编程片上系统技术为系统设计提供了一种简单、灵活、高效的途径。基于NiosII的可编程片上系统(SoPC)设计中，几乎所有的应用设计都需要使用Flash存储器，而Flash的编程必需相应的目标板Flash编程设计支持。结合实际应用详细论述了目标板Flash编程设计的创建及应用。
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Flash SoPC 编程
据台湾媒体报道，东芝日前发生日本晶圆厂遭到雷击短暂停电事件，尽管NAND Flash产能并未受到影响，然令业界意外的是，由于该厂房主要生产包含快闪记忆卡控制芯片的逻辑IC产品，因此，使得东芝microSD卡供应量骤降，带动近期microSD卡价格上涨逾10%。
内存业者认为，过去记忆卡价格一直严重偏低，业界趁此机会调涨终端记忆卡售价，但NAND Flash芯片价格上涨机率则不高。
业内人士表示，2009年初NAND Flash芯片价格持续上涨，记忆卡价格却没有跟上来，导致NAND Flas
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东芝 NAND 晶圆
据国外媒体报道，美国知识产权公司BTG International Inc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉，称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利，要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为被告。
BTG申诉材料称，涉案专利与采用“多层存储单元”(MLC)技术的闪存芯片的编程和读取方法有关。MLC技术能降低闪存芯片制造成本，并提高存储密度。
申诉材料指出，包括手机、摄像机、笔记本和
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三星 NAND 闪存芯片 MLC
海力士(Hynix)NAND Flash产业之路命运多舛，之前48纳米制程量产不顺，加上减产之故，几乎是半退出NAND Flash产业，直到近期新制程41纳米制程量产顺利，才开始活跃起来，日前更打入苹果(Apple)iPhone 3G S供应链，获得认证通过，可以一起和东芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大厂一起「吃苹果」!
海力士2008年下半开始，NAND Flash出货量变得相当少，一方面是48纳米制程量产不顺，另一方面是NAND Flash价格崩盘，导致亏损
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Hynix NAND 48纳米 41纳米 34纳米 存储器
7月下旬NAND Flash合约价在一片淡季声中，仍是稳住阵脚，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈现持平。模块厂表示，三星电子(Samsung Electronics)释出数量不多，因此即使市场的买气平平，NAND Flash价格下跌压力有限，而英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营则是维持低价抢单的策略;市调机构英鼎(inSpectrum)预估，全球第3季的NAND Flash产出仍会较第2季成长25%，估计约16.26亿颗(以8Gb容量计算)。
根据英鼎
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三星 NAND 记忆卡
台塑集团布局DRAM产业更趋积极，除集团挹注资金、争取国发基金投资，近期传出华亚科有意让英特尔(Intel)投资入股，打算藉由办理海外存托凭证(GDR)或私募时进行，目前整起投资案正由外资机构评估中。存储器业者透露，华亚科拟引进英特尔投资，主要关键系说服英特尔藉由这次支持DRAM产业动作，阻止三星电子(Samsung Electronics)在全球存储器市场坐大，甚至威胁英特尔在半导体产业地位。
存储器业者透露，华亚科拟以GDR或私募方式引进英特尔资金，除争取资金挹注，另一个重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。
这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。
消息人士表示，5亿美元相当于苹果一个季度NAND闪存芯片需求量的价值。
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苹果 闪存芯片 NAND
英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计，34 纳米产品将使SSD的价格(与一年前推出产品时的价格相比)降低60%，为PC和笔记本电脑制造商及消费者带来实惠。
多层单元(MLC)英特尔® X25-M Mainstream SATA SSD适用于笔记本电脑和台式机，有80GB和160GB两个版本可供选择。SSD是电脑中的数据存储设备。由于SSD不包括任何移动部件，因此与传统硬盘(
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英特尔 34纳米 NAND 固态硬盘
1．引言 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发、
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FLASH 存储器 测试 方法研究
随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IM Flash抢头香推出34纳米制程NAND Flash产品，应战三星电子(Samsung Electronics)42纳米制程，不但制程技术领先，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻计画，以超低价策略抢食三星地盘。下游厂商透露，近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元，相较于三星更是便宜将近3美元，价差相当惊人，而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增，三星在现货市场活络度则降低。
英特尔
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Intel 34纳米 NAND 42纳米
电子行业报纸ETnews周五报导称，预计韩国三星电子下半年在一个半导体生产设施上投资至少1万亿韩元(合7.9亿美元)。
该报未指明消息来源称，三星下半年在芯片业务方面的资本支出料为8,000亿韩元左右。
三星半导体事业群总裁劝五铉周四在一次业内活动上称，三星预计下半年投资“略高于”上半年。
该公司多次拒绝透露今年的资本投资计划规模，或是迄今的已投资额。
ETnews报称，芯片业务下半年的投资将侧重于引进更先进的生产技术，比如采用40纳米制程生产DRAM和
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三星 DRAM 30纳米 NAND
周一消息 研究机构iSuppli指出，NAND闪存价格大幅波动的现象，大幅削弱了之前对2009年固态硬盘(SSD)在笔记本电脑市场普及的预期。
iSuppli专研行动和新兴内存的资深分析师Michael Yang表示，近期NAND闪存价格上涨，对闪存供货商来说来说是好事，但却为SSD在笔记本电脑的普及带来阻碍。因为SSD的价格约有90%由NAND闪存决定。所以当NAND闪存价格上涨，SSD在个人和企业市场的销量就会减缓。
多层单元(MLC)规格16GB的NAND闪存，其平均价格大幅上涨12
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